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公开(公告)号：CN109468609B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201811029582.0
申请日：2018-09-05
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够容易且正确地进行屏蔽构件与工件的间隔的设定的成膜装置。本发明具有：腔室(1)，能够使内部为真空，并在上部具有能够开闭的盖体(1a)；旋转平台(3)，设于腔室(1)内，并以圆周的轨迹对工件(W)进行旋转搬运；成膜部(4a～4g)，通过溅射而使成膜材料堆积于由旋转平台(3)搬运的工件(W)以进行成膜；屏蔽构件(9)，在供工件(W)通过的一侧具有开口(91)，形成供利用成膜部(4a～4g)进行成膜的成膜室(S)；以及支撑部(P)，对屏蔽构件(9)进行支撑，相对于腔室(1)为不动且独立于盖体(1a)。
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公开(公告)号：CN109576654B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201811130898.9
申请日：2018-09-27
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Inventor： 小野大祐
Abstract: 本发明提供一种可通过使移动的工件附近的压力下降来提升膜的致密性的成膜装置。成膜装置包括：成膜部，具有在一端具有开口的成膜室，在成膜室内具有包括成膜材料的靶材，利用成膜室内的溅射气体中生成的等离子体使靶材的成膜材料堆积于与开口相向的工件的表面以进行成膜；以及搬运体，通过沿着规定的搬运路径对工件进行搬运而使所述工件反复通过与成膜室的开口相向的相向区域及不与成膜室的开口相向的非相向区域，搬运体具有：低压部位，载置工件，在通过相向区域时，使成膜室内小于等离子体的着火下限压力且大于等于等离子体的放电维持下限压力；以及高压部位，不载置工件，在通过相向区域时，使成膜室内大于等于着火下限压力。
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公开(公告)号：CN113924384A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202080040665.9
申请日：2020-06-02
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Inventor： 小野大祐
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其可形成抑制光学特性的恶化的平坦的膜。所述成膜装置是在工件10上形成膜的成膜装置，其包括：搬送部30，具有循环搬送工件10的旋转台31；成膜处理部40，具有包含构成膜的材料的靶42、及将被导入靶42与旋转台31之间的溅射气体等离子体化的等离子体产生器，利用等离子体对靶42进行溅射而在工件10上形成膜；以及离子照射部60，照射离子；搬送部30以工件10穿过成膜处理部40与离子照射部60的方式循环搬送工件10，离子照射部60对工件10上的形成途中的膜照射离子。
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公开(公告)号：CN107201503B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201710148173.1
申请日：2017-03-13
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Inventor： 小野大祐
Abstract: 本发明提供一种成膜装置及成膜方法，进行将氧保持为适当量、品质良好且品质的不均少的成膜。成膜装置(1)包括：作为密闭容器的腔室(2)，配置着包含成膜材料的靶材(231)，内部被搬入工件(W)；排气装置(25)，在工件(W)的搬入后，将腔室(2)排气规定的排气时间而形成基础压力；以及溅镀气体导入部(27)，向排气成基础压力的腔室(2)的内部导入含氧的溅镀气体。溅镀气体导入部(27)根据附着在腔室(2)的内部的成膜材料的增加所引起的基础压力的上升，使导入到腔室(2)的溅镀气体的氧分压减少。
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公开(公告)号：CN113924384B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202080040665.9
申请日：2020-06-02
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Inventor： 小野大祐
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其可形成抑制光学特性的恶化的平坦的膜。所述成膜装置是在工件(10)上形成膜的成膜装置，其包括：搬送部膜处理部(40)，具有包含构成膜的材料的靶(42)、及将被导入靶(42)与旋转台(31)之间的溅射气体等离子体化的等离子体产生器，利用等离子体对靶(42)进行溅射而在工件(10)上形成膜；以及离子照射部(60)，照射离子；搬送部(30)以工件(10)穿过成膜处理部(40)与离子照射部(60)的方式循环搬送工件(10)，离子照射部(60)对工件(10)上的形成途中的膜照射离子。(30)，具有循环搬送工件(10)的旋转台(31)；成
