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公开(公告)号：CN1229528C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN01121891.6
申请日：2001-06-26
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱综合材料多晶硅股份有限公司
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/00 , G01N33/20 , G01N2033/0095
Abstract: 提供实际上不进行单晶的拉制，能够有效地评价原料多晶硅中含有的异物程度的方法。将一定量的多晶硅片1收容在筐2中，然后将筐2浸渍在放入腐蚀液3的腐蚀槽4内。此后，从腐蚀槽4提出，将腐蚀液3取样后，使取样过的液体放置一定时间，在多晶硅的微粒或粉末完全溶解时，使用液中粒子计数器7，测定一定量的液中的粒子数。
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公开(公告)号：CN1392862A
公开(公告)日：2003-01-22
申请号：CN01803007.6
申请日：2001-07-26
Applicant: 三菱综合材料多晶硅股份有限公司
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/035 , C01B33/03 , C01B33/107
Abstract: 将从用氯硅烷和氢气生产多晶硅的炉子中排出的废气冷凝以分离出氢气。将所得冷凝物蒸馏以分离出未反应的氯硅烷和副产物四氯化硅，然后进一步蒸馏以回收六氯乙硅烷。四氯乙硅烷可以与六氯乙硅烷一起回收。回收的六氯乙硅烷和四氯乙硅烷的纯度比用金属硅生产的常规产品的纯度高得多。
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公开(公告)号：CN1330173A
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：CN01121891.6
申请日：2001-06-26
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱综合材料多晶硅股份有限公司
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/00 , G01N33/20 , G01N2033/0095
Abstract: 提供实际上不进行单晶的拉制,能够有效地评价原料多晶硅中含有的异物程度的方法。将一定量的多晶硅片1收容在筐2中,然后将筐2浸渍在放入腐蚀液3的腐蚀槽4内。此后,从腐蚀槽4提出,将腐蚀液3取样后,使取样过的液体放置一定时间,在多晶硅的微粒或粉末完全溶解时,使用液中粒子计数器7,测定一定量的液中的粒子数。
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公开(公告)号：CN1309861C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN02149828.8
申请日：1998-07-29
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社 , 三菱综合材料多晶硅股份有限公司
IPC: C23C16/24 , C23C16/448 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/205 , H01L21/365
CPC classification number: C23C16/45561 , B01F3/026 , B01F2013/1091 , C23C16/455 , C30B25/14 , C30B29/06
Abstract: 公开了一种外延生长用气体的供给装置。在气化器19中将液体原料加热至该液体的沸点以上的温度以使其气化，将气化的原料气与载气在混合器43中按预定的浓度混合，将该混合气在其露点以上的温度下加热保温，同时调节该温合气的流量，然后在将该混合气加热保温在其露点以上温度的条件下供入外延生长用反应炉51中。在气化器内将加热介质的温度保持恒定以使液体原料气化，根据气化器内的气压来调节供入气化器内的液体原料的供给量，这样能够将气化器的液位经常地保持恒定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1508283A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN02149828.8
申请日：1998-07-29
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社 , 三菱综合材料多晶硅股份有限公司
IPC: C23C16/24 , C23C16/448 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/205 , H01L21/365
CPC classification number: C23C16/45561 , B01F3/026 , B01F2013/1091 , C23C16/455 , C30B25/14 , C30B29/06
Abstract: 公开了一种外延生长用气体的供给装置。在气化器19中将液体原料加热至该液体的沸点以上的温度以使其气化，将气化的原料气与载气在混合器43中按预定的浓度混合，将该混合气在其露点以上的温度下加热保温，同时调节该温合气的流量，然后在将该混合气加热保温在其露点以上温度的条件下供入外延生长用反应炉51中。在气化器内将加热介质的温度保持恒定以使液体原料气化，根据气化器内的气压来调节供入气化器内的液体原料的供给量，这样能够将气化器的液位经常地保持恒定。
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公开(公告)号：CN1224773A
公开(公告)日：1999-08-04
申请号：CN98116646.6
申请日：1998-07-29
Applicant: 三菱硅材料株式会社 , 三菱综合材料多晶硅股份有限公司
CPC classification number: C23C16/45561 , B01F3/026 , B01F2013/1091 , C23C16/455 , C30B25/14 , C30B29/06
Abstract: 外延生长用气体的供给方法及其装置。在气化器19中将液体原料加热至该液体的沸点以上的温度以使其气化,将气化的原料气与载气在混合器43中按预定的浓度混合,将该温合气在其露点以上的温度下加热保温,同时调节该混合气的流量,然后在将该混合气加热保温在其露点以上温度的条件下供入外延生长用反应炉51中。在气化器内将加热介质的温度保持恒定以使液体原料气化,根据气化器内的气压来调节供入气化器内的液体原料的供给量,这样能够将气化器的液位经常地保持恒定。
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公开(公告)号：CN1113977C
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN98116646.6
申请日：1998-07-29
Applicant: 三菱硅材料株式会社 , 三菱综合材料多晶硅股份有限公司
CPC classification number: C23C16/45561 , B01F3/026 , B01F2013/1091 , C23C16/455 , C30B25/14 , C30B29/06
Abstract: 外延生长用气体的供给方法及其装置。在气化器19中将液体原料加热至该液体的沸点以上的温度以使其气化，将气化的原料气与载气在混合器43中按预定的浓度混合，将该混合气在其露点以上的温度下加热保温，同时调节该温合气的流量，然后在将该混合气加热保温在其露点以上温度的条件下供入外延生长用反应炉51中。在气化器内将加热介质的温度保持恒定以使液体原料气化，根据气化器内的气压来调节供入气化器内的液体原料的供给量，这样能够将气化器的液位经常地保持恒定。
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公开(公告)号：CN1193932C
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN01803007.6
申请日：2001-07-26
Applicant: 三菱综合材料多晶硅股份有限公司
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/035 , C01B33/03 , C01B33/107
Abstract: 将从用氯硅烷和氢气生产多晶硅的炉子中排出的废气冷凝以分离出氢气。将所得冷凝物蒸馏以分离出未反应的氯硅烷和副产物四氯化硅，然后进一步蒸馏以回收六氯乙硅烷。四氯乙硅烷可以与六氯乙硅烷一起回收。回收的六氯乙硅烷和四氯乙硅烷的纯度比用金属硅生产的常规产品的纯度高得多。
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公开(公告)号：CN1433488A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN01810701.X
申请日：2001-06-01
Applicant: 三菱综合材料多晶硅股份有限公司
CPC classification number: C30B29/06 , C30B13/00 , C30B15/02 , Y10S117/90 , Y10S117/911 , Y10T117/1032 , Y10T117/1072 , Y10T428/2973
Abstract: 本发明涉及具有连接结构的多晶硅棒及其加工方法。更详细地说，涉及具有可以将多个多晶硅棒以端部对端部的方式相互稳定且容易地悬吊起来的连接结构的多晶硅棒，进而涉及可以不进行退火处理地稳定地实施切槽加工等的加工方法。本发明的硅棒可以大幅度提高多晶硅的熔融效率。并且，通过去除多晶硅棒的外周部分或外周部分的一部分而在留下的中央部分上进行加工，可以不需要进行退火处理。
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