公开(公告)号：CN100396647C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200610115778.2

申请日：2006-08-16

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 永坂幸行 ,  森田敬司 ,  渡边敬祐

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种氧化钇烧结体及其制造方法，该氧化钇烧结体对于卤素类腐蚀性气体和等离子体具有优异的耐腐蚀性并具有优异的耐热冲击性，并且适合于用作半导体和液晶器件的制造设备中、特别是等离子体处理设备中的构成部件。该氧化钇烧结体包含分散在氧化钇中的平均粒径小于或等于3微米的钨，由此使得钨的比例相对于所述氧化钇以重量计为1%～50%，并且具有小于或等于0.2%的开孔率和大于或等于200摄氏度的水浸法的耐热冲击性。

公开(公告)号：CN101521144A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910004649.X

申请日：2009-03-02

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 村田征隆 ,  渡边敬祐

IPC: H01L21/00 ,  C04B35/50 ,  C04B35/505 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/00

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置所使用的烧结体以及构件。所述等离子体处理装置所使用的烧结体以及构件以氧化铈为主成分，对于卤素系气体或其等离子体等的耐腐蚀性优异，可实现低电阻化，并且在卤素等离子体工艺中，也可抑制该陶瓷的构成原料引起的杂质金属污染，可代替氧化钇适用于半导体·液晶制造用等的等离子体处理装置的构成构件。使用至少暴露于等离子体的部分被在纯度99％以上的氧化铈100重量份中添加有3重量份以上100重量份以下的纯度99％以上的氧化钇的烧结体、或者被同样组成的喷射膜包覆的构件，另外使用在在纯度99％以上的氧化铈中，添加有占整个组成中1～50mol％的纯度99％以上的氧化钇或纯度99％以上的氧化镧，至少暴露于等离子体的部分的表面粗糙度Ra小于1.6μm的烧结体。

公开(公告)号：CN101671171A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910174366.X

申请日：2009-09-11

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 渡边敬祐 ,  村田征隆 ,  松本慎太郎

IPC: C04B35/505

CPC classification number: C04B35/505 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80

Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置用陶瓷。本发明提供对于卤类腐蚀性气体、等离子体等的耐腐蚀性优异，实现低电阻化，且即使在卤等离子体工序中也可以抑制该陶瓷的构成原料引起的杂质金属污染，可以适合用于半导体、液晶制造用的等离子体处理装置的构成部件中的等离子体处理装置用陶瓷。使用向氧化钇中添加相对于氧化钇为3重量％～30重量％的二氧化铈、相对于氧化钇为3重量％～50重量％的五氧化铌，并在还原氛围气体中烧结而成的开孔率为1.0％以下的陶瓷。