公开(公告)号：CN106062932A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580011022.0

申请日：2015-04-20

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 尾家俊行 ,  岛田宪司

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/06 ,  C11D7/18 ,  C11D7/32 ,  C11D7/50

CPC classification number: C11D11/0047 ,  B08B3/08 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/06 ,  C11D7/10 ,  C11D7/105 ,  C11D7/12 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/5004 ,  C11D7/5009 ,  C11D7/5013 ,  C11D7/5022 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085

Abstract: 根据本发明，可以提供一种半导体元件的清洗方法，其特征在于，对于半导体元件使用清洗液去除干法蚀刻残渣，所述半导体元件为在具有低介电常数膜以及钴、钴合金和钨插塞中的至少1种的基板上形成硬掩模图案，接着以该硬掩模图案作为掩模，对硬掩模、低介电常数膜和阻挡绝缘膜实施干法蚀刻处理而得到的，所述清洗液包含碱金属化合物0.001～20质量％、季铵氢氧化物0.1～30质量％、水溶性有机溶剂0.01～60质量％、过氧化氢0.0001～0.1质量％和水。

公开(公告)号：CN103109356A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201180044539.1

申请日：2011-07-26

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 岛田宪司 ,  松永裕嗣

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: C09K13/00 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明提供一种硅蚀刻液和使用该硅蚀刻液的晶体管的制造方法，所述硅蚀刻液含有：0.1～40重量%的选自氨、二胺和通式（1）所示的多胺中的至少1种碱化合物；0.01～40重量%的选自规定的多元醇和不具有还原性的糖类中的至少1种多元醇；以及40～99.89重量%的水，所述蚀刻液在采用去除由硅形成的虚设栅极并替换成含有铪、锆、钛、钽或钨的金属栅极的方法来制造具有至少由高介电材料膜和该金属栅极构成的层叠体的晶体管的方法中在该由硅形成的虚设栅极的蚀刻中使用。

公开(公告)号：CN119452454A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202380050109.3

申请日：2023-06-27

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 河合隆一郎 ,  窟江宏彰 ,  茂田麻里 ,  岛田宪司

IPC: H01L21/304

Abstract: 一种半导体基板清洗用组合物，其包含：成分(A)：选自由氢氟酸、氢氟酸的盐、以式(a)表示的阴离子作为共轭碱的酸、以式(a)表示的阴离子作为共轭碱的酸的盐组成的组中的至少1种，[MFn](n‑k)‑(a)成分(B)：式(b)表示的化合物，[MOm(OR)k‑2m]x(b)(M为硼、硅、锆、锑、铌、铝、磷、钛，k为M的氧化数，m为0以上且k/2以下的整数，x为正整数，R为氢原子、碱金属、烷基，n为针对M的氟化物离子的配位数。)成分(C)：氧化剂，及成分(D)：水，以下述式(I)表示的α为0.2以上且1.1以下。([F]为氟化物离子在前述组合物中的摩尔浓度，[M]为M在前述组合物中的摩尔浓度，n(M)为针对M的氟化物离子的配位数。)#imgabs0#

公开(公告)号：CN116235282A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202180065750.5

申请日：2021-09-22

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 堀江宏彰 ,  堀田明伸 ,  浜中谅 ,  岛田宪司 ,  菊永孝裕

IPC: H01L21/304

Abstract: 一种半导体基板清洗用组合物，其含有：过氧化氢(A)、过氧化氢稳定剂(B)、碱化合物(C)和水，过氧化氢稳定剂(B)为选自由草酸、二亚乙基三胺五乙酸、羟乙基亚氨基二乙酸、草酸钾、5‑苯基‑1H‑四唑、三亚乙基四胺六乙酸、反式‑1,2‑环己二胺四乙酸、8‑羟基喹啉、L(+)‑异亮氨酸、DL‑缬氨酸、L(‑)‑脯氨酸、羟乙基乙二胺三乙酸、N,N‑二(2‑羟乙基)甘氨酸、甘氨酸、L‑色氨酸、2,6‑吡啶二羧酸、苯并噻唑、和DL‑丙氨酸组成的组中的至少1者，碱化合物(C)为选自由氢氧化季铵(C1)和氢氧化钾(C2)组成的组中的至少1者。

公开(公告)号：CN108513679B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201780005986.3

申请日：2017-09-22

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 堀田明伸 ,  岛田宪司 ,  高桥健一 ,  尾家俊行 ,  伊藤彩

IPC: H01L21/308

Abstract: 本发明涉及用于具有SiN层和Si层的基板的湿蚀刻组合物，所述湿蚀刻组合物含有氟化合物(A)0.1～50质量％、氧化剂(B)0.04～10质量％和水(D)，并且pH处于2.0～5.0的范围。而且，本发明涉及使用该湿蚀刻组合物的、具有SiN层和Si层的半导体基板的湿蚀刻方法。通过使用本发明的组合物，减轻使用时产生的挥发成分造成的装置、排气管线的腐蚀和大气污染、进而减轻组合物中的氮成分造成的环境负荷，并且对于具有SiN层和Si层的基板，可以提高Si相对于SiN的去除选择性。

