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公开(公告)号：CN1249272C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN01108316.6
申请日：2001-02-27
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社
Abstract: 将单晶提拉装置中的热区模型化成网格结构；将各元件的物理性质数值输入到计算机中；根据加热器的发热量和各元件的热发射率获得各元件的表面温度分布；根据各元件的表面温度分布和热导率获得内部温度分布，从而获得考虑了对流的熔液内部温度分布；根据包括单晶三相点的等温线获得单晶与熔液之间的固液界面的形状；重复第三到第五步骤直到三相点成为单晶的熔点。单晶与熔液之间的固液界面形状的计算结果与实际测量结果彼此吻合得非常好。
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公开(公告)号：CN1748292A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200380107825.3
申请日：2003-12-25
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社 , 学校法人汉阳学院
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02
Abstract: 一种化学机械研磨用浆料组合物，究明了研磨除去速度对于添加剂浓度和研磨剂大小的依赖关系，公开了可以任意地控制氧化物层对氮化物层的除去速度选择比的浆料组合物的选择比控制方法。本发明的选择比控制方法，是相对于氮化物层选择性地研磨除去氧化物层的化学机械研磨用浆料组合物的选择比控制方法，包括：上述浆料组合物含有氧化铯研磨粒子、分散剂及阴离子性添加剂，一边变化上述浆料组合物中的上述阴离子添加剂的浓度，一边确认上述氧化物层对于氮化物层的研磨速度的选择比步骤；和以上述确认了的研磨速度的选择比为基准，通过添加上述阴离子添加剂的浓度使得上述浆料组合物具有希望的选择比，来控制上述浆料组合物的选择比步骤。
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公开(公告)号：CN1215205C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN99811516.9
申请日：1999-09-29
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社
IPC: C30B33/02 , H01L21/324
CPC classification number: C30B29/06 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B29/48 , C30B33/00 , C30B33/02 , H01L21/3225 , H01L21/3228 , H01L21/324 , H01L21/3245
Abstract: 在使单晶体(11)稳定的气氛中，在0.2～304Mpa的压力和以绝对温度表示的单晶体(11)熔点的0.85倍以上的温度下，对单晶体(11)进行热等静压处理5分钟～20小时，然后对单晶体(11)进行缓冷。对单晶体(11)稳定的气氛优选为不活泼气体或者包含高蒸气压元素的蒸气的气体，且HIP处理优选在10～200MPa的压力下进行。单晶体(11)可以为硅单晶、GaAs单晶、InP单晶、ZnS单晶或ZnSe单晶铸锭，或者从铸锭上切取的晶块或晶片。由此，不管单晶体(11)的尺寸有多大，都可以去除或者分散位于单晶体(11)表面以及内部的诸如空位型内生缺陷的晶格缺陷。
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公开(公告)号：CN1639869A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03804904.X
申请日：2003-05-02
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社
IPC: H01L27/12
CPC classification number: B24B37/30 , H01L21/76251
Abstract: 一种通过在表面磨削后进行除去活性层的外周部的粘合不良部分的粘合基片、其制造方法、晶片外周加压夹具类。在表面磨削后，对粘合晶片(30)的活性层用晶片(10)一侧实施除去外周部而留下中央部的外周除去研磨。从而省去以前的外周磨削、外周腐蚀。并且，能够消除因外周腐蚀而导致的晶片(20)的外周面的腐蚀麻点、因氧化硅薄膜(10a)的切削余留而导致的SOI层(10A)的污染及损伤，能谋求高成品率、低成本。
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公开(公告)号：CN1188251C
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN01810403.7
申请日：2001-05-31
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/08 , B24B37/042 , B24B37/16
Abstract: 在使用双面抛光装置进行半导体晶片的抛光时，使上平板(12)方作用于晶片(W)正面的摩擦力与下平板(13)方作用于晶片反面的摩擦力产生较大差异，从而使得晶片(W)在晶片保持孔(11a)内以0.1～1.0rpm的速度回旋。而且，此时，在晶片(W)的周边部分的局部外露于分别安装在上平板(12)和下平板(13)上的抛光布(14、15)之外3～15mm的状态下进行抛光，使得晶片的周边部分与中心部分相比，相对于上述各抛光布(14、15)其单位时间内的接触面积减小。因此，晶片周边部分的抛光塌边得到抑制，晶片W的平面度得以提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1526158A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN02809679.7
