公开(公告)号：CN101390444A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200780006156.9

申请日：2007-02-07

Applicant: 科发伦材料株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 柴田和生 ,  川崎裕雄 ,  岩田辉夫 ,  网仓学

IPC: H05B3/86 ,  H05B3/14 ,  H05B3/74

CPC classification number: H05B3/145 ,  H01L21/67103 ,  H05B3/143 ,  H05B3/283 ,  H05B2203/002 ,  H05B2203/003 ,  H05B2203/014 ,  H05B2203/016 ,  H05B2203/037

Abstract: 本发明提供一种具备能够形成大致均匀的加热温度的碳线发热体的面状加热器。该碳线发热体(CW)的面内配置密度在内侧区域与外侧区域相异。具有向发热体(CW)通电的连接线的电源端子部配置在石英玻璃板状体的背面侧的中央部。内侧的碳线发热体的连接线在石英玻璃板状体的中央部被连接，外侧的碳线发热体的连接线(3a、3b)和内侧的碳线发热体(CW)不交叉，从石英玻璃板状体的中央部延伸设置至外侧区域，并与外侧的碳线发热体(CW)连接。

公开(公告)号：CN101333113A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810109699.X

申请日：2008-06-27

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 冈田裕 ,  大屋锁登志

IPC: C04B35/565 ,  C04B41/89 ,  C23C4/00 ,  C04B35/64 ,  F27D3/12

Abstract: 本发明涉及多层陶瓷电容器烧制用材料、其制造方法和再生方法。所述制造方法包括以下工序：在SiC粉末原料中添加烧结后残碳率小于5.0重量％的量的有机粘合剂进行混合；加入水，进行混炼、成型；在1500℃～2400℃烧结；在氧浓度为2％以上的氧气氛下，于1350℃～1650℃烧制1小时～6小时；通过喷镀法在所形成的SiO2层表面形成由ZrO2或Al2O3构成的覆盖层。所述材料在SiC基材表面形成了SiO2层，表观气孔率为15％以上，表观比重为3.05～3.20，SiC含量为90重量％以上，并且，所述SiO2层表面形成有由ZrO2或Al2O3构成的覆盖层。

公开(公告)号：CN100407381C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200610008940.0

申请日：2006-01-28

Applicant: 科发伦材料株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 森谷正孝 ,  鹿岛一日儿 ,  宫野真一

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/00 ,  C23F1/00 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明提供一种硅构件及其制造方法，该硅构件在半导体制造工序、特别是等离子体处理工序中，可以抑制构件自身的电阻率变动，由此，可以实现晶片处理的均匀化，并且对被处理晶片等不构成杂质污染源。经由以下工序制造电阻率大于等于0.1Ω·cm、小于等于100Ω·cm的硅构件：制造被掺杂了13族原子、固有电阻率大于等于1Ω·cm、小于等于100Ω·cm的P型单晶硅的工序；以及通过将所述P型单晶硅在大于等于300℃、小于等于500℃的温度下进行退火处理，形成氧施主，从而进行P/N反转的工序。

公开(公告)号：CN100396647C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200610115778.2

申请日：2006-08-16

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 永坂幸行 ,  森田敬司 ,  渡边敬祐

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种氧化钇烧结体及其制造方法，该氧化钇烧结体对于卤素类腐蚀性气体和等离子体具有优异的耐腐蚀性并具有优异的耐热冲击性，并且适合于用作半导体和液晶器件的制造设备中、特别是等离子体处理设备中的构成部件。该氧化钇烧结体包含分散在氧化钇中的平均粒径小于或等于3微米的钨，由此使得钨的比例相对于所述氧化钇以重量计为1%～50%，并且具有小于或等于0.2%的开孔率和大于或等于200摄氏度的水浸法的耐热冲击性。

公开(公告)号：CN101151522A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200680010451.7

申请日：2006-03-27

Applicant: 芝浦机械电子株式会社 ,  科发伦材料株式会社

Inventor： 高野英明 ,  清水美雪 ,  仙田刚士 ,  泉妻宏治 ,  林义典 ,  浜谷和彦

IPC: G01N21/956 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01N21/8806 ,  G01N21/8851 ,  G01N21/9501 ,  G01N2021/8822 ,  H01L21/67288 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 变形硅晶片的表面检查方法和检查装置，构成为具备摄影步骤，在从光源装置(50)向旋转的变形硅晶片(10)表面照射光的环境下，相对变形硅晶片(10)的表面以规定的位置关系设置的摄像装置(30)，以可对变形硅晶片(10)中呈现的亮线进行摄影的摄像条件，在多个旋转角度位置的每个位置对变形硅晶片(10)表面进行摄影；和合成图像生成步骤，根据摄像装置(10)得到的多个旋转角度位置下的变形硅晶片(10)的表面图像，生成规定旋转角度位置下的合成图像。

公开(公告)号：CN105315005A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510351921.7

申请日：2015-06-24

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 赤岭宗子 ,  藤田光广

IPC: C04B38/06 ,  C04B35/443

CPC classification number: C04B35/443 ,  C04B35/634 ,  C04B38/0615 ,  C04B2111/27 ,  C04B2235/602 ,  F16L59/00 ,  F16L59/028 ,  C04B38/0054 ,  C04B38/0074

