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公开(公告)号：CN101151522A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010451.7
申请日：2006-03-27
Applicant: 芝浦机械电子株式会社 , 科发伦材料株式会社
IPC: G01N21/956 , H01L21/66
CPC classification number: H01L22/12 , G01N21/8806 , G01N21/8851 , G01N21/9501 , G01N2021/8822 , H01L21/67288 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 变形硅晶片的表面检查方法和检查装置，构成为具备摄影步骤，在从光源装置(50)向旋转的变形硅晶片(10)表面照射光的环境下，相对变形硅晶片(10)的表面以规定的位置关系设置的摄像装置(30)，以可对变形硅晶片(10)中呈现的亮线进行摄影的摄像条件，在多个旋转角度位置的每个位置对变形硅晶片(10)表面进行摄影；和合成图像生成步骤，根据摄像装置(10)得到的多个旋转角度位置下的变形硅晶片(10)的表面图像，生成规定旋转角度位置下的合成图像。
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公开(公告)号：CN101151522B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200680010451.7
申请日：2006-03-27
Applicant: 芝浦机械电子株式会社 , 科发伦材料株式会社
IPC: G01N21/956 , H01L21/66
CPC classification number: H01L22/12 , G01N21/8806 , G01N21/8851 , G01N21/9501 , G01N2021/8822 , H01L21/67288 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 变形硅晶片的表面检查方法和检查装置，构成为具备摄影步骤，在从光源装置(50)向旋转的变形硅晶片(10)表面照射光的环境下，相对变形硅晶片(10)的表面以规定的位置关系设置的摄像装置(30)，以可对变形硅晶片(10)中呈现的亮线进行摄影的摄像条件，在多个旋转角度位置的每个位置对变形硅晶片(10)表面进行摄影；和合成图像生成步骤，根据摄像装置(10)得到的多个旋转角度位置下的变形硅晶片(10)的表面图像，生成规定旋转角度位置下的合成图像。
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公开(公告)号：CN102473614A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080033825.3
申请日：2010-05-17
Applicant: 科发伦材料株式会社
IPC: H01L21/26 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/3225
Abstract: 本发明提供硅晶片的热处理方法，该方法能够在抑制RTP时的滑移发生的同时，使原生微缺陷的降低能力提高，并且，在RTP之后，能够改善所得到的硅晶片的表面粗糙度。对硅晶片，在惰性气体气氛中，以第1升温速度急速升温至1300℃以上硅的融点以下的第1温度T1为止，在保持第1温度T1之后，以第1降温速度急速降温至400℃以上800℃以下的第2温度T2为止，接着，从惰性气体气氛转换为含有20vol.％以上100vol.％以下的氧气的含氧气氛之后，以第2升温速度从第2温度T2急速升温至1250℃以上硅的融点以下的第3温度T3为止，于第3温度T3保持之后，以第2降温速度从第3温度T3急速降温。
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公开(公告)号：CN101638806A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910157496.2
申请日：2009-07-30
Applicant: 科发伦材料株式会社
IPC: C30B33/02 , H01L21/02 , H01L21/322 , H01L21/324 , C30B29/06
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/00 , C30B33/02 , H01L21/3225
Abstract: 在硅晶片的制造方法中，在硅晶片上执行第一热处理工序，同时引入具有0.01vol.％或以上且1.00vol.％或以下量的氧气和稀有气体的第一气体，以及执行第二热处理工序，同时停止引入第一气体，并且替换地引入具有20vol.％或以上且100vol.％或以下量的氧气和稀有气体的第二气体。在第一热处理工序中，以第一加热速率，将该硅晶片迅速地加热到1300℃或以上且硅熔点或以下的第一温度，并保持在第一温度。在第二热处理工序中，该硅晶片保持第一温度，并以第一冷却速率，迅速地从第一温度冷却。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102460658A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080025868.7
申请日：2010-05-28
