公开(公告)号：CN100397595C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200380100526.7

申请日：2003-12-19

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社

Inventor： 梅野繁 ,  宝来正隆 ,  佐野正和 ,  三木新一郎

IPC: H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/2605 ,  C30B29/06 ,  C30B33/005 ,  H01L21/261 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/76254 ,  Y10S117/916

Abstract: 在氧化性气氛中对活性层侧硅片实施热处理形成埋入氧化膜。通过该埋入氧化膜贴合在支撑侧晶片上制造SOI晶片。上述氧化热处理在将温度记为T(℃)、将活性层侧硅片的晶格间氧浓度记为[Oi](原子/cm3)时，满足下式：[0i]≤2.123×1021exp(-1.035/k(T+273))。

公开(公告)号：CN1692482A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200380100526.7

申请日：2003-12-19

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社

Inventor： 梅野繁 ,  宝来正隆 ,  佐野正和 ,  三木新一郎

IPC: H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/2605 ,  C30B29/06 ,  C30B33/005 ,  H01L21/261 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/76254 ,  Y10S117/916

Abstract: 在氧化性气氛中对活性层侧硅片实施热处理形成埋入氧化膜。通过该埋入氧化膜贴合在支撑侧晶片上制造SOI晶片。上述氧化热处理在将温度记为T(℃)、将活性层侧硅片的晶格间氧浓度记为[Oi](原子/cm3)时，满足下式：[Oi]≤2.123×1021exp(－1.035/k(T+273))。