公开(公告)号：CN108513679A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201780005986.3

申请日：2017-09-22

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 堀田明伸 ,  岛田宪司 ,  高桥健一 ,  尾家俊行 ,  伊藤彩

IPC: H01L21/308

Abstract: 本发明涉及用于具有SiN层和Si层的基板的湿蚀刻组合物，所述湿蚀刻组合物含有氟化合物(A)0.1～50质量％、氧化剂(B)0.04～10质量％和水(D)，并且pH处于2.0～5.0的范围。而且，本发明涉及使用该湿蚀刻组合物的、具有SiN层和Si层的半导体基板的湿蚀刻方法。通过使用本发明的组合物，减轻使用时产生的挥发成分造成的装置、排气管线的腐蚀和大气污染、进而减轻组合物中的氮成分造成的环境负荷，并且对于具有SiN层和Si层的基板，可以提高Si相对于SiN的去除选择性。

公开(公告)号：CN108513679B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201780005986.3

申请日：2017-09-22

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 堀田明伸 ,  岛田宪司 ,  高桥健一 ,  尾家俊行 ,  伊藤彩

IPC: H01L21/308

Abstract: 本发明涉及用于具有SiN层和Si层的基板的湿蚀刻组合物，所述湿蚀刻组合物含有氟化合物(A)0.1～50质量％、氧化剂(B)0.04～10质量％和水(D)，并且pH处于2.0～5.0的范围。而且，本发明涉及使用该湿蚀刻组合物的、具有SiN层和Si层的半导体基板的湿蚀刻方法。通过使用本发明的组合物，减轻使用时产生的挥发成分造成的装置、排气管线的腐蚀和大气污染、进而减轻组合物中的氮成分造成的环境负荷，并且对于具有SiN层和Si层的基板，可以提高Si相对于SiN的去除选择性。