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公开(公告)号：CN210956665U
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202020045615.7
申请日：2020-01-09
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种智能功率模块及电子设备。智能功率模块，包括：基板，所述基板的一侧表面形成有金属层，所述金属层上形成有用于安装芯片的多个芯片安装区，每个所述芯片安装区内均设用于容纳引线框架的管脚的凹槽。本申请中的智能功率模块，基板的一侧表面形成的金属层，金属层上的芯片安装区上设有凹槽，以使引线框架的管脚与金属层连接时，管脚嵌入至金属层的凹槽中，降低基板的金属层面溢胶的情况发生。
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公开(公告)号：CN210866181U
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201921951579.4
申请日：2019-11-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06
Abstract: 本实用新型提供了一种元胞结构以及功率器件，涉及功率半导体领域。元胞结构，包括：第一绝缘部，第一绝缘部具有一端开口的容纳槽；第一介质部，第一介质部设置于容纳槽的底部；第二介质部，第二介质部设置于容纳槽内，且位于第一介质部远离底面的一侧；第二绝缘部，设置于第一介质部和第二介质部之间。本实用新型提供的元胞结构，在容纳槽内设有被第二绝缘部隔开且相互绝缘的第一介质部和第二介质部。如此，第一介质部相当于在容纳槽的底部设置了一个额外的电极板，使整个沟槽底部区域的电场分布较为平缓，有效的解决了沟槽底部电场集中的问题，使得此处发生电场击穿的概率大大降低，有效的提高了器件的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN210866167U
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201921685666.X
申请日：2019-10-08
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L23/13
Abstract: 本实用新型涉及电子电器技术领域，具体涉及一种功率器件及其基板。该基板包括绝缘部、导热部、第一导电部和第二导电部，所述绝缘部沿自身厚度方向相对的两侧中，一侧连接有所述导热部，另一侧连接有所述第一导电部和所述第二导电部，所述第一导电部和所述第二导电部之间具有绝缘间隔；所述绝缘部位于所述绝缘间隔的部分处设置有沉槽，所述沉槽自所述绝缘部的表面向所述导热部所在的方向延伸。本实用新型所提供的基板即便尺寸相对较小，其绝缘可靠性也相对较高，安全隐患相对较小。
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公开(公告)号：CN210628308U
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201921770901.3
申请日：2019-10-21
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L21/8258
Abstract: 本实用新型涉及芯片技术领域，公开了一种集成芯片，该集成芯片，包括：晶圆层，晶圆层包括第一单晶硅层、第二单晶硅层以及中间的二氧化硅介质层，第一单晶硅层形成有第一芯片；还包括依次形成于第一单晶硅层上的第一介质层、第一金属部，第一金属部与对应的第一芯片的电连接部之间通过过孔电性连接；还包括依次形成于第二单晶硅层上的第二芯片器件层、第二介质层、第二金属部，第二芯片器件层形成第二芯片，第二金属部与对应的第二芯片的电连接部之间通过过孔电性连接；第二金属部通过过孔与对应的第一金属部电性连接。该集成芯片将相同或不同的多个芯片集成于晶圆的两侧，简化了芯片之间的连接且体积小。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209344058U
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201821601781.X
申请日：2018-09-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 本实用新型提供了一种封装结构，该封装结构包括一个芯片以及包裹在所述芯片上的封装层，为了提高芯片的散热效果，该封装结构还包括一个散热结构，并且在设置该散热结构时，该散热结构镶嵌在封装层中并与所述芯片导热连。从而将芯片散发出的热量导出来，提高芯片的散热效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN209056500U
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201822020863.1
申请日：2018-12-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本实用新型涉及功率半导体芯片技术领域，公开了一种绝缘栅双极型晶体管，该晶体管中包括衬底，衬底上设有集电极层和器件层，器件层在衬底上的投影包括至少两个相对的侧边与集电极层在衬底上投影的边缘具有设定距离，器件层外表面包覆有介质层，介质层背离器件层一侧形成有发射极键合金属层，集电极层背离衬底一侧位于器件层以外区域内设有集电极键合金属层。上述晶体管中，当对晶体管通电时，电子依次经过发射极键合金属层、器件层、集电极层、集电极键合金属层，实现电流导通，从而电流的通过路径不经过衬底，使得晶体管中可以采用较厚的衬底来承载超薄器件层，不需要采用超薄的减薄工艺和相关的复杂步骤，降低了制造成本以及制造难度。
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公开(公告)号：CN213721925U
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202020642572.0
申请日：2020-04-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: A61B5/0205 , A61B5/01
Abstract: 本实用新型涉及智能穿戴的技术领域，具体涉及一种监测组件及包含其的智能设备。监测组件包括基板和形成在基板同一侧的第一腔室、第二腔室和第三腔室，第一腔室与基板相对的一端为覆盖有保护玻璃的开口，第二腔室与基板相对的一端为覆盖有第一滤光片的开口，第三腔室与基板相对的一端为覆盖有第二滤光片的开口，第一腔室内设置有第一芯片，第二腔室内设置有第二芯片，第三腔室内设置有体温检测芯片。本方案采用在智能设备中的原有监测组件内集成体温检测芯片的方式，可以使得智能设备具有温度检测功能，从而满足人们随时使用的需求，并且体温检测组件没有占用智能设备的内部空间，无需在智能设备表面开孔，从而提高智能设备内部空间的利用率。
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公开(公告)号：CN211428144U
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202020185049.X
申请日：2020-02-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本实用新型公开了一种封装体散热结构及功率半导体器件，封装体散热结构包括：封装体，散热片，以及设置在封装体与散热片之间的DBC基板，DBC基板能够在封装体与散热片之间实现绝缘，并能够使封装体的热量传递到散热片上；DBC基板的顶部金属层电连接有集电极引脚，DBC基板的顶部金属层与集电极引脚一体成型，DBC基板的陶瓷层上设置有栅极引脚和发射极引脚。通过在封装体与散热片之间设置DBC基板，由于DBC基板中间陶瓷层的绝缘性能，不需要封装体与散热片之间添加绝缘材料，保证了封装体与散热片之间良好的绝缘，同时又不影响封装体的散热性能。采用上述封装体散热结构的功率半导体器件节能，高效，且具有良好的系统可靠性。
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公开(公告)号：CN210926000U
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201921768833.7
申请日：2019-10-21
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本实用新型提出了一种引线框架，其中，在所述引线框架的脚部设有至少一个待填充塑封料的通孔。本实用新型的引线框架在塑封料注塑充填的过程中，塑封料会充满这些通孔，贯通引线框架上下，来阻挡水汽的进入，改善因封装分层问题导致的器件失效，从而延长了引线框架的寿命。
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公开(公告)号：CN210866184U
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201921780363.6
申请日：2019-10-21
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L21/336
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体器件的终端结构，包括半导体衬底层、沟槽和离子掺杂层；多个沟槽沿预设方向开设在所述半导体衬底层上表面，多个所述沟槽的尺寸沿所述预设方向逐渐增大；离子掺杂层通过离子注入在所述半导体衬底层形成，所述离子掺杂层包围所述沟槽。本实用新型在沟槽刻蚀阶段对沟槽结构进行改进，通过沟槽刻蚀尺寸来影响刻蚀深度情况，实现终端结构的变掺杂，无需对终端离子注入工艺进行调整，避免了离子断开，不能实现渐变，引起器件漏电的问题。
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