公开(公告)号：CN100407381C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200610008940.0

申请日：2006-01-28

Applicant: 科发伦材料株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 森谷正孝 ,  鹿岛一日儿 ,  宫野真一

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/00 ,  C23F1/00 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明提供一种硅构件及其制造方法，该硅构件在半导体制造工序、特别是等离子体处理工序中，可以抑制构件自身的电阻率变动，由此，可以实现晶片处理的均匀化，并且对被处理晶片等不构成杂质污染源。经由以下工序制造电阻率大于等于0.1Ω·cm、小于等于100Ω·cm的硅构件：制造被掺杂了13族原子、固有电阻率大于等于1Ω·cm、小于等于100Ω·cm的P型单晶硅的工序；以及通过将所述P型单晶硅在大于等于300℃、小于等于500℃的温度下进行退火处理，形成氧施主，从而进行P/N反转的工序。

公开(公告)号：CN1819119A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610008940.0

申请日：2006-01-28

Applicant: 东芝陶瓷株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 森谷正孝 ,  鹿岛一日儿 ,  宫野真一

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/00 ,  C23F1/00 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明提供一种硅构件及其制造方法，该硅构件在半导体制造工序、特别是等离子体处理工序中，可以抑制构件自身的电阻率变动，由此，可以实现晶片处理的均匀化，并且对被处理晶片等不构成杂质污染源。经由以下工序制造电阻率大于等于0.1Ω·cm、小于等于100Ω·cm的硅构件：制造被掺杂了13族原子、固有电阻率大于等于1Ω·cm、小于等于100Ω·cm的P型单晶硅的工序；以及通过将所述P型单晶硅在大于等于300℃、小于等于500℃的温度下进行退火处理，形成氧施主，从而进行P/N反转的工序。