公开(公告)号：CN104900786A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510094091.4

申请日：2015-03-03

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 入江正树

IPC: H01L33/50

CPC classification number: B32B18/00 ,  C04B35/115 ,  C04B35/117 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/764 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/783 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/704 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/505 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502

Abstract: 本发明提供一种可抑制经波长转换的出射光的颜色不均匀，并且具有优异的发光效率，可抑制机械强度的降低的波长转换煅烧体。波长转换煅烧体1是一个主面为光的入射面2且与所述入射面2相反侧的主面为光的出射面3的板状体，所述板状体由以下煅烧体构成，所述煅烧体是由含有活化剂的荧光性材料粒子和透光性材料粒子构成的气孔率为0.1%以下的煅烧体，所述入射面和所述出射面为所述荧光性材料粒子和透光性材料粒子未经加工而露出的煅烧面，并如下构成：4mm测定长度下的10点平均中心线表面粗糙度Ra为0.1μm以上且0.5μm以下，在所述表面露出的荧光性材料粒子的1μm测定长度下的20点平均中心线表面粗糙度Ra1为0.2nm以上且0.5nm以下，且在所述表面露出的透光性材料粒子的1μm测定长度下的20点平均中心线表面粗糙度Ra2为0.3nm以上且0.7nm以下。

公开(公告)号：CN102140676B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201110037106.5

申请日：2011-01-31

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 吉光大志 ,  外谷荣一 ,  大川雅行 ,  森隆员 ,  津岛荣树

IPC: C30B15/10 ,  C04B35/83

Abstract: 本发明提供碳纤维补强碳复合材料坩埚，其是在制造半导体材料或太阳电池材料等的单晶或多晶的装置中用于支撑、保持收纳溶融材料的坩埚而使用的碳纤维补强碳复合材料坩埚，在其底部弯曲部去除了褶皱或搭接的段差部分，耐久性提高。碳纤维补强碳复合材料坩埚1具有在周边部具弯曲部的底部3和从上述底部弯曲部延伸至上方的直腹部2，上述底部3和直腹部2通过贴合多块交替编织碳纤维的经纱和纬纱得到的碳纤维织布11、12、13(10)而形成，同时位于上述底部弯曲部的碳纤维织布的经纱和纬纱的轴线相对于坩埚圆周方向呈倾斜方向形成。

公开(公告)号：CN101638807B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200910157497.7

申请日：2009-07-30

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 矶贝宏道 ,  仙田刚士 ,  丰田英二 ,  村山久美子 ,  泉妻宏治 ,  前田进 ,  鹿岛一日児 ,  荒木浩司 ,  青木竜彦 ,  须藤治生 ,  望月阳一郎 ,  小林昭彦 ,  符森林

IPC: C30B33/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供一种硅晶片、硅晶片的制造方法及硅晶片的热处理方法，其对于根据利用切克劳斯基法培养的单晶硅块制造的硅晶片，在氧气分压为20％以上且100％以下的氧化性气体气氛中，以1300℃以上且1380℃以下的最高到达温度(T1)，进行快速加热和快速冷却热处理。本发明的硅晶片在硅晶片(10)的至少包含器件活性区域的无缺陷区域(DZ层)(12)内具有固溶氧浓度为0.7×1018原子/cm3以上的高氧浓度区域，且在无缺陷区域(12)内以过饱和状态含有晶格间硅(14)。

公开(公告)号：CN101638806B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200910157496.2

申请日：2009-07-30

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 矶贝宏道 ,  仙田刚士 ,  丰田英二 ,  村山久美子 ,  泉妻宏治 ,  前田进 ,  鹿岛一日児

IPC: C30B33/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  C30B33/02 ,  H01L21/3225

Abstract: 在硅晶片的制造方法中，在硅晶片上执行第一热处理工序，同时引入具有0.01vol.％或以上且1.00vol.％或以下量的氧气和稀有气体的第一气体，以及执行第二热处理工序，同时停止引入第一气体，并且替换地引入具有20vol.％或以上且100vol.％或以下量的氧气和稀有气体的第二气体。在第一热处理工序中，以第一加热速率，将该硅晶片迅速地加热到1300℃或以上且硅熔点或以下的第一温度，并保持在第一温度。在第二热处理工序中，该硅晶片保持第一温度，并以第一冷却速率，迅速地从第一温度冷却。

公开(公告)号：CN101151522B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200680010451.7

申请日：2006-03-27

Applicant: 芝浦机械电子株式会社 ,  科发伦材料株式会社

Inventor： 高野英明 ,  清水美雪 ,  仙田刚士 ,  泉妻宏治 ,  林义典 ,  浜谷和彦

IPC: G01N21/956 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01N21/8806 ,  G01N21/8851 ,  G01N21/9501 ,  G01N2021/8822 ,  H01L21/67288 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 变形硅晶片的表面检查方法和检查装置，构成为具备摄影步骤，在从光源装置(50)向旋转的变形硅晶片(10)表面照射光的环境下，相对变形硅晶片(10)的表面以规定的位置关系设置的摄像装置(30)，以可对变形硅晶片(10)中呈现的亮线进行摄影的摄像条件，在多个旋转角度位置的每个位置对变形硅晶片(10)表面进行摄影；和合成图像生成步骤，根据摄像装置(10)得到的多个旋转角度位置下的变形硅晶片(10)的表面图像，生成规定旋转角度位置下的合成图像。

