半导体器件封装和半导体设备

    公开(公告)号:CN108807333B

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN201810258640.0

    申请日:2018-03-27

    Abstract: 提供了一种半导体器件封装和半导体设备。所述半导体器件封装包括:第一半导体封装、第二半导体封装以及位于第一半导体封装和第二半导体封装之间的内插板。第一半导体封装包括第一半导体封装衬底和第一半导体芯片。第二半导体封装包括第二半导体封装衬底和第二半导体芯片。内插板将第一半导体封装电连接到第二半导体封装,并且包括穿过内插板的第一内插板孔。第一半导体芯片包括从第一部分突出的第二部分,并且第二部分插入到第一内插板孔中。

    半导体封装件
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109671681B

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN201811168757.6

    申请日:2018-10-08

    Abstract: 本公开提供一种半导体封装件,其包括第一半导体封装件及中介物。第一半导体封装件包含第一半导体封装衬底及其上的第一半导体芯片。中介物设置在第一半导体封装件上。中介物将第一半导体封装件与外部半导体封装件电性连接,且具有彼此相对的第一侧及第二侧。第二侧位于第一侧与第一半导体封装衬底之间,第一凹槽形成于中介物的第二侧中。第一凹槽具有从中介物的第二侧朝向第一侧延伸的侧壁及连接到侧壁的上部表面,且第一凹槽的上部表面面向第一半导体芯片,且通孔位于中介物中。通孔不会在第一半导体封装件与外部半导体封装件之间传送电信号。本公开的半导体封装件能够在水平方向和竖直方向上传递从半导体芯片所产生的热从而减小热阻。

    半导体封装件
    17.
    发明公开
    半导体封装件 审中-实审

    公开(公告)号:CN116417415A

    公开(公告)日:2023-07-11

    申请号:CN202211655455.8

    申请日:2022-12-21

    Abstract: 一种半导体封装件包括:第一互连结构;第一半导体芯片,位于所述第一互连结构上;包封剂,覆盖所述第一半导体芯片;第二互连结构,设置在所述第一半导体芯片和所述包封剂上,包括多个互连层,并且具有包括台阶部分的开口,所述开口暴露所述多个互连层当中的至少一个互连层的上表面的一部分;以及散热图案,设置在所述开口中,穿过所述包封剂并且与所述第一半导体芯片的上表面的至少一部分接触,并且包括热导率高于硅(Si)的热导率的材料。所述散热图案包括具有第一宽度的下部和设置在所述下部上并且具有大于所述第一宽度的第二宽度的上部,并且所述散热图案的所述上部与所述至少一个互连层的所述上表面的被暴露的所述一部分接触。

    包括双加强件的半导体封装件
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114695274A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202111626898.X

    申请日:2021-12-28

    Abstract: 一种半导体封装件,包括:双加强件,其包括上加强件和下加强件;上封装件,其包括上封装件衬底、居中地安装在上封装件衬底的上表面上的半导体芯片和沿着上封装件衬底的外边缘设置的上加强件;以及下封装件衬底,其居中地安装上封装件并且包括下加强件,下加强件设置在下封装件衬底的上表面上以包围上封装件衬底。

    包括双重化的信号布线结构的半导体封装

    公开(公告)号:CN114613747A

    公开(公告)日:2022-06-10

    申请号:CN202111483220.0

    申请日:2021-12-07

    Abstract: 公开了一种包括双重化的信号布线结构的半导体封装,其包括:多个下焊盘;上焊盘;半导体芯片,包括芯片焊盘并配置为通过芯片焊盘发送或接收第一信号;第一布线结构,将芯片焊盘连接到所述多个下焊盘当中的第一下焊盘;以及第二布线结构,将所述多个下焊盘当中的第二下焊盘连接到上焊盘,其中第一下焊盘和第二下焊盘以所述多个下焊盘之间的最小距离彼此分离。

    半导体封装
    20.
    发明公开
    半导体封装 审中-公开

    公开(公告)号:CN111834355A

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN202010167252.9

    申请日:2020-03-11

    Abstract: 一种半导体封装包括:封装基底;下部半导体芯片,位于所述封装基底上;中间层,位于所述下部半导体芯片上,所述中间层包括彼此间隔开的多个片段;上部半导体芯片,位于所述中间层上;以及模制构件,覆盖所述下部半导体芯片及所述中间层。

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