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公开(公告)号：CN110965030B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201910925127.7
申请日：2019-09-27
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Inventor： 小野大祐
Abstract: 本发明提供一种可获得膜厚分布的均匀性的成膜装置。实施方式的成膜装置具有：腔室(1)，能够使内部为真空；搬运部(3a)，设置于腔室(1)内，沿着圆周的搬运路径搬运处理对象面为立体形状的工件(W)；成膜部(4a)，针对由搬运部(3a)搬运的工件(W)，通过溅射来堆积成膜材料以进行成膜；以及屏蔽构件(S1)，在供工件(W)通过的一侧具有开口(91)，形成供成膜部(4a)进行成膜的成膜室(Dp)，并且所述成膜装置中设置有突出至成膜室(Dp)内的修正板(95)，修正板(95)具有仿效工件(W)的处理对象面(Sp)的立体形状，并设置于与工件(W)相向的位置。
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公开(公告)号：CN108690965A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810239823.8
申请日：2018-03-22
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其可根据旋转体的表面的经过速度不同的位置来对通过旋转体而循环搬送的工件进行所期望的等离子体处理。本发明包括：真空容器；旋转体；通过旋转体的旋转而以圆周的搬送路径循环搬送工件的搬送部；筒部，在一端的开口朝向真空容器的内部的搬送路径的方向上延伸存在；窗部，将筒部的气体空间与外部之间加以划分；供给部，将工艺气体供给至气体空间；以及天线，通过施加电力而在气体空间的工艺气体中产生对经过搬送路径的工件进行等离子体处理的电感耦合等离子体，且具有调节部。
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公开(公告)号：CN107012436A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611242158.5
申请日：2016-12-28
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Inventor： 小野大祐
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/5826 , C23C14/5853
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其即使在对包含绝缘物的工件进行处理的情况下，也能使等离子体放电稳定化。等离子体处理装置包括：筒形电极(10)，一端设有开口部(11)，内部被导入工艺气体；RF电源(15)，对筒形电极(10)施加电压；作为搬送部的旋转平台(3)，一边循环搬送工件(W)，一边使所述工件通过被施加有电压的所述筒形电极的开口部(11)的下方；以及电子诱导构件(17)，配置在开口部(11)与旋转平台(3)之间。
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公开(公告)号：CN115874152B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202211101105.7
申请日：2022-09-09
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其减低成膜材料附着于腔室内而维护性得到提高。实施方式的成膜装置(D)包括：腔室(1)，能够使内部为真空；成膜部(4a～4d、4f、4g)，具有包含成膜材料的靶材(61)，在所述腔室内，通过溅射而使成膜材料堆积于工件(W)上来进行成膜；隔断构件(9)，与靶材(61)空开间隔地配置，形成用于利用成膜部(4a～4d、4f、4g)进行成膜的成膜室(S)，并将腔室(1)内的成膜室(S)与外部隔断；以及抑制部(104)，设置于靶材(61)与隔断构件(9)之间，并抑制成膜材料附着于腔室(1)的内表面。
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公开(公告)号：CN111850471A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010325508.4
申请日：2020-04-23
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜装置以及成膜方法，其可低成本且高效率地形成氢化硅膜。所述成膜装置包括：搬送部(30)，具有循环搬送工件(10)的旋转台(31)；成膜处理部(40)，具有包含硅材料的靶(42)、及对被导入靶(42)与旋转台(31)之间的溅射气体(G1)进行等离子体化的等离子体产生器，通过溅射而在工件(10)形成硅膜；以及氢化处理部(50)，具有导入含有氢气的工艺气体(G2)的工艺气体导入部(58)、及对工艺气体(G2)进行等离子体化的等离子体产生器，对已形成在工件(10)的硅膜进行氢化，搬送部(30)以使工件(10)交替地穿过成膜处理部(40)与氢化处理部(50)的方式进行搬送。
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