Abstract: 本发明涉及包含MgAl2O4的多孔烧结体且1000℃以上的高温下的绝热性优异的绝热材料。本发明提供即使为1500℃以上的高温热传导率的增加也得到抑制、并保持优异的绝热性、且1700℃以上的耐热性也优异的绝热材料，即使为1000℃以上的高温热传导率的增加也得到抑制、并保持优异的绝热性、且强度也优异的绝热材料。本发明采取如下构成：其包含孔隙度为60%以上且不足73%的多孔烧结体，所述多孔烧结体由MgAl2O4构成，孔径为0.8μm以上且不足10μm的气孔占总气孔容积之中的30vol%以上且不足90vol%，并且，孔径为0.01μm以上且不足0.8μm的气孔占总气孔容积之中的10vol%以上且不足60vol%，所述绝热材料的20℃以上且1500℃以下的热传导率为0.45W/（m·K）以下，压缩强度为2MPa以上。

公开(公告)号：CN103771851B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201310374690.2

申请日：2013-08-26

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 赤岭宗子 ,  藤田光广

IPC: C04B35/44 ,  C04B35/622

CPC classification number: C01F7/02 ,  C01F7/162 ,  C04B35/44 ,  C04B35/443 ,  C04B38/0074 ,  C04B2111/28 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/9607 ,  C04B38/0054

Abstract: 本发明提供即使在1000℃以上的高温区域中，导热系数的增加也受到抑制且保持优异的绝热性的绝热材料。其构成为：气孔率为65~90vol%，由化学式XAl2O4（X＝Zn，Fe，Mg，Ni或Mn）表示的尖晶石质的多孔质烧结体形成，孔径超过1000μm的粗大气孔占总气孔容积的25vol%以下、孔径为0.45μm以下的微小气孔占孔径为1000μm以下的气孔的容积中的5~40vol%、孔径为0.14~10μm的范围内具有至少1个气孔径分布峰，烧结体颗粒的算术平均粒径为0.04~1μm。

公开(公告)号：CN103771851A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310374690.2

申请日：2013-08-26

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 赤岭宗子 ,  藤田光广

IPC: C04B35/44 ,  C04B35/622

CPC classification number: C01F7/02 ,  C01F7/162 ,  C04B35/44 ,  C04B35/443 ,  C04B38/0074 ,  C04B2111/28 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/9607 ,  C04B38/0054

Abstract: 本发明提供即使在1000℃以上的高温区域中，导热系数的增加也受到抑制且保持优异的绝热性的绝热材料。其构成为：气孔率为65~90vol%，由化学式XAl2O4（X＝Zn，Fe，Mg，Ni或Mn）表示的尖晶石质的多孔质烧结体形成，孔径超过1000μm的粗大气孔占总气孔容积的25vol%以下、孔径为0.45μm以下的微小气孔占孔径为1000μm以下的气孔的容积中的5~40vol%、孔径为0.14~10μm的范围内具有至少1个气孔径分布峰，烧结体颗粒的算术平均粒径为0.04~1μm。

公开(公告)号：CN102589286A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210027444.5

申请日：2009-05-07

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 大桥忠 ,  梅本净二郎 ,  一木豪

IPC: F27B14/10 ,  C30B15/10 ,  C04B41/87

CPC classification number: C30B11/002 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06 ,  C30B35/002 ,  Y10T117/1024

Abstract: 本发明涉及用于熔化硅的坩埚和该坩埚使用的脱模剂。根据本发明的用于熔化硅的坩埚是包括坩埚主体和至少在该坩埚主体的内表面上形成的保护膜的用于熔化硅的坩埚，该坩埚主体包括耐热部件，其中该保护膜具有SiOxNy的组分，其中X＞0且Y＞0。根据本发明的用于熔化硅的坩埚对于硅块具有优异的释放能力，减小硅熔料中溶入的杂质量，并且可以以低成本制造。此外，本发明提供一种在用于熔化硅的坩埚的制造中使用的脱模剂。

公开(公告)号：CN101333113B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200810109699.X

申请日：2008-06-27

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 冈田裕 ,  大屋锁登志

IPC: C04B35/565 ,  C04B41/89 ,  C23C4/00 ,  C04B35/64 ,  F27D3/12

Abstract: 本发明涉及多层陶瓷电容器烧制用材料、其制造方法和再生方法。所述制造方法包括以下工序：在SiC粉末原料中添加烧结后残碳率小于5.0重量％的量的有机粘合剂进行混合；加入水，进行混炼、成型；在1500℃～2400℃烧结；在氧浓度为2％以上的氧气氛下，于1350℃～1650℃烧制1小时～6小时；通过喷镀法在所形成的SiO2层表面形成由ZrO2或Al2O3构成的覆盖层。所述材料在SiC基材表面形成了SiO2层，表观气孔率为15％以上，表观比重为3.05～3.20，SiC含量为90重量％以上，并且，所述SiO2层表面形成有由ZrO2或Al2O3构成的覆盖层。