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公开(公告)号：CN112005346A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201980027331.5
申请日：2019-04-25
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/14 , C11D7/36 , C23F1/16 , C23G1/02 , H01L21/308 , H01L21/3205 , H01L21/768
Abstract: 根据本发明，可以提供一种水性组合物，其包含：以组合物总量基准计为0.001～20质量％的(A)选自四氟硼酸、六氟硅酸、六氟铝酸、六氟钛酸和它们的盐中的1种以上的含氟化合物；和，以组合物总量基准计为0.0001～10质量％的(B)选自C4‑13烷基膦酸、C4‑13烷基膦酸酯、C4‑13烷基磷酸和它们的盐中的1种以上的化合物。
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公开(公告)号：CN111742392A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201980014145.8
申请日：2019-02-27
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 本发明涉及在半导体集成电路的制造工序中抑制氧化铝的损伤的同时、能够将存在于半导体集成电路的表面的干蚀刻残渣去除的组合物、以及具有氧化铝的半导体基板的清洗方法、进而具有氧化铝层的半导体基板的制造方法。本发明的组合物的特征在于，其含有钡化合物(A)0.00005～1质量％和氟化合物(B)0.01～20质量％，所述组合物的pH处于2.5～8.0的范围内。
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公开(公告)号：CN102683243B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201210059156.8
申请日：2012-03-05
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 , 斯克林集团公司
CPC classification number: H01L21/67075 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67167 , H01L21/67253
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，具有：第一处理室以及第二处理室；在所述第一处理室保持基板的第一基板保持单元；向所述第一基板保持单元所保持的基板供给含有蚀刻成分和增稠剂的药液的药液供给单元；在所述基板保持有所述药液的状态下，将该基板从所述第一处理室搬运到所述第二处理室的基板搬运单元；以及在所述第二处理室，对保持有所述药液的多张基板进行保持的第二基板保持单元。
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公开(公告)号：CN102959691A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180031421.5
申请日：2011-10-18
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: H01L21/02074 , C11D7/06 , C11D7/261 , C11D7/36 , C11D11/0047
Abstract: [课题]本发明提供在半导体电路元件的制造工序中，在半导体基板表面的化学机械研磨（CMP）后去除残渣和污染物质的洗涤用液体组合物以及使用其的洗涤方法。[解决方法]本发明的洗涤用液体组合物含有氢氧化季铵、1-乙炔基-1-环己醇、络合剂、二乙烯三胺五甲叉膦酸以及水，且pH为9~13。通过使用本发明的洗涤用液体组合物进行洗涤，可以保护其不受来源于半导体电路元件制造工序、环境的污染、腐蚀、氧化、产生异物的影响，从而得到清洁的配线表面。
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公开(公告)号：CN102640264A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201080047543.9
申请日：2010-10-19
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/02057 , B81B2203/0109 , B81B2203/0361 , B81C1/00849 , H01L21/31111
Abstract: 一种用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液，以及使用该处理液的金属微细结构体的制造方法，所述处理液含有具有烃基且包含氧亚乙基结构的图案倒塌抑制剂，所述烃基包含可以一部分或全部被氟取代的烷基和烯基的任一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100526450C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200410005492.X
申请日：2004-02-19
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: H01L21/02063 , C11D3/0073 , C11D3/042 , C11D3/046 , C11D3/2075 , C11D3/2082 , C11D3/2086 , C11D3/30 , C11D3/3723 , C11D3/3947 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D11/0047
Abstract: 本发明提供了能在短时间内将半导体基板上的蚀刻残渣完全除去，且不会将铜配线材料和绝缘膜材料等氧化或腐蚀，而且安全且对环境压力小的洗涤液。本发明涉及(1)半导体基体用洗涤液，其特征在于：含有氧化剂、酸及氟化合物，添加碱性化合物使pH调整为3～10，且水的浓度为80重量%以上；(2)半导体基体用洗涤液，其特征在于：含有氧化剂、酸、氟化合物及腐蚀抑制剂，通过添加碱性化合物使pH调整为3～10，且水的浓度为80重量%以上；及实施了金属配线的半导体基体的洗涤方法，其特征在于：使用前述的洗涤液。
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公开(公告)号：CN112005345B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN201980027285.9
申请日：2019-04-25
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/06 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/26 , C11D7/36 , C23F1/16 , C23G1/02 , H01L21/308 , H01L21/3205 , H01L21/768
Abstract: 根据本发明，可以提供一种水性组合物，其包含：以组合物总量基准计为0.0001～10质量％的(A)选自C4‑13烷基膦酸、C4‑13烷基膦酸酯、C4‑13烷基磷酸、和它们的盐中的1种以上的化合物；和，以组合物总量基准计为0.0001～50质量％的(B)除C4‑13烷基膦酸、C4‑13烷基膦酸酯和C4‑13烷基磷酸以外的酸或其盐。
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公开(公告)号：CN112005346B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201980027331.5
申请日：2019-04-25
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/14 , C11D7/36 , C23F1/16 , C23G1/02 , H01L21/308 , H01L21/3205 , H01L21/768
Abstract: 根据本发明，可以提供一种水性组合物，其包含：以组合物总量基准计为0.001～20质量％的(A)选自四氟硼酸、六氟硅酸、六氟铝酸、六氟钛酸和它们的盐中的1种以上的含氟化合物；和，以组合物总量基准计为0.0001～10质量％的(B)选自C4‑13烷基膦酸、C4‑13烷基膦酸酯、C4‑13烷基磷酸和它们的盐中的1种以上的化合物。
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公开(公告)号：CN112041970A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980027525.5
申请日：2019-04-25
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/36 , C23F1/16 , C23G1/02 , H01L21/308 , H01L21/3205 , H01L21/768
Abstract: 根据本发明，可以提供一种水性组合物，其包含：(A)组合物中的氟化物离子浓度达到0.05～30mmol/L的量的氟化物离子供给源；(B)组合物中的阳离子相对于氟化物离子的摩尔比达到0.3～20的量的阳离子供给源；和，以组合物总量基准计为0.0001～10质量％的(C)选自C4‑13烷基膦酸、C4‑13烷基膦酸酯、C4‑13烷基磷酸和它们的盐中的1种以上的化合物，所述水性组合物的pH处于2～6的范围。
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公开(公告)号：CN102484056B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201080035064.5
申请日：2010-07-21
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02057 , B81C1/00928
Abstract: 本发明提供能够抑制半导体装置或微机械等金属微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的金属微细结构体的制造方法。本发明涉及含有磷酸酯和/或聚氧化亚烷基醚磷酸酯的用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液、和使用其的金属微细结构体的制造方法。
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