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公开(公告)号：CN106796878B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201580055599.1
申请日：2015-10-02
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 根据本发明，可以提供一种去除半导体元件表面上的光致抗蚀剂的清洗液，所述半导体元件具有低介电常数膜(Low‑k膜)和包含10原子％以上的钨的材料，所述清洗液包含碱土金属化合物0.001～5质量％、无机碱和/或有机碱0.1～30质量％、以及水。
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公开(公告)号：CN108513679A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201780005986.3
申请日：2017-09-22
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明涉及用于具有SiN层和Si层的基板的湿蚀刻组合物，所述湿蚀刻组合物含有氟化合物(A)0.1～50质量％、氧化剂(B)0.04～10质量％和水(D)，并且pH处于2.0～5.0的范围。而且，本发明涉及使用该湿蚀刻组合物的、具有SiN层和Si层的半导体基板的湿蚀刻方法。通过使用本发明的组合物，减轻使用时产生的挥发成分造成的装置、排气管线的腐蚀和大气污染、进而减轻组合物中的氮成分造成的环境负荷，并且对于具有SiN层和Si层的基板，可以提高Si相对于SiN的去除选择性。
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公开(公告)号：CN105981136B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201580005638.7
申请日：2015-01-23
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K13/08 , C11D1/22 , C11D1/29 , C11D1/34 , C11D1/40 , C11D1/62 , C11D1/75 , C11D1/90 , C11D1/92 , C11D3/04 , C11D3/24 , C11D3/39 , C23F11/04 , H01L21/308
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D1/006 , C11D1/29 , C11D1/345 , C11D3/0073 , C11D3/3947 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/3209 , C11D7/36 , C23G1/061 , C23G1/106 , H01L21/02063 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/76814
Abstract: 根据本发明，可以提供如下液体组合物：其用于从具有氮化钛、钨和低介电常数层间绝缘膜的基板去除氮化钛而不腐蚀钨和低介电常数层间绝缘膜，该液体组合物包含：(A)氧化剂，其为选自由高锰酸钾、过二硫酸铵、过二硫酸钾和过二硫酸钠组成的组中的至少一种、(B)氟化合物、和(C)钨防腐蚀剂，且pH值为0～4，前述(C)钨防腐蚀剂包含：选自由烷基胺和其盐、氟烷基胺和其盐等组成的C1化合物组中的2种以上不同的化合物，或者包含选自前述C1化合物组中的1种以上和选自由聚氧亚烷基烷基胺、聚氧亚烷基氟烷基胺等组成的C2化合物组中的1种以上，前述(A)氧化剂中的高锰酸钾的浓度为0.001～0.1质量％，前述(B)氟化合物的浓度为0.01～1质量％。
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公开(公告)号：CN107148664A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201580057475.7
申请日：2015-10-02
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/02 , C11D7/38 , C11D17/08
Abstract: 根据本发明，可以提供一种去除半导体元件表面的干蚀刻残渣和光致抗蚀剂的清洗液，所述半导体元件具有：低介电常数膜(Low‑k膜)、以及选自包含10原子％以上的钛的材料和包含10原子％以上的钨的材料中的1种以上，所述清洗液包含选自由过氧化物、高氯酸和高氯酸盐组成的组中的1种以上的氧化剂0.002～50质量％、碱土金属化合物0.000001～5质量％和水。
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公开(公告)号：CN103081075A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180041706.7
申请日：2011-07-26
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/30604 , H01L21/02068 , H01L21/32134 , H01L29/51 , H01L29/66545 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种蚀刻液以及使用其的晶体管的制造方法，所述蚀刻液用于晶体管的制造方法中的由硅形成的虚拟栅的蚀刻，选择性地蚀刻该由硅形成的虚拟栅，所述晶体管的制造方法为：利用去除由硅形成的虚拟栅并将其替换为铝金属栅的方法，来制造具有至少由高介电材料膜和铝金属栅形成的层叠体的晶体管的方法。一种硅蚀刻液以及使用其的晶体管的制造方法，其用于上述由硅形成的虚拟栅的蚀刻，所述硅蚀刻液含有：选自氨、二胺以及通式(1)表示的多胺中的至少一种碱性化合物0.1～40重量%，选自通式(2)表示的多元醇中的至少一种5～50重量%，以及水40～94.9重量%。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102150242A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200980135121.4