申请日：2002-12-23
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社
CPC classification number: C23C16/45589 , C23C16/4584 , C30B25/12 , C30B29/06 , H01L21/68735 , H01L21/68742
Abstract: 一种用于外延生长设备和方法中的基座，其中，多个圆形通孔被制作在凹坑底部壁中向着圆形底部壁的中心达大约1/2半径距离的外围区域中。这些通孔的总开口表面积为底部壁表面积的0.05－55％。提供在这一外围区域处的各个通孔的开口表面积为0.2－3.2平方毫米，且通孔的密度为每平方厘米0.25－25个。在半导体晶片被安装在凹坑中之后，在使源气体和载气(亦即反应气体)在基座的上表面侧流动，并使载气在下表面侧流动的情况下，进行外延生长。
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公开(公告)号：CN1441713A
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN01810403.7
申请日：2001-05-31
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/08 , B24B37/042 , B24B37/16
Abstract: 在使用双面抛光装置进行半导体晶片的抛光时，使上平板(12)方作用于晶片(W)正面的摩擦力与下平板(13)方作用于晶片反面的摩擦力产生较大差异，从而使得晶片(W)在晶片保持孔(11a)内以0.1～1.0rpm的速度回旋。而且，此时，在晶片(W)的周边部分的局部外露于分别安装在上平板(12)和下平板(13)上的抛光布(14、15)之外3～15mm的状态下进行抛光，使得晶片的周边部分与中心部分相比，相对于上述各抛光布(14、15)其单位时间内的接触面积减小。因此，晶片周边部分的抛光塌边得到抑制，晶片W的平面度得以提高。
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公开(公告)号：CN100419958C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN02809679.7
申请日：2002-12-23
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社
CPC classification number: C23C16/45589 , C23C16/4584 , C30B25/12 , C30B29/06 , H01L21/68735 , H01L21/68742
Abstract: 一种用于外延生长设备和方法中的基座，其中，多个圆形通孔被制作在凹坑底部壁中向着圆形底部壁的中心达大约1/2半径距离的外围区域中。这些通孔的总开口表面积为底部壁表面积的0.05-55%。提供在这一外围区域处的各个通孔的开口表面积为0.2-3.2平方毫米，且通孔的密度为每平方厘米0.25-25个。在半导体晶片被安装在凹坑中之后，在使源气体和载气(亦即反应气体)在基座的上表面侧流动，并使载气在下表面侧流动的情况下，进行外延生长。
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公开(公告)号：CN1309861C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN02149828.8
申请日：1998-07-29
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社 , 三菱综合材料多晶硅股份有限公司
IPC: C23C16/24 , C23C16/448 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/205 , H01L21/365
CPC classification number: C23C16/45561 , B01F3/026 , B01F2013/1091 , C23C16/455 , C30B25/14 , C30B29/06
Abstract: 公开了一种外延生长用气体的供给装置。在气化器19中将液体原料加热至该液体的沸点以上的温度以使其气化，将气化的原料气与载气在混合器43中按预定的浓度混合，将该混合气在其露点以上的温度下加热保温，同时调节该温合气的流量，然后在将该混合气加热保温在其露点以上温度的条件下供入外延生长用反应炉51中。在气化器内将加热介质的温度保持恒定以使液体原料气化，根据气化器内的气压来调节供入气化器内的液体原料的供给量，这样能够将气化器的液位经常地保持恒定。
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公开(公告)号：CN1692482A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100526.7
申请日：2003-12-19
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/2605 , C30B29/06 , C30B33/005 , H01L21/261 , H01L21/3225 , H01L21/76254 , Y10S117/916
Abstract: 在氧化性气氛中对活性层侧硅片实施热处理形成埋入氧化膜。通过该埋入氧化膜贴合在支撑侧晶片上制造SOI晶片。上述氧化热处理在将温度记为T(℃)、将活性层侧硅片的晶格间氧浓度记为[Oi](原子/cm3)时，满足下式：[Oi]≤2.123×1021exp(－1.035/k(T+273))。
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