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公开(公告)号:CN107429385A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201680000765.2
申请日:2016-02-29
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
IPC: C23C14/50
Abstract: 本发明提供能够利用简单的构成,以均一的厚度在立体物等包括多个面的工件上成膜的成膜装置及成膜工件制造方法。所述成膜装置包括:包含平面SU3的成膜材料的靶材21;电源部3,将电力施加至靶材21;自转部4,使作为成膜对象的工件W以自转轴AX1为中心而自转;以及公转部5,使自转部4以与自转轴4不同的公转轴AX2为中心而公转,借此,使工件W反复地靠近与远离靶材21,自转过程中及公转过程中的自转轴4固定于使与该自转轴4正交的自转轨道面SU1相对于与公转轴AX2正交的公转轨道面SU2具有第1倾斜角度θ1的角度,靶材21固定于使平面SU3相对于公转轨道面SU2具有第2倾斜角度SU2的角度。
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公开(公告)号:CN107012436A
公开(公告)日:2017-08-04
申请号:CN201611242158.5
申请日:2016-12-28
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Inventor: 小野大祐
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/5826 , C23C14/5853
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置,其即使在对包含绝缘物的工件进行处理的情况下,也能使等离子体放电稳定化。等离子体处理装置包括:筒形电极(10),一端设有开口部(11),内部被导入工艺气体;RF电源(15),对筒形电极(10)施加电压;作为搬送部的旋转平台(3),一边循环搬送工件(W),一边使所述工件通过被施加有电压的所述筒形电极的开口部(11)的下方;以及电子诱导构件(17),配置在开口部(11)与旋转平台(3)之间。
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公开(公告)号:CN106335814A
公开(公告)日:2017-01-18
申请号:CN201610525286.4
申请日:2016-07-06
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Inventor: 広濑圭刚
CPC classification number: B65H35/06 , B65H23/26 , B65H37/04 , B65H2701/11332 , H01L2021/603
Abstract: 本发明提供一种胶带的粘附装置,防止粘附带的宽度方向的位移,而能够进行正确粘附。胶带的粘附装置包括:供给部,供给将胶带粘附在脱模带而成的粘附带;粘附部,对基板粘附粘附带的胶带;排出部,将从粘附在基板的胶带剥离的脱模带排出;以及引导部,隔着粘附部而分别配置在供给部侧与排出部侧,对粘附带从供给部朝向排出部的移动进行引导,引导部包括:倾斜部,具有供移动的脱模带相接且相对于水平方向倾斜的倾斜面;以及限制部,设置于倾斜部的端部,通过与沿着倾斜面移动的脱模带的一个侧缘相接,而限制脱模带的宽度方向的位置。
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公开(公告)号:CN105032708A
公开(公告)日:2015-11-11
申请号:CN201510181287.7
申请日:2015-04-16
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Inventor: 泷泽洋次
Abstract: 本发明提供一种涂布装置、工件制造方法、显示装置用构件制造装置及方法。所述涂布装置包括涂布厚度检测部与调整部,涂布厚度检测部利用配置于涂布喷嘴的上游侧、下游侧的传感器来检测至工件表面为止的距离、或至涂布于工件的粘接剂表面为止的距离,且在利用平台相对于涂布喷嘴的相对移动而进行粘接剂的涂布时,基于由配置于下游侧的传感器所检测的至工件表面为止的距离、由配置于上游侧的传感器所检测的至涂布于工件的粘接剂表面为止的距离,来检测粘接剂的涂布厚度,调整部使平台与涂布喷嘴的相对移动方向反转,并基于由涂布厚度检测部检测的粘接剂的涂布厚度来调整与己检测出涂布厚度的粘接剂重叠涂布的粘接剂的厚度。
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公开(公告)号:CN104933961A
公开(公告)日:2015-09-23
申请号:CN201510122788.8
申请日:2015-03-19
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
CPC classification number: G09F9/00 , G02F1/1303
Abstract: 本发明提供一种显示装置用构件的制造装置及显示装置用构件的制造方法。显示装置用构件的制造装置(100)是将包含构成显示装置的液晶面板(S1)及罩面板(S2)的一对工件经由粘合剂(R)予以贴合,包括:粘合剂涂布装置(1),在液晶面板(S1)上涂布粘合剂(R)形成粘合层(R1);粘合层诱导部形成装置(6),在液晶面板(S1)上形成粘合层诱导部;及贴合装置(2),使形成在液晶面板(S1)上的粘合层(R1)接触罩面板(S2),从而将一对工件予以贴合,粘合层诱导部(RG)在贴合装置(2)中将粘合层(R1)的缘部的至少一部分诱导至与罩面板(S2)接触的接触位置(C)。本发明防止在粘合层与工件之间产生间隙。
