-
公开(公告)号：CN100396647C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200610115778.2
申请日：2006-08-16
Applicant: 科发伦材料株式会社
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种氧化钇烧结体及其制造方法，该氧化钇烧结体对于卤素类腐蚀性气体和等离子体具有优异的耐腐蚀性并具有优异的耐热冲击性，并且适合于用作半导体和液晶器件的制造设备中、特别是等离子体处理设备中的构成部件。该氧化钇烧结体包含分散在氧化钇中的平均粒径小于或等于3微米的钨，由此使得钨的比例相对于所述氧化钇以重量计为1%～50%，并且具有小于或等于0.2%的开孔率和大于或等于200摄氏度的水浸法的耐热冲击性。
Search Results
1
records
(took 0.015 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