公开(公告)号：CN104823267A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201380062660.6

申请日：2013-11-29

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 岛田宪司 ,  尾家俊行 ,  中山亮太 ,  大户秀

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/04 ,  C11D7/06 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/36 ,  C23G1/20 ,  C23G1/205 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过用包含10～30质量％过氧化氢、0.005～10质量％季铵氢氧化物、0.005～5质量％氢氧化钾、0.000005～0.005质量％氨基多亚甲基膦酸、以及水的清洗液进行清洗，从而能够去除硬掩模(5)、有机硅氧烷系薄膜(6)、干法蚀刻残渣(8)以及光致抗蚀层(7)而不腐蚀低介电常数层间绝缘膜(4)、铜或铜合金等的布线材料(2)、阻隔金属层(1)以及阻隔绝缘膜(3)。另外，根据本发明的优选的方式，即使在清洗液中添加了酸的情况下也抑制铜布线的损伤、即使在清洗液添加了钛的情况下也不引起较大的过氧化氢的分解。

公开(公告)号：CN104662643A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380028068.4

申请日：2013-06-06

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 岛田宪司 ,  安部幸次郎 ,  吉田宽史 ,  大户秀

IPC: H01L21/304 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/768

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/044 ,  C11D3/28 ,  C11D3/30 ,  C11D3/43 ,  C11D7/06 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3281 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838

Abstract: 本发明的目的在于提供在半导体元件的制造工序中抑制低介电层间绝缘膜、铜或铜合金等布线材料、势垒金属和势垒绝缘膜的损伤，去除被处理物表面的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的清洗用液态组合物液及使用其的半导体元件的清洗方法以及使用其的半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造中使用的清洗用液态组合物包含：0.05～25质量％的氢氧化季铵、0.001～1.0质量％的氢氧化钾、5～85质量％的水溶性有机溶剂、以及，0.0005～10质量％的吡唑类。

公开(公告)号：CN102150242B

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN200980135121.4

申请日：2009-09-02

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 山田健二 ,  岛田宪司 ,  松永裕嗣

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/321 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明提供一种铜布线材料表面保护液，其在制造包含铜布线的半导体电路元件时使用，含有水系溶剂和至少包含3-苯基-2-丙炔-1-醇的炔醇类。此外，提供一种半导体电路元件的制造方法，在形成有包含铜布线的半导体基板的半导体电路元件的制造中，用上述铜布线材料表面保护液对露出铜布线材料表面的半导体基板进行液体接触处理，所述包含铜布线的半导体基板是如下形成的：在硅基板上形成绝缘膜和/或防扩散膜后，通过溅射法形成铜膜，再通过镀覆法在其上形成铜膜或含有80质量％以上铜的铜合金膜，然后通过化学机械研磨(CMP)进行平坦化。

公开(公告)号：CN101313391A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200680043485.6

申请日：2006-11-30

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 矢口和义 ,  岛田宪司 ,  安部幸次郎

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/304 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/31111 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供了半导体表面处理剂以及使用该半导体表面处理剂来蚀刻高介电常数绝缘材料的半导体设备的制造方法，其中，该半导体表面处理剂含有氟化合物、水溶性有机溶剂以及无机酸，剩余部分为水。根据本发明，能对在半导体设备制造的晶体管形成工序中使用的高介电常数绝缘材料进行选择性且高效地蚀刻，而且对难以蚀刻的高介电常数绝缘材料也能在短时间内容易地进行蚀刻。

公开(公告)号：CN110731004B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN201880034028.3

申请日：2018-03-16

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 岛田宪司 ,  普林安加·柏达那·普特拉

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/00

Abstract: 根据本发明可以提供一种半导体基板的表面处理方法，其中，所述表面处理方法为使液体组合物与半导体基板接触、对半导体基板赋予拒醇性的半导体基板的表面处理方法，所述液体组合物的特征在于，包含：选自下述式(1)～(6)所示的表面活性剂或其盐中的2种以上各0.01～15质量％和水。(式(1)～(6)中，RF选自由碳数2～10的烷基等的氢被氟所取代的化合物组成的组。R1选自由共价键、碳数1～6的亚烷基等组成的组。RHP选自由羟基、磺酸基和羧基组成的组。R2、R3和R4选自由氢或碳数1～6的烷基等组成的组。R5、R6和R7选自由氢或碳数1～6的烷基等组成的组。X‑选自由氢氧化物离子等组成的组。a表示3以上且20以下的整数。)RFR1RHP·······(1)RFR1(OCH2CH2)aOR2···(6)。