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公开(公告)号:CN116475034B
公开(公告)日:2024-12-06
申请号:CN202310059026.2
申请日:2023-01-18
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种热处理装置及热处理方法,在抑制腔室的开闭门滑动所需的空间的同时,确保在腔室的内部配置基板的空间,进而在开闭门开口时抑制腔室的内部的散热。本发明包括:腔室,设置有开口部,自开口部搬入工件;支撑部,设置于腔室的内部,对工件进行支撑;加热器,设置于腔室的内部,对由支撑部支撑的工件进行热处理;开闭门,能够相对于开口部在上下方向上移动,且在进行热处理时将开口部关闭;以及加热控制部,在利用开闭门使开口部的一部分开口的期间,使腔室的内部中位于开口部由开闭门关闭的区域的加热器接通。
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公开(公告)号:CN118742007A
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202410296831.1
申请日:2024-03-15
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Inventor: 広濑圭刚
Abstract: 本发明提供一种安装装置以及安装方法,能够抑制漂移的影响而将电子零件安装至基板的准确位置。实施方式的安装装置(10)具有:摄像机位置计算部(110),基于由基准摄像机(40)所拍摄的载台基准标记(SM)的图像与由副摄像机(50)所拍摄的载台基准标记(SM)的图像,求出基准摄像机(40)与副摄像机(50)的位置关系;以及修正运算部(120),基于由基准摄像机(40)所拍摄的电子零件(2)的对准标记(EML、EMR)的图像及由副摄像机(50)所拍摄的基板(1)的对准标记(PML、PMR)的图像、和基准摄像机(40)与副摄像机(50)的位置关系,求出基板(1)与电子零件(2)的位置关系。
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公开(公告)号:CN118687377A
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202410187683.X
申请日:2024-02-20
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种可减小工件的面内的温度的偏差的加热处理装置。实施方式的加热处理装置包括:腔室,在内部具有对工件进行加热处理的加热区域;至少一个第一加热器,在所述腔室的内部设置于所述加热区域的上方及下方中的至少任一者,且沿第一方向延伸;以及至少一个第二加热器,在所述腔室的内部以沿和所述第一方向交叉的第二方向与所述第一加热器并排的方式存在,且比所述第一加热器短。所述第一加热器由单一或一对组构成,并且配置成在所述第一方向上对所述加热区域的中央区域及所述加热区域的周缘区域进行加热。所述第二加热器配置成在所述第一方向上对所述加热区域的所述周缘区域进行加热。
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公开(公告)号:CN118663649A
公开(公告)日:2024-09-20
申请号:CN202410267588.0
申请日:2024-03-08
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Abstract: 本发明的晶片收纳容器清洗装置抑制在清洗槽中被清洗的晶片收纳容器的污染。所述晶片收纳容器具有壳体及门,所述晶片收纳容器清洗装置包括:清洗槽主体,为在上表面具有开口部、且能够在内部收容所述晶片收纳容器的容器;盖部,设置于所述清洗槽主体;载置部,设置于所述清洗槽主体的内部,能够载置所述壳体;第一清洗液喷出部,在壳体载置状态下设置于所述壳体的内部,对所述壳体的内表面喷出清洗液;以及第二清洗液喷出部,在所述壳体载置状态下设置于所述壳体的外侧,对所述壳体的外表面喷出清洗液,所述第一清洗液喷出部的喷出口与所述第二清洗液喷出部的喷出口以能够从其中一个喷出口朝向另一个喷出口彼此喷出清洗液的方式相向。
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公开(公告)号:CN112582299B
公开(公告)日:2024-07-30
申请号:CN202010948268.3
申请日:2020-09-10
Applicant: 信越工程株式会社 , 芝浦机械电子装置株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种可提高基板品质的基板处理装置及基板处理方法。实施方式的基板处理装置包括:平台,支撑处理对象物,所述处理对象物具有基板、包围基板的周围的圈、以及粘接于基板的下表面及圈的下表面的切割带;以及液体供给部,根据平台的转速,朝向由通过旋转机构进行旋转的平台支撑的处理对象物的圈的上表面、由通过旋转机构进行旋转的平台支撑的处理对象物的基板与圈之间、及由通过旋转机构进行旋转的平台支撑的处理对象物的基板的外周端部的任一者,喷出不与用以处理基板的处理液混合且比重大于处理液的液体,向处理对象物的基板与圈之间供给液体。
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