公开(公告)号：CN101333113A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810109699.X

申请日：2008-06-27

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 冈田裕 ,  大屋锁登志

IPC: C04B35/565 ,  C04B41/89 ,  C23C4/00 ,  C04B35/64 ,  F27D3/12

Abstract: 本发明涉及多层陶瓷电容器烧制用材料、其制造方法和再生方法。所述制造方法包括以下工序：在SiC粉末原料中添加烧结后残碳率小于5.0重量％的量的有机粘合剂进行混合；加入水，进行混炼、成型；在1500℃～2400℃烧结；在氧浓度为2％以上的氧气氛下，于1350℃～1650℃烧制1小时～6小时；通过喷镀法在所形成的SiO2层表面形成由ZrO2或Al2O3构成的覆盖层。所述材料在SiC基材表面形成了SiO2层，表观气孔率为15％以上，表观比重为3.05～3.20，SiC含量为90重量％以上，并且，所述SiO2层表面形成有由ZrO2或Al2O3构成的覆盖层。

公开(公告)号：CN101333113B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200810109699.X

申请日：2008-06-27

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 冈田裕 ,  大屋锁登志

IPC: C04B35/565 ,  C04B41/89 ,  C23C4/00 ,  C04B35/64 ,  F27D3/12

Abstract: 本发明涉及多层陶瓷电容器烧制用材料、其制造方法和再生方法。所述制造方法包括以下工序：在SiC粉末原料中添加烧结后残碳率小于5.0重量％的量的有机粘合剂进行混合；加入水，进行混炼、成型；在1500℃～2400℃烧结；在氧浓度为2％以上的氧气氛下，于1350℃～1650℃烧制1小时～6小时；通过喷镀法在所形成的SiO2层表面形成由ZrO2或Al2O3构成的覆盖层。所述材料在SiC基材表面形成了SiO2层，表观气孔率为15％以上，表观比重为3.05～3.20，SiC含量为90重量％以上，并且，所述SiO2层表面形成有由ZrO2或Al2O3构成的覆盖层。