公开(公告)号：CN112490283A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201910860978.8

申请日：2019-09-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 肖婷 ,  史波 ,  曾丹 ,  廖勇波

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅结构，涉及功率半导体领域。包括绝缘部和第一介质，绝缘部具有一端开口的容纳槽，第一介质设置于容纳槽内；绝缘部包括相互连接的第一绝缘壁和第二绝缘壁，第一绝缘壁靠近开口，第一绝缘壁的厚度小于第二绝缘壁的厚度。由于增大了第二绝缘壁的厚度，使得绝缘部的整体平均厚度增加，从而降低了绝缘栅结构的栅极电容。在工作时，离子层组提供的电压只需在第一绝缘壁处形成反型层，即可使功率器件正常工作，而由于第一绝缘壁的厚度较薄，故而离子层组不需要提供过高的开启电压，从而较小了功率器件的能耗。由此可见，本发明提供的绝缘栅结构，在降低了绝缘栅结构的栅极电容的同时，避免了功率器件的能耗过高的问题。

公开(公告)号：CN112447679A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201910818893.3

申请日：2019-08-30

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 曾丹 ,  史波 ,  刘勇强 ,  敖利波 ,  陈道坤 ,  肖婷

IPC: H01L23/64 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种功率半导体器件及其制作方法，功率半导体器件包括：栅极结构和多个元胞结构；栅极结构包括电阻区和接线区，接线区设有连接金属层，元胞结构的栅极与接线区的连接金属层电连接；电阻区包括电阻走线、和沿电阻走线的延伸方向分布的多个连接焊盘，每一个连接焊盘与电阻走线电连接，以将电阻走线分隔为相互串联的多段电阻。本申请公开的功率半导体器件，将外部电阻集成到栅极结构上，从而降低IGBT和MOSFET器件栅极的电压操控难度，提高精准性。

公开(公告)号：CN112289754A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201910668258.1

申请日：2019-07-23

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 薛勇 ,  史波 ,  敖利波 ,  曾丹

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及电子技术领域，具体而言，涉及一种功率模块及封装方法，包括引线框架、封装基板及承载板，所述引线框架固定于所述承载板上，所述封装基板与所述引线框架的引脚之间通过相互配合的凹凸结构连接，且所述封装基板与引线框架在凹凸配合处焊接固定，所述凹凸结构包括相互配合的柱销和通孔，所述引线框架设置所述柱销，所述封装基板设置与所述柱销配合的通孔，所述引脚对应所述封装基板通孔弯折形成所述柱销，其能够解决封装基板与引线框架之间在高温和振动环境下引脚脱焊现象。

公开(公告)号：CN112185803A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201910589464.3

申请日：2019-07-02

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 吴佳蒙 ,  史波 ,  肖婷 ,  曾丹 ,  梁赛嫦

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及半导体芯片技术领域，特别涉及一种功率器件衬底背面处理方法及功率器件制备方法。包括：对衬底的背面进行减薄处理；在衬底的背面形成金属层；在金属层上淀积形成钨结构层。上述衬底背面处理方法采用具有强覆盖力的钨淀积在衬底背面，有效改善了衬底背面的不平整结构，方便功率器件的封装贴片；并且，钨材料具有导电性优良、化学性质稳定、耐热性强和膨胀系数小的特点，在实现基本的导电功能同时能够降低衬底氧化风险，保证衬底结构不易变形，进一步提高封装良率。

公开(公告)号：CN110534556B

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201910668260.9

申请日：2019-07-23

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 曾丹 ,  刘勇强 ,  史波 ,  肖婷 ,  敖利波 ,  陈道坤

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/266 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件、其终端结构、掩膜版和制备方法，所述功率半导体器件设有主结，所述终端结构包括终端区，所述终端区包括多个依次环绕于所述主结之外的场限环；所述场限环包括第一传导类型的半导体离子，在远离所述主结的方向上，多个所述场限环的第一传导类型的半导体离子的掺杂浓度依次递减。通过将多个场限环内的第一传导类型的半导体离子的浓度设计为沿远离所述主结的方向依次递减，可以使半导体器件的耐压更加稳定，而且整个终端结构所占的面积大大减小，提高了生产效率，避免了半导体材料的浪费；而且呈一定梯度的离子浓度变化，还有效缓解了电场集中现象，提高了功率器件的反向阻断能力。

公开(公告)号：CN111261702A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201811467502.X

