Patent search ap:("三菱瓦斯化学株式会社") AND inv:"窟江宏彰" Page 1

1.

发明公开
半导体基板清洗用组合物、半导体基板的清洗方法、及半导体基板的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN119452454A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202380050109.3

申请日：2023-06-27

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 河合隆一郎 , 窟江宏彰 , 茂田麻里 , 岛田宪司

IPC: H01L21/304

Abstract: 一种半导体基板清洗用组合物，其包含：成分(A)：选自由氢氟酸、氢氟酸的盐、以式(a)表示的阴离子作为共轭碱的酸、以式(a)表示的阴离子作为共轭碱的酸的盐组成的组中的至少1种，[MFn](n‑k)‑(a)成分(B)：式(b)表示的化合物，[MOm(OR)k‑2m]x(b)(M为硼、硅、锆、锑、铌、铝、磷、钛，k为M的氧化数，m为0以上且k/2以下的整数，x为正整数，R为氢原子、碱金属、烷基，n为针对M的氟化物离子的配位数。)成分(C)：氧化剂，及成分(D)：水，以下述式(I)表示的α为0.2以上且1.1以下。([F]为氟化物离子在前述组合物中的摩尔浓度，[M]为M在前述组合物中的摩尔浓度，n(M)为针对M的氟化物离子的配位数。)#imgabs0#

Patent Agency Ranking