Applicant: 科发伦材料株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L21/26
CPC classification number: H01L21/3225 , Y10S438/928
Abstract: 本发明提供抑制存在于晶片主体部的空洞缺陷成为设备加工中的污染源或滑移的产生源的硅晶片，及可在进行RTP时于形成设备活性区域的晶片表面附近降低COP等结晶缺陷的硅晶片的热处理方法。通过在对采用CZ法制备的硅晶片进行RTP时，使供给第1空间20a内和第2空间20b内的气体和空间内的内压、最高到达温度T1等达到所规定值的硅晶片的热处理方法，提供如下硅晶片：晶片表面部1为不存在空洞缺陷的无缺陷区域，比晶片表面部1更深的晶片主体部2由以八面体为基本形状的多面体构成，上述多面体的角部为曲面状，且存在内壁氧化膜被除去的空洞缺陷4。
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公开(公告)号：CN101792927A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010106318.X
申请日：2010-01-28
Applicant: 科发伦材料株式会社
IPC: C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/324
CPC classification number: C30B33/02 , C30B29/06 , C30B33/005 , H01L21/3225 , H01L21/324 , H01L21/67109
Abstract: 在热处理通过分割由直拉生长法制造的硅单晶锭而获得的晶片的方法中，在具有1.0％或以上且20％或以下的氧分压和氩气的含氧混合气体气氛中，通过在1200℃或以上且硅熔点或以下的极限温度下，设置保持时间为等于或长于一秒且等于或短于60秒，来进行快速加热/冷却热处理，并且由此在硅晶片表面上形成具有9.1nm或以下、或者24.3nm或以上厚度的氧化物膜。
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公开(公告)号：CN101638807A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910157497.7
申请日：2009-07-30
Applicant: 科发伦材料株式会社
IPC: C30B33/02 , H01L21/02 , H01L21/322 , H01L21/324 , C30B29/06
Abstract: 本发明提供一种硅晶片、硅晶片的制造方法及硅晶片的热处理方法，其对于根据利用切克劳斯基法培养的单晶硅块制造的硅晶片，在氧气分压为20％以上且100％以下的氧化性气体气氛中，以1300℃以上且1380℃以下的最高到达温度(T 1 )，进行快速加热和快速冷却热处理。本发明的硅晶片在硅晶片(10)的至少包含器件活性区域的无缺陷区域(DZ层)(12)内具有固溶氧浓度为0.7×10 18 原子/cm 3 以上的高氧浓度区域，且在无缺陷区域(12)内以过饱和状态含有晶格间硅(14)。
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公开(公告)号：CN101638807B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200910157497.7
申请日：2009-07-30
Applicant: 科发伦材料株式会社
IPC: C30B33/02 , H01L21/02 , H01L21/322 , H01L21/324 , C30B29/06
Abstract: 本发明提供一种硅晶片、硅晶片的制造方法及硅晶片的热处理方法，其对于根据利用切克劳斯基法培养的单晶硅块制造的硅晶片，在氧气分压为20％以上且100％以下的氧化性气体气氛中，以1300℃以上且1380℃以下的最高到达温度(T1)，进行快速加热和快速冷却热处理。本发明的硅晶片在硅晶片(10)的至少包含器件活性区域的无缺陷区域(DZ层)(12)内具有固溶氧浓度为0.7×1018原子/cm3以上的高氧浓度区域，且在无缺陷区域(12)内以过饱和状态含有晶格间硅(14)。
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公开(公告)号：CN101638806B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910157496.2
申请日：2009-07-30
Applicant: 科发伦材料株式会社
IPC: C30B33/02 , H01L21/02 , H01L21/322 , H01L21/324 , C30B29/06
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/00 , C30B33/02 , H01L21/3225
Abstract: 在硅晶片的制造方法中，在硅晶片上执行第一热处理工序，同时引入具有0.01vol.％或以上且1.00vol.％或以下量的氧气和稀有气体的第一气体，以及执行第二热处理工序，同时停止引入第一气体，并且替换地引入具有20vol.％或以上且100vol.％或以下量的氧气和稀有气体的第二气体。在第一热处理工序中，以第一加热速率，将该硅晶片迅速地加热到1300℃或以上且硅熔点或以下的第一温度，并保持在第一温度。在第二热处理工序中，该硅晶片保持第一温度，并以第一冷却速率，迅速地从第一温度冷却。
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