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公开(公告)号：CN111092335A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911268049.4
申请日：2019-12-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01R13/514 , H01R33/00 , H01R12/71 , G01R1/04
Abstract: 本申请涉及一种电子元件连接器、电路板及电子设备，该电子元件连接器包括：多个基座，所述基座包括本体、所述本体内的插孔及装配于所述插孔内的插针，所述插针用于与电子元件引脚连接；以及，连接件，所述基座之间通过所述连接件活动连接。该技术方案可以根据电子元件引脚位置调节各个基座之间的位置关系，无需对每个电子元件单独制造电子元件连接器，或对现有电子元件连接器进行剪裁，降低制作电子元件连接器的时间成本、人力成本以及硬件成本，加快电子元件测试进度。另外，由于基座之间存在连接，在人为焊接简单且不易松动，电气连接性较好。
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公开(公告)号：CN111090058A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911157274.0
申请日：2019-11-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明提出了一种框架、其制备方法以及高温反相偏压试验，其中，所述框架用于高温反相偏压试验，所述框架包括：相互叠放的多层框架单元，所述框架单元包括多个用于放置待测对象的槽体，相邻两个槽体由挡板隔开。本发明的框架能够对任何一种芯片与各种塑封料匹配情况可以同步验证，并且可以同时验证多种芯片漏电情况，通过不同组合来验证验证长期漏电增长问题，对研发有指导性方向，研发周期缩短，同时大大降低成本。
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公开(公告)号：CN111081662A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911398441.0
申请日：2019-12-30
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及电子技术领域，公开一种芯片模块、电子模组及制备方法，一种芯片模块，包括：散热器、芯片和封装体；其中，散热器包括安装底座和散热部，安装底座具有安装面，散热部与安装底座背离安装面的表面连接；芯片固定安装于安装面，芯片远离安装面的表面具有多个电极，每个电极连接有引出部件；封装体包覆芯片和安装底座，其中，散热部延伸至封装体外，每个引出部件延伸至封装体外。上述芯片模块以散热器中安装底座作为芯片的载体，并利用封装体将芯片和安装底座封装为一个整体，芯片与散热器的安装底座之间始终保持良好的热接触，散热较好，且组装至电路板时操作简单快捷。
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公开(公告)号：CN110858574A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201810961402.6
申请日：2018-08-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种超薄芯片的封装结构，用以解决现有技术中存在IGBT芯片会由于底座的热膨胀系数大而发生翘曲，进而导致器件失效的问题。本发明中的超薄芯片的封装结构，在引线框架的芯片座上开设预定形状大小的芯片槽，在芯片槽内装配热膨胀系数小于芯片座的第一垫片，所述芯片焊接在第一垫片之上，且第一垫片与芯片之间电连接。如此，由于第一垫片的人膨胀系数小于引线框架，芯片与第一垫片的封装应力较为匹配，在温度发生变化时，第一垫片发生的翘曲会小于引线框架的翘曲，进而设置在第一垫片上的芯片的翘曲也会变小，故而由于封装应力不匹配而导致芯片内部晶胞损伤，的可能性便小，提高器件封装结构良率及可靠性。
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公开(公告)号：CN110854021A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910944655.7
申请日：2019-09-30
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/331 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种功率半导体加工方法，其中功率半导体加工方法包括：生长栅氧化层及多晶硅层，并对多晶硅层进行光刻刻蚀；注入及推进形成P－well结；进行N+离子注入及退火形成N+结；然后对所述多晶硅层进行纵向刻蚀，并去除掉两个所述P－well结之间对应的多晶硅层部分，以减小栅极电容区域，两个所述P－well结间距定义为L，两个所述P－well结之间被刻蚀掉多晶硅层的宽度为L1，所述L1≤L，本方案通过对多晶硅层进行刻蚀，去除掉两个所述P－well结之间对应的多晶硅层部分，减小栅极电容的面积，降低栅极电容，提高了产品的整体性能。
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公开(公告)号：CN110784097A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911221560.9
申请日：2019-12-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H02M1/08 , H03K17/567
Abstract: 本公开提供了一种驱动器及智能功率模块，包括输出端，用于输出驱动功率模块的驱动信号；可调电阻，第一端连接所述输出端，第二端连接功率模块的控制端，第三端接收外部输入的调节信号所述可调电阻根据所述调节信号改变阻值进而调节所述功率模块控制端的阻值。上述结构极大的增大了驱动器与功率模块之间的参数匹配，能够控制智能功率模块的开关速率，解决了应用端EMC、开关损耗及模块发热的问题等。
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公开(公告)号：CN110739277A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910860449.8
申请日：2019-09-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明涉及封装结构技术领域，具体涉及一种封装结构及其制造方法，包括：封装组件以及包封于所述封装组件外侧的塑封层，其中，所述塑封层与所述封装组件的接触面间设有树脂层，有效增强封装过程中塑封层与封装组件间的界面结合力，以免出现分层现象，保证产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN110610934A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910877562.7
申请日：2019-09-17
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L23/495 , H01L23/48 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件、其封装结构及其制作方法和封装方法。该功率半导体器件包括元胞区和终端区，元胞区包括多个元胞，各元胞包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极位于衬底的相对的两侧，在垂直于衬底的方向上，第一电极远离衬底的一侧表面与第二电极远离衬底的一侧表面的距离为H1，终端区中与衬底距离最大的一点与第二电极远离衬底的一侧表面的距离为H2，H1大于H2。在采用上述功率半导体器件的封装工艺中，由于器件中的元胞区与终端区之间具有高度差，从而在采用键合部实现发射极和集电极连接时，能够保证键合部与终端区之间具有一定的安全距离，避免了键合部与终端区接触而形成短路，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN110379720A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910625696.X
申请日：2019-07-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/482 , H01L23/49 , H01L25/18 , H01L23/367
Abstract: 本发明涉及一种DCB衬板的制作方法，包括以下步骤：S10：在DCB基底表面的第一金属布线层上开设凹槽；S20：将第二金属布置在所述凹槽内部；S30：将与所述第二金属相同材质的丝线与所述第二金属进行连接。通过该方法制作的IGBT模块，克服了不同材质之间键合所导致的CTE值不匹配等问题，不但使键合更加牢固，还减少了模块在工作过程中产生的微裂纹等问题。
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公开(公告)号：CN110223924A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910636287.X
申请日：2019-07-15
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶圆级封装方法、晶圆级芯片封装单元和晶圆，本发明在对晶圆进行加工前直接在具有切割道的晶圆的表面覆盖树脂使树脂与切割道接触并高温硬化，在后续对晶圆进行加工过程中，晶圆受到其表面固化的树脂的保护，能够防止晶圆在加工过程中易破裂的问题。通过上述方法能够一次完成晶圆表面所有树脂的覆盖并高温硬化，缩短了生产周期和降低成本。
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