公开(公告)号：CN101199043B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680021432.4

申请日：2006-06-22

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 矢口和义 ,  安部幸次郎 ,  大户秀

IPC: H01L21/308 ,  C23F1/16 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C09K13/08 ,  C23F1/16 ,  C23F1/26 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

Abstract: 提供一种腐蚀剂组合物、以及使用该组合物的半导体装置的制备方法，其特征在于，所述组合物为制备包括高介电常数的绝缘材料、硅的氧化膜或氮化膜形成的绝缘材料、以及金属材料的半导体装置时，选择性地腐蚀金属材料时使用的腐蚀剂组合物；所述组合物为含有氟化合物、和作为官能基在分子结构中含有磷元素的含氧酸的螯合剂的水溶液，或者含有氟化物、作为官能基在分子结构中含有磷元素的含氧酸的螯合剂、以及无机酸和/或有机酸的水溶液。该组合物能够选择性地且高效地腐蚀金属材料。

公开(公告)号：CN101199043A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200680021432.4

申请日：2006-06-22

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 矢口和义 ,  安部幸次郎 ,  大户秀

IPC: H01L21/308 ,  C23F1/16 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C09K13/08 ,  C23F1/16 ,  C23F1/26 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

Abstract: 提供一种腐蚀剂组合物、以及使用该组合物的半导体装置的制备方法，其特征在于，所述组合物为制备包括高介电常数的绝缘材料、硅的氧化膜或氮化膜形成的绝缘材料、以及金属材料的半导体装置时，选择性地腐蚀金属材料时使用的腐蚀剂组合物；所述组合物为含有氟化合物、和作为官能基在分子结构中含有磷元素的含氧酸的螯合剂的水溶液，或者含有氟化物、作为官能基在分子结构中含有磷元素的含氧酸的螯合剂、以及无机酸和/或有机酸的水溶液。该组合物能够选择性地且高效地腐蚀金属材料。

公开(公告)号：CN104662643A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380028068.4

申请日：2013-06-06

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 岛田宪司 ,  安部幸次郎 ,  吉田宽史 ,  大户秀

IPC: H01L21/304 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/768

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/044 ,  C11D3/28 ,  C11D3/30 ,  C11D3/43 ,  C11D7/06 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3281 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838

Abstract: 本发明的目的在于提供在半导体元件的制造工序中抑制低介电层间绝缘膜、铜或铜合金等布线材料、势垒金属和势垒绝缘膜的损伤，去除被处理物表面的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的清洗用液态组合物液及使用其的半导体元件的清洗方法以及使用其的半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造中使用的清洗用液态组合物包含：0.05～25质量％的氢氧化季铵、0.001～1.0质量％的氢氧化钾、5～85质量％的水溶性有机溶剂、以及，0.0005～10质量％的吡唑类。

公开(公告)号：CN101313391A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200680043485.6

申请日：2006-11-30

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 矢口和义 ,  岛田宪司 ,  安部幸次郎

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/304 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/31111 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供了半导体表面处理剂以及使用该半导体表面处理剂来蚀刻高介电常数绝缘材料的半导体设备的制造方法，其中，该半导体表面处理剂含有氟化合物、水溶性有机溶剂以及无机酸，剩余部分为水。根据本发明，能对在半导体设备制造的晶体管形成工序中使用的高介电常数绝缘材料进行选择性且高效地蚀刻，而且对难以蚀刻的高介电常数绝缘材料也能在短时间内容易地进行蚀刻。

公开(公告)号：CN103119693B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201180040397.1

申请日：2011-07-26

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 岛田宪司 ,  松永裕嗣 ,  安部幸次郎 ,  山田健二

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/28 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/401 ,  C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/66545

Abstract: 提供一种通过对硅自然氧化膜、进而对由硅构成的虚拟栅极进行选择性蚀刻，以高成品率制造高精度、高品质的晶体管的方法。一种晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法使用如下的结构体，具有使用规定的蚀刻液的蚀刻工序，且将虚拟栅极置换为铝金属栅极，所述结构体在基板上具有至少将高介电材料膜和由其表面具有硅自然氧化膜的硅构成的虚拟栅极层叠而成的虚拟栅极层叠体、按照覆盖该层叠体的侧面的方式设置的侧壁、及按照覆盖该侧壁的方式设置的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN101755324A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200880100170.X

