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公开(公告)号：CN111837218A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201980018203.4
申请日：2019-03-05
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/50 , C11D17/08 , H01L21/28 , H01L21/3213 , H01L21/768
Abstract: 根据本发明，可以提供如下清洗液，其含有：胺化合物(A)0.2～20质量％、水溶性有机溶剂(B)40～70质量％及水，前述胺化合物(A)含有选自由正丁胺、己胺、辛胺、1,4‑丁二胺、二丁胺、3‑氨基‑1‑丙醇、N,N‑二乙基‑1,3‑二氨基丙烷、及双(六亚甲基)三胺组成的组中的1者以上，并且前述水溶性有机溶剂(B)在20℃下的粘度为10mPa·s以下，所述清洗液的pH为9.0～14的范围。
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公开(公告)号：CN112005346A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201980027331.5
申请日：2019-04-25
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/14 , C11D7/36 , C23F1/16 , C23G1/02 , H01L21/308 , H01L21/3205 , H01L21/768
Abstract: 根据本发明，可以提供一种水性组合物，其包含：以组合物总量基准计为0.001～20质量％的(A)选自四氟硼酸、六氟硅酸、六氟铝酸、六氟钛酸和它们的盐中的1种以上的含氟化合物；和，以组合物总量基准计为0.0001～10质量％的(B)选自C4‑13烷基膦酸、C4‑13烷基膦酸酯、C4‑13烷基磷酸和它们的盐中的1种以上的化合物。
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公开(公告)号：CN111742392A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201980014145.8
申请日：2019-02-27
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 本发明涉及在半导体集成电路的制造工序中抑制氧化铝的损伤的同时、能够将存在于半导体集成电路的表面的干蚀刻残渣去除的组合物、以及具有氧化铝的半导体基板的清洗方法、进而具有氧化铝层的半导体基板的制造方法。本发明的组合物的特征在于，其含有钡化合物(A)0.00005～1质量％和氟化合物(B)0.01～20质量％，所述组合物的pH处于2.5～8.0的范围内。
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公开(公告)号：CN111837218B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN201980018203.4
申请日：2019-03-05
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/50 , C11D17/08 , H01L21/28 , H01L21/3213 , H01L21/768
Abstract: 根据本发明，可以提供如下清洗液，其含有：胺化合物(A)0.2～20质量％、水溶性有机溶剂(B)40～70质量％及水，前述胺化合物(A)含有选自由正丁胺、己胺、辛胺、1,4‑丁二胺、二丁胺、3‑氨基‑1‑丙醇、N,N‑二乙基‑1,3‑二氨基丙烷、及双(六亚甲基)三胺组成的组中的1者以上，并且前述水溶性有机溶剂(B)在20℃下的粘度为10mPa·s以下，所述清洗液的pH为9.0～14的范围。
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公开(公告)号：CN112005345B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN201980027285.9
申请日：2019-04-25
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/06 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/26 , C11D7/36 , C23F1/16 , C23G1/02 , H01L21/308 , H01L21/3205 , H01L21/768
Abstract: 根据本发明，可以提供一种水性组合物，其包含：以组合物总量基准计为0.0001～10质量％的(A)选自C4‑13烷基膦酸、C4‑13烷基膦酸酯、C4‑13烷基磷酸、和它们的盐中的1种以上的化合物；和，以组合物总量基准计为0.0001～50质量％的(B)除C4‑13烷基膦酸、C4‑13烷基膦酸酯和C4‑13烷基磷酸以外的酸或其盐。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112005346B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201980027331.5
申请日：2019-04-25
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/14 , C11D7/36 , C23F1/16 , C23G1/02 , H01L21/308 , H01L21/3205 , H01L21/768
Abstract: 根据本发明，可以提供一种水性组合物，其包含：以组合物总量基准计为0.001～20质量％的(A)选自四氟硼酸、六氟硅酸、六氟铝酸、六氟钛酸和它们的盐中的1种以上的含氟化合物；和，以组合物总量基准计为0.0001～10质量％的(B)选自C4‑13烷基膦酸、C4‑13烷基膦酸酯、C4‑13烷基磷酸和它们的盐中的1种以上的化合物。
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公开(公告)号：CN112041970A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980027525.5
申请日：2019-04-25
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/36 , C23F1/16 , C23G1/02 , H01L21/308 , H01L21/3205 , H01L21/768
Abstract: 根据本发明，可以提供一种水性组合物，其包含：(A)组合物中的氟化物离子浓度达到0.05～30mmol/L的量的氟化物离子供给源；(B)组合物中的阳离子相对于氟化物离子的摩尔比达到0.3～20的量的阳离子供给源；和，以组合物总量基准计为0.0001～10质量％的(C)选自C4‑13烷基膦酸、C4‑13烷基膦酸酯、C4‑13烷基磷酸和它们的盐中的1种以上的化合物，所述水性组合物的pH处于2～6的范围。
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公开(公告)号：CN112041970B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN201980027525.5
申请日：2019-04-25
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/36 , C23F1/16 , C23G1/02 , H01L21/308 , H01L21/3205 , H01L21/768
Abstract: 根据本发明，可以提供一种水性组合物，其包含：(A)组合物中的氟化物离子浓度达到0.05～30mmol/L的量的氟化物离子供给源；(B)组合物中的阳离子相对于氟化物离子的摩尔比达到0.3～20的量的阳离子供给源；和，以组合物总量基准计为0.0001～10质量％的(C)选自C4‑13烷基膦酸、C4‑13烷基膦酸酯、C4‑13烷基磷酸和它们的盐中的1种以上的化合物，所述水性组合物的pH处于2～6的范围。
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公开(公告)号：CN111742392B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN201980014145.8
申请日：2019-02-27
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 本发明涉及在半导体集成电路的制造工序中抑制氧化铝的损伤的同时、能够将存在于半导体集成电路的表面的干蚀刻残渣去除的组合物、以及具有氧化铝的半导体基板的清洗方法、进而具有氧化铝层的半导体基板的制造方法。本发明的组合物的特征在于，其含有钡化合物(A)0.00005～1质量％和氟化合物(B)0.01～20质量％，所述组合物的pH处于2.5～8.0的范围内。
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公开(公告)号：CN117015845A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202280018965.6
申请日：2022-03-04
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种半导体基板清洗用组合物，其含有碱化合物(A)、防腐剂(B)、及水，前述碱化合物(A)为选自由季铵碱(A1)及氢氧化钾(A2)组成的组中的至少一者，前述防腐剂(B)为选自由4位取代吡唑类、三(1‑吡唑基)硼氢化钾、2‑(4‑噻唑基)苯并咪唑、及卤代‑8‑羟基喹啉类组成的组中的至少一者。
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