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公开(公告)号：CN107099801A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201611175677.4
申请日：2016-12-19
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/44
Abstract: 本发明提供对包含铜及钼的多层薄膜进行蚀刻的液体组合物及使用其的蚀刻方法及显示装置的制造方法。根据本发明，能够提供一种液体组合物，其是用于对包含由以铜为主成分的物质形成的铜层及由以钼为主成分的物质形成的钼层的多层薄膜进行蚀刻的液体组合物，所述液体组合物包含(A)过氧化氢3～9质量％、(B)酸6～20质量％、(C)碱化合物(其中，不包括咖啡因)1～10质量％、及(D)咖啡因0.1～4质量％，并且pH值为2.5～5.0。
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公开(公告)号：CN105659365A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480057455.5
申请日：2014-10-23
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , C09K13/04
Abstract: 本发明提供如下蚀刻液：在实质上由锌、锡和氧组成的氧化物的蚀刻中具有适合的蚀刻速率，相对于该氧化物的溶解，蚀刻速率的变化小，且没有析出物的产生，且对布线材料的腐蚀性小到可以无视的程度。本发明中，使用如下蚀刻液：包含(A)选自由硫酸、甲磺酸和它们的盐组成的组中的1种以上和水，pH值为-1～3。
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公开(公告)号：CN105659365B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201480057455.5
申请日：2014-10-23
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , C09K13/04
Abstract: 本发明提供如下蚀刻液：在实质上由锌、锡和氧组成的氧化物的蚀刻中具有适合的蚀刻速率，相对于该氧化物的溶解，蚀刻速率的变化小，且没有析出物的产生，且对布线材料的腐蚀性小到可以无视的程度。本发明中，使用如下蚀刻液：包含(A)选自由硫酸、甲磺酸和它们的盐组成的组中的1种以上和水，pH值为‑1～3。
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公开(公告)号：CN105960700A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201580006920.7
申请日：2015-01-21
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , C09K13/04 , C09K13/06
CPC classification number: C09K13/06 , C09K13/04 , G02F1/13439 , H01L21/30604 , H01L33/005 , H01L33/36
Abstract: 本发明提供一种在包含铟、锌、锡及氧的氧化物的蚀刻中具有适当的蚀刻速率、相对于该氧化物溶解的蚀刻速率的变化小、并且实质上没有析出物的产生、而且对布线材料的腐蚀性小到可以忽略的程度的蚀刻用液体组合物。在本发明中，使用含有(A)选自由硫酸、甲磺酸、或它们的盐组成的组中的1种以上和水、且pH值为‑1～3的蚀刻用液体组合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105874570A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480072101.8
申请日：2014-12-16
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供在包含锌和锡的氧化物的蚀刻中，具有适宜的蚀刻速率，相对于该氧化物的溶解，蚀刻速率的变化小，并且没有析出物的产生，而且对布线材料的腐蚀性小至可以忽视的程度，图案形状的直线性优异的蚀刻液。在本发明中，使用包含组分(A)以及(B)以及水，pH值为?1～1的蚀刻液，组分(A)：选自由硫酸、硝酸、盐酸、甲磺酸、高氯酸、或者这些盐组成的组中的1种以上，组分(B)：草酸或者其盐。
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公开(公告)号：CN119452454A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380050109.3
申请日：2023-06-27
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种半导体基板清洗用组合物，其包含：成分(A)：选自由氢氟酸、氢氟酸的盐、以式(a)表示的阴离子作为共轭碱的酸、以式(a)表示的阴离子作为共轭碱的酸的盐组成的组中的至少1种，[MFn](n‑k)‑(a)成分(B)：式(b)表示的化合物，[MOm(OR)k‑2m]x(b)(M为硼、硅、锆、锑、铌、铝、磷、钛，k为M的氧化数，m为0以上且k/2以下的整数，x为正整数，R为氢原子、碱金属、烷基，n为针对M的氟化物离子的配位数。)成分(C)：氧化剂，及成分(D)：水，以下述式(I)表示的α为0.2以上且1.1以下。([F]为氟化物离子在前述组合物中的摩尔浓度，[M]为M在前述组合物中的摩尔浓度，n(M)为针对M的氟化物离子的配位数。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN105960700B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201580006920.7
申请日：2015-01-21
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , C09K13/04 , C09K13/06
Abstract: 本发明提供一种在包含铟、锌、锡及氧的氧化物的蚀刻中具有适当的蚀刻速率、相对于该氧化物溶解的蚀刻速率的变化小、并且实质上没有析出物的产生、而且对布线材料的腐蚀性小到可以忽略的程度的蚀刻用液体组合物。在本发明中，使用含有(A)选自由硫酸、甲磺酸、或它们的盐组成的组中的1种以上和水、且pH值为‑1～3的蚀刻用液体组合物。
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公开(公告)号：CN105874570B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201480072101.8
申请日：2014-12-16
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供在包含锌和锡的氧化物的蚀刻中，具有适宜的蚀刻速率，相对于该氧化物的溶解，蚀刻速率的变化小，并且没有析出物的产生，而且对布线材料的腐蚀性小至可以忽视的程度，图案形状的直线性优异的蚀刻液。在本发明中，使用包含组分(A)以及(B)以及水，pH值为‑1～1的蚀刻液，组分(A)：选自由硫酸、硝酸、盐酸、甲磺酸、高氯酸、或者这些盐组成的组中的1种以上，组分(B)：草酸或者其盐。
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公开(公告)号：CN107099801B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201611175677.4
申请日：2016-12-19
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/44
Abstract: 本发明提供对包含铜及钼的多层薄膜进行蚀刻的液体组合物及使用其的蚀刻方法及显示装置的制造方法。根据本发明，能够提供一种液体组合物，其是用于对包含由以铜为主成分的物质形成的铜层及由以钼为主成分的物质形成的钼层的多层薄膜进行蚀刻的液体组合物，所述液体组合物包含(A)过氧化氢3～9质量％、(B)酸6～20质量％、(C)碱化合物(其中，不包括咖啡因)1～10质量％、及(D)咖啡因0.1～4质量％，并且pH值为2.5～5.0。
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