公开(公告)号：CN101576346A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200910137671.1

申请日：2009-05-07

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 大桥忠 ,  梅本净二郎 ,  一木豪

IPC: F27B14/10 ,  C30B15/10 ,  C04B41/87

Abstract: 本发明涉及用于熔化硅的坩埚和该坩埚使用的脱模剂。根据本发明的用于熔化硅的坩埚是包括坩埚主体和至少在该坩埚主体的内表面上形成的保护膜的用于熔化硅的坩埚，该坩埚主体包括耐热部件，其中该保护膜具有SiOxNy的组分，其中X＞0且Y＞0。根据本发明的用于熔化硅的坩埚对于硅块具有优异的释放能力，减小硅熔料中溶入的杂质量，并且可以以低成本制造。此外，本发明提供一种在用于熔化硅的坩埚的制造中使用的脱模剂。

公开(公告)号：CN101517706A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780035927.7

申请日：2007-08-22

Applicant: 科发伦材料株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 柴田和生 ,  川崎裕雄

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02 ,  H05B3/14 ,  H05B3/28 ,  H05B3/74 ,  H05B3/86

CPC classification number: H05B3/145 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67103

Abstract: 本发明提供了面状加热器及具有此面状加热器的半导体热处理装置，其中，此面状加热器通过包括抑制高频感应的接地电极来抑制高频感应发热，并且此面状加热器不受被激励的反应气体的侵蚀。面状加热器1的特征为，其具有在二氧化硅玻璃板状体2内部配置并密封为平面状的碳线发热体CW、以及在此碳线发热体CW的上方的二氧化硅玻璃板状体2内部配置并密封为平面状的接地电极3。

公开(公告)号：CN100381390C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200410070358.8

申请日：2004-07-29

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 小林庆朗 ,  市岛雅彦 ,  横山优

IPC: C04B35/00 ,  C04B35/50 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23F4/00 ,  B01J19/02

CPC classification number: C23C30/00 ,  C23C4/04 ,  C23C4/11

Abstract: 一种耐等离子体构件，它具有一种基底材料和一层Y2O3制成的涂层，所述涂层在上述基底材料的一个表面上形成。该涂层具有一厚度为10μm或大于10μm，并且涂层的Y2O3含有在100ppm-1000ppm范围内的固溶体Si。

公开(公告)号：CN102460658A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080025868.7

申请日：2010-05-28

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 仙田刚士 ,  矶贝宏道 ,  丰田英二 ,  荒木浩司 ,  青木龙彦 ,  须藤治生 ,  泉妻宏治 ,  前田进 ,  鹿岛一日儿 ,  齐藤广幸

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L21/3225 ,  Y10S438/928

Abstract: 本发明提供抑制存在于晶片主体部的空洞缺陷成为设备加工中的污染源或滑移的产生源的硅晶片，及可在进行RTP时于形成设备活性区域的晶片表面附近降低COP等结晶缺陷的硅晶片的热处理方法。通过在对采用CZ法制备的硅晶片进行RTP时，使供给第1空间20a内和第2空间20b内的气体和空间内的内压、最高到达温度T1等达到所规定值的硅晶片的热处理方法，提供如下硅晶片：晶片表面部1为不存在空洞缺陷的无缺陷区域，比晶片表面部1更深的晶片主体部2由以八面体为基本形状的多面体构成，上述多面体的角部为曲面状，且存在内壁氧化膜被除去的空洞缺陷4。

公开(公告)号：CN101390444B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200780006156.9

申请日：2007-02-07

Applicant: 科发伦材料株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 柴田和生 ,  川崎裕雄 ,  岩田辉夫 ,  网仓学

IPC: H05B3/86 ,  H05B3/14 ,  H05B3/74

CPC classification number: H05B3/145 ,  H01L21/67103 ,  H05B3/143 ,  H05B3/283 ,  H05B2203/002 ,  H05B2203/003 ,  H05B2203/014 ,  H05B2203/016 ,  H05B2203/037

Abstract: 本发明提供一种具备能够形成大致均匀的加热温度的碳线发热体的面状加热器。该碳线发热体(CW)的面内配置密度在内侧区域与外侧区域相异。具有向发热体(CW)通电的连接线的电源端子部配置在石英玻璃板状体的背面侧的中央部。内侧的碳线发热体的连接线在石英玻璃板状体的中央部被连接，外侧的碳线发热体的连接线(3a、3b)和内侧的碳线发热体(CW)不交叉，从石英玻璃板状体的中央部延伸设置至外侧区域，并与外侧的碳线发热体(CW)连接。