公开(公告)号：CN114613747A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202111483220.0

申请日：2021-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔熙正 ,  李稀裼 ,  朴浚曙 ,  柳凤炜

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/31

Abstract: 公开了一种包括双重化的信号布线结构的半导体封装，其包括：多个下焊盘；上焊盘；半导体芯片，包括芯片焊盘并配置为通过芯片焊盘发送或接收第一信号；第一布线结构，将芯片焊盘连接到所述多个下焊盘当中的第一下焊盘；以及第二布线结构，将所述多个下焊盘当中的第二下焊盘连接到上焊盘，其中第一下焊盘和第二下焊盘以所述多个下焊盘之间的最小距离彼此分离。

公开(公告)号：CN119495668A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202410720576.9

申请日：2024-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳凤炜 ,  金昌洙 ,  田秉澈 ,  许峻豪

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H10B80/00

Abstract: 本公开提供了半导体封装和集成电路器件。半导体封装包括：封装基板；在封装基板上的第一半导体芯片；第二半导体芯片，在封装基板上且与第一半导体芯片间隔开；以及桥接管芯，在封装基板上且位于第一半导体芯片和第二半导体芯片下面，其中桥接管芯包括面对第一半导体芯片和第二半导体芯片的第一面、面对封装基板的第二面、位于第一面处并且电连接第一半导体芯片和第二半导体芯片的连接布线结构以及位于第二面处并向第一半导体芯片和第二半导体芯片提供电力的电源布线结构。

公开(公告)号：CN118471931A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202311369725.3

申请日：2023-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳凤炜 ,  许峻豪

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L23/538

Abstract: 可以提供一种集成电路装置和包括该集成电路装置的半导体封装，该集成电路装置包括第一半导体芯片、多个信号贯穿硅通路(TSV)、第二半导体芯片、多个信号凸块和中介层。信号TSV可以以第一节距在第一半导体芯片中。第二半导体芯片可以在第一半导体芯片上。信号凸块可以以比第一节距宽的第二节距在第二半导体芯片的下表面上。中介层可以插设在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间，并且可以将信号TSV与信号凸块电连接。因此，可以减小信号TSV在第一半导体芯片中的占据面积，使得集成电路装置可以具有更小的尺寸。

公开(公告)号：CN118571852A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410205939.5

申请日：2024-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳凤炜 ,  许峻豪

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/538 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体器件，包括具有彼此相邻的第一物理层区域和第二物理层区域的第一管芯、在第一管芯的下表面上的连接焊盘和连接线、在第一管芯上具有第一后布线的后布线层、以及穿透第一管芯的贯穿硅通路，贯穿硅通路包括第一贯穿硅通路和第二贯穿硅通路。连接焊盘包括分别与第一物理层区域和第二物理层区域电连接的第一连接焊盘和第二连接焊盘，以及分别与第一贯穿硅通路和第二贯穿硅通路电连接的第一焊盘和第二焊盘。第一后布线与第一贯穿硅通路和第二贯穿硅通路电连接。连接线与第一连接焊盘和第一焊盘电连接。

公开(公告)号：CN118538692A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410182202.6

申请日：2024-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳凤炜 ,  李庆民 ,  李景洙 ,  许峻豪

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：封装基板；第一管芯，在封装基板上并包括硬宏和贯穿硅通路；以及在第一管芯上的第二管芯，其中第一管芯包括第一区域和第二区域，第一区域不包括硬宏，第二区域包括包含硬宏的宏区域，其中第一区域的贯穿硅通路在第一方向上以第一距离布置并且在第二方向上以第二距离布置，其中第二区域的贯穿硅通路在第一方向上以第一间距布置，并且在第二方向上以第二间距布置，其中宏区域插设于在第一方向上布置的贯穿硅通路之间，其中第一间距大于第一距离，并且其中第二间距小于第二距离。

公开(公告)号：CN116721990A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310212836.7

申请日：2023-03-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳凤炜 ,  金恩姬 ,  李庆民

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 一种集成电路芯片，包括：包括第一信号球的封装衬底、封装衬底上的第一半导体芯片、第一半导体芯片上的第二半导体芯片、设置在封装衬底和第一半导体芯片之间并且电连接到第一信号球的第一凸起、以及设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间并且电连接到第一信号球的第二凸起，其中在第一模式期间，第一信号球通过第一凸起从第一半导体芯片接收信号，并且通过第二凸起从第二半导体芯片接收信号。

公开(公告)号：CN115080499A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210123166.7

申请日：2022-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳凤炜 ,  李益洙 ,  李宰坤

IPC: G06F15/78 ,  G06F1/26 ,  G06F1/28

Abstract: 一种片上系统，包括：处理单元，包括第一处理电路和第二处理电路；连接电路，被配置为形成将所述第一处理电路和所述第二处理电路中的一个连接到外部电容器的路径；以及控制器，被配置为基于所述第一处理电路和所述第二处理电路中的至少一个的状态来控制所述连接电路。