申请日：2009-09-02
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/321 , H01L21/02074
Abstract: 本发明提供一种铜布线材料表面保护液，其在制造包含铜布线的半导体电路元件时使用，含有水系溶剂和至少包含3-苯基-2-丙炔-1-醇的炔醇类。此外，提供一种半导体电路元件的制造方法，在形成有包含铜布线的半导体基板的半导体电路元件的制造中，用上述铜布线材料表面保护液对露出铜布线材料表面的半导体基板进行液体接触处理，所述包含铜布线的半导体基板是如下形成的：在硅基板上形成绝缘膜和/或防扩散膜后，通过溅射法形成铜膜，再通过镀覆法在其上形成铜膜或含有80质量％以上铜的铜合金膜，然后通过化学机械研磨(CMP)进行平坦化。
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公开(公告)号：CN108369907B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN201780004391.6
申请日：2017-01-10
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/00
Abstract: 本发明提供液体组合物和使用其的半导体基板的表面处理方法，所述液体组合物为对半导体基板材料赋予拒醇性的液体组合物，所述液体组合物包含：表面活性剂(A)0.01～15质量％，其具有式(1)：(式中，n为3以上且20以下的整数。)所示的取代基和阴离子性亲水基团；和，化合物(B)0.0001～20质量％，其重均分子量为200以上且500000以下、且每1g具有4mmol以上且30mmol以下的氨基，所述化合物(B)为选自由聚乙烯亚胺、和具有式(2)或(3)：(式中，R1和R2各自独立地为氢或碳数1～6的烷基、烯基、炔基或芳基。)(式中，R3和R4各自独立地为氢或碳数1～6的烷基、烯基、炔基或芳基，X‑为氟化物离子、氯化物离子、溴化物离子、碘化物离子、氟硼酸根离子、磷酸根离子、乙酸根离子、三氟乙酸根离子、硫酸根离子、硫酸氢根离子、甲硫酸根离子、氢氧化物离子、高氯酸根离子或硝酸根离子。)所示的取代基的化合物组成的组。CnF2n+1‑ (1)
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公开(公告)号：CN107078043B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201580056375.2
申请日：2015-10-02
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/04 , C11D7/38 , C11D17/08 , G03F7/42
Abstract: 根据本发明，可以提供一种去除半导体元件表面的光致抗蚀剂和干蚀刻残渣的清洗方法，其特征在于，所述半导体元件具有Low‑k膜和包含10原子％以上的钽的材料，所述清洗方法使用包含过氧化氢0.002～50质量％、碱土金属化合物0.001～1质量％、碱和水的清洗液。
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公开(公告)号：CN106062932B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201580011022.0
申请日：2015-04-20
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/06 , C11D7/18 , C11D7/32 , C11D7/50
CPC classification number: C11D11/0047 , B08B3/08 , C11D3/3947 , C11D7/06 , C11D7/10 , C11D7/105 , C11D7/12 , C11D7/3209 , C11D7/5004 , C11D7/5009 , C11D7/5013 , C11D7/5022 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/02071 , H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/3085
Abstract: 根据本发明，可以提供一种半导体元件的清洗方法，其特征在于，对于半导体元件使用清洗液去除干法蚀刻残渣，所述半导体元件为在具有低介电常数膜以及钴、钴合金和钨插塞中的至少1种的基板上形成硬掩模图案，接着以该硬掩模图案作为掩模，对硬掩模、低介电常数膜和阻挡绝缘膜实施干法蚀刻处理而得到的，所述清洗液包含碱金属化合物0.001～20质量％、季铵氢氧化物0.1～30质量％、水溶性有机溶剂0.01～60质量％、过氧化氢0.0001～0.1质量％和水。
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公开(公告)号：CN107078044A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056809.9
申请日：2015-10-02
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 根据本发明，提供一种去除半导体元件表面的干蚀刻残渣的清洗液，所述半导体元件具有：(1)包含钴或钴合金的材料或者(2)包含钴或钴合金和钨的材料、和低介电常数层间绝缘膜，所述清洗液包含碱金属化合物0.001～7质量％、过氧化物0.005～35质量％、防腐剂0.005～10质量％、碱土金属化合物0.000001～1质量％和水。
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