申请日：2018-12-03

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 肖婷 ,  史波 ,  曾丹 ,  廖勇波 ,  敖利波

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种沟槽型功率器件及其形成方法，该器件包括有若干个元胞，每个所述元胞包括：元胞沟槽、形成于所述元胞沟槽侧壁上的多晶硅层、以及填充在所述元胞沟槽内的填充金属层；其中，所述填充金属层、所述多晶硅层、以及所述元胞沟槽的内壁之间分别绝缘设置。通过在元胞沟槽的侧壁上形成多晶硅(栅)，形成多晶硅-填充金属层-多晶硅的复合结构，有利于改善器件使用过程中的Cgc反向电容，改善芯片开关特性，同时能降低开关损耗。

公开(公告)号：CN110504220A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910791503.8

申请日：2019-08-26

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 曹俊 ,  史波 ,  肖婷 ,  马浩华 ,  廖勇波 ,  江伟 ,  曾丹

IPC: H01L21/98 ,  H01L25/065 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明涉及一种功率器件封装方法及功率器件封装结构，涉及半导体技术领域，用于提高现有的封装器件的过流能力题。本发明的功率器件封装方法，通过将第一芯片远离第一框架的侧面与第二芯片远离第二框架的侧面相连，并将所述第一框架与所述第二框架相连，使第一芯片、第二芯片、第一框架和第二框架能够被一同塑封在一个壳体内形成封装结构，使单个封装结构的过流能力增加大，从而降低应用端的成本；此外，由于将第一芯片和第二芯片都塑封在壳体内，因此相比塑封单个芯片的封装结构，相当于减少了封装结构的数量，从而大大缩减应用端实际体积。

公开(公告)号：CN110400776A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201910589553.8

申请日：2019-07-02

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  敖利波 ,  史波 ,  曾丹

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  H01L27/06

Abstract: 本发明涉及电子芯片技术领域，公开一种功率芯片及其制备方法。在衬底的一侧表面形成沟道层和势垒层，通过隔离工艺形成一个SBD有源区和一个HEMT有源区；在势垒层上形成芯片器件层，芯片器件层包括SBD阳极、SBD阴极、HEMT源极、HEMT漏极、HEMT栅极、第一金属层、阳极焊盘和阴极焊盘，SBD阴极与HEMT源极通过第一金属层电连接，SBD阳极和HEMT栅极与阳极焊盘电连接，HEMT漏极与阴极焊盘电连接；在芯片器件层上形成表面钝化介质层，并通过构图工艺在表面钝化介质层上形成过孔以露出阳极焊盘和阴极焊盘。本申请实施例可同时实现低开启电压和高反向耐压，降低封装难度，减小芯片寄生效应，提高电路工作效率。

公开(公告)号：CN110176451A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201910394758.0

申请日：2019-05-13

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 敖利波 ,  史波 ,  曹俊 ,  曾丹 ,  肖婷 ,  江伟

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/495 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供一种功率模块及其封装方法，其功率模块包括承载板，所述承载板包括绝缘层和设置于所述绝缘层一表面的金属层；所述功率模块还包括至少一个功率芯片和至少一个驱动芯片，分别贴装在所述金属层的远离所述绝缘层的表面，并通过键合线与所述金属层电性连接。本发明通过将功率芯片、驱动芯片和引脚贴装在承载板的金属层，即通过承载板代替现有技术用的高密度引线框架和PCB板，从而大大的节约了成本，简化了封装工艺。

公开(公告)号：CN214254418U

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202120543992.8

申请日：2021-03-16

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 林苡任 ,  史波 ,  曾丹

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/367 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

Abstract: 本实用新型涉及电子技术领域，公开一种功率模块及电子设备，该功率模块，包括基板；设置在所述基板同侧的绝缘栅双极型晶体管芯片和快速恢复二极管芯片；形成在所述绝缘栅双极型晶体管芯片和所述快速恢复二极管芯片远离所述基板一侧的封装层；形成在所述封装层远离所述绝缘栅双极型晶体管芯片和所述快速恢复二极管芯片一侧的环氧树脂层，所述封装层的材料的热膨胀系数小于所述环氧树脂层的热膨胀系数；所述绝缘栅双极型晶体管芯片的栅极部分伸出所述封装层；位于所述环氧树脂层内的驱动芯片，所述驱动芯片与所述栅极伸出所述封装层的部分连接。用于提高功率模块的性能。