申请日：2008-07-03

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 岛田宪司 ,  松永裕嗣 ,  安部幸次郎 ,  山田健二

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C23G1/04 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23G1/103 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/28 ,  C11D3/33 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3281 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/06 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068

Abstract: 本发明提供了一种清洗和防腐用组合物，其用于具有包含铜的金属布线的半导体元件等的制造工序，其中防腐剂成分包含诸如吡唑、3，5-二甲基吡唑之类的吡唑衍生物、诸如1，2，4-三唑之类的三唑衍生物、诸如亚氨基二乙酸、乙二胺二丙酸盐酸盐之类的氨基羧酸类、诸如二异丙基二硫醚、二乙基二硫醚之类的二硫醚化合物中的至少一种，清洗剂成分为氟化铵、氟化四甲基铵、乙酸铵、乙酸、乙醛酸、草酸、抗坏血酸、1，2-二氨基丙烷和二甲基乙酰胺中的至少一种。另外，本发明提供了一种使用清洗和防腐用组合物的半导体元件等的制造方法。

公开(公告)号：CN1184299C

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN00134237.1

申请日：2000-09-28

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 池本一人 ,  安部幸次郎 ,  青山哲男

IPC: C11D7/26 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/263 ,  C11D7/268 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3227 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/31133

Abstract: 一种光刻胶洗涤组合物包括0.001-0.5%重量氟化合物，50-99%重量醚溶剂和余量是水。由于含有这种特定含量范围的醚溶剂，该光刻胶洗涤组合物在冲洗步骤中用水稀释时表现出减小腐蚀性并可以完全去除光刻胶残余物而不腐蚀电路材料和基片材料。

公开(公告)号：CN104662643B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201380028068.4

申请日：2013-06-06

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 岛田宪司 ,  安部幸次郎 ,  吉田宽史 ,  大户秀

IPC: H01L21/304 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/768

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/044 ,  C11D3/28 ,  C11D3/30 ,  C11D3/43 ,  C11D7/06 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3281 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838

Abstract: 本发明的目的在于提供在半导体元件的制造工序中抑制低介电层间绝缘膜、铜或铜合金等布线材料、势垒金属和势垒绝缘膜的损伤，去除被处理物表面的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的清洗用液态组合物液及使用其的半导体元件的清洗方法以及使用其的半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造中使用的清洗用液态组合物包含：0.05～25质量％的氢氧化季铵、0.001～1.0质量％的氢氧化钾、5～85质量％的水溶性有机溶剂、以及，0.0005～10质量％的吡唑类。

公开(公告)号：CN103119693A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201180040397.1

申请日：2011-07-26

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 岛田宪司 ,  松永裕嗣 ,  安部幸次郎 ,  山田健二

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/28 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/401 ,  C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/66545

Abstract: 提供一种通过对硅自然氧化膜、进而对由硅构成的虚拟栅极进行选择性蚀刻，以高成品率制造高精度、高品质的晶体管的方法。一种晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法使用如下的结构体，具有使用规定的蚀刻液的蚀刻工序，且将虚拟栅极置换为铝金属栅极，所述结构体在基板上具有至少将高介电材料膜和由其表面具有硅自然氧化膜的硅构成的虚拟栅极层叠而成的虚拟栅极层叠体、按照覆盖该层叠体的侧面的方式设置的侧壁、及按照覆盖该侧壁的方式设置的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN101755324B

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200880100170.X

申请日：2008-07-03

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 岛田宪司 ,  松永裕嗣 ,  安部幸次郎 ,  山田健二

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C23G1/04 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23G1/103 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/28 ,  C11D3/33 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3281 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/06 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068

Abstract: 本发明提供了一种清洗和防腐用组合物，其用于具有包含铜的金属布线的半导体元件等的制造工序，其中防腐剂成分包含诸如吡唑、3，5-二甲基吡唑之类的吡唑衍生物、诸如1，2，4-三唑之类的三唑衍生物、诸如亚氨基二乙酸、乙二胺二丙酸盐酸盐之类的氨基羧酸类、诸如二异丙基二硫醚、二乙基二硫醚之类的二硫醚化合物中的至少一种，清洗剂成分为氟化铵、氟化四甲基铵、乙酸铵、乙酸、乙醛酸、草酸、抗坏血酸、1，2-二氨基丙烷和二甲基乙酰胺中的至少一种。另外，本发明提供了一种使用清洗和防腐用组合物的半导体元件等的制造方法。