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公开(公告)号：CN106637416B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201611236161.6
申请日：2016-12-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 矢量强磁场下分子束外延及其原位表征装置，涉及分子束外延及其原位表征。提供超高真空强磁场下，样品生长平面与磁场夹角可调节的分子束外延生长，及以霍尔效应与磁阻测试为主的原位表征装置。该装置主要由结构紧致的倒T型超高真空生长与表征腔体和具有较小室温腔的强磁体构成。其中置于强磁体室温腔内的倒T型真空腔部分，包含紧致的外延生长样品台、可调节磁场与样品台夹角和原位表征装置；置于强磁体下方部分包含蒸发源、等离子体源等分子束源部件以及抽真空系统，利用超高真空中分子束流自由程长的特点，使多束源能移出强磁场腔体。有效克服了强磁场腔体积小与生长测试系统部件多的技术难题，实现强磁场下分子束外延生长及原位表征。
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公开(公告)号：CN108767107A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810559006.0
申请日：2018-06-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种电场调控的二维自旋电子器件及其制备方法，涉及自旋电流的产生和极化率的电场调控。器件结构包括第一BN二维材料/掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料/第二BN二维材料的三明治结构、与第一BN二维材料和第二BN二维材料连接的透明电极，以及与III‑VI族硫属化物二维材料连接的沟道电极。铁磁金属掺杂在III‑VI族硫属化物二维材料的晶格替位或间隙位，使III‑VI族硫属化物二维材料的电子出现自旋极化；自旋极化的电子在入射激光激发下经由沟道回路产生自旋电流，通过外加垂直电场调节掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料的磁结构在铁磁耦合与反铁磁耦合之间转变，从而可在0～100％范围内调控自旋电流的极化率，构成极化率电可控的二维自旋电子器件。
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公开(公告)号：CN105742158B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201610085270.6
申请日：2016-02-15
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种氧化镁衬底生长氧化锌薄膜的方法，涉及薄膜材料的制备。包括以下步骤：1)将衬底清洗后用氮气吹干，然后转入分子束外延生长系统，进行氧等离子退火；2)将步骤1)经氧等离子退火后的衬底进行氮等离子处理，随后进行镁原子沉积；3)在步骤2)完成后，通过低温生长氧化锌缓冲层和高温生长氧化锌薄膜，即完成氧化镁衬底生长氧化锌薄膜。采用分子束外延生长设备在MgO衬底上制备高质量氧化锌单晶样品，通过衬底表面预处理工艺，获得高质量的氧化锌单晶薄膜，可以运用于紫外发光、激光二极管等方面，有很大的应用前景，工艺简单，可重复性好。
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公开(公告)号：CN101289173B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810071176.0
申请日：2008-06-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法，涉及一种III族氮化物半导体材料。提供一种用于制备电阻率小、空穴浓度高的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法。选择同质或者异质的基质材料；在基质材料上外延生长形成变换叠加的垒层和阱层，在垒层与阱层的界面和阱层与垒层的界面掺入施主杂质和受主杂质，得选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料，其中，每个生长周期的步骤为：生长带隙较宽的垒层，同时掺入受主杂质；生长施主杂质或受主杂质δ掺杂层；生长非掺的带隙较窄的阱层；生长受主杂质或施主杂质δ掺杂层；在N2气氛下对所得的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料退火，即得目标产物。
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公开(公告)号：CN101696942A
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200910112669.9
申请日：2009-10-16
Applicant: 厦门大学
Abstract: 多结太阳能电池及各子电池交流电致发光测试方法和装置，涉及一种太阳能电池交流电致发光测试，测试装置设有交流驱动电路、光学组件、摄像管、光谱仪和计算机。交流驱动电路输出端接太阳能电池阵列；光学组件设有滤波片、透镜组和反射镜，滤波片、透镜组、反射镜和摄像管同一光轴，反射镜的反射光束传至光谱仪接收口，摄像管输出端接计算机。将多结太阳能电池样品置于样品台；用光谱仪测量多结太阳能电池电致发光光谱得各个子结的发光波段；通过滤波片选择测试光谱；选择电池样品的测试范围，得交流电致发光图像；计算机进行数据处理，得太阳能电池及其各子电池器件工艺损伤和晶体材料缺陷信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101621108A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910112318.8
申请日：2009-07-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法，涉及一种发光二极管。提供一种基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法。所述基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构自底层至顶层依次为：同质基质材料层或异质基质材料层，n型GaN基半导体层，InN/GaN应变量子阱，p型GaN基半导体层，n型GaN基半导体层上设有负电极，p型GaN半导体层设有正电极。选择基质材料；在基质材料上外延生长n型GaN基半导体层；在n型GaN基半导体层上交替生长GaN垒层和InN阱层3～11个周期；在最上一层InN阱层上生长p型GaN基半导体层，退火，在p型和n型GaN层上制备正负电极。
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公开(公告)号：CN213869660U
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202022509016.9
申请日：2020-11-03
IPC: E06B11/08
Abstract: 一种仅供行人、手推车和轮椅通行的旋转门，包括门轴、门栅和围栏；围栏设于旋转门的左右两侧，门轴内安装有自由旋转的轴承，门栅绕门轴旋转。本实用新型仅允许行人、手推车和轮椅通行，而限制机动车和自行车通过。门扇的长度和组合结构致使机动车和自行车因为尺度过大不能通过，而行人、手推车和轮椅因为尺度适中可以自由通行。旋转门可设计成四扇形、五扇形、六扇形和七扇形，门栅的长度由旋转门的扇数、手推车或轮椅的长宽、以及自行车的长度决定。本实用新型方便行人、婴幼儿推车、老龄人士和残障人士轮椅自由通行，可用于公园、步道等不需要人看管的出入口处。
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公开(公告)号：CN210245515U
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201921000730.6
申请日：2019-06-28
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18 , G02B5/00 , B82Y30/00
Abstract: 本实用新型提供一种基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器，其结构从下至上包括：衬底、缓冲层、超短周期超晶格及金属电极；超短周期超晶格包括设置在超短周期超晶格的纳米孔阵，以及金属纳米颗粒；金属纳米颗粒注入在纳米孔阵空隙或沉积于超短周期超晶格上表面，颗粒尺寸可调控；金属电极设置在超短周期超晶格上，形成肖特基接触。本实用新型通过在有序分布的纳米孔阵中形成金属纳米颗粒再在其上设置金属电极，避免了超短周期超晶格吸收层载流子隧穿能力较弱问题，又利用产生的局域表面等离激元效应，增强深紫外光的吸收，最终提高深紫外MSM探测器的量子效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210837794U
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201920997067.5
申请日：2019-06-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本实用新型公开一种具有电场可控极化率的旋光发光二极管器件，包括基片、层叠设置在基片上表面的绝缘介电层、第一导电电极、空穴注入层、磁性MnyFe1‑yPX3(X＝S,Se)二维材料有源层、电子注入层、以及第二导电电极；该器件可通过在第一和第二导电电极之间施加电压而产生旋光现象；所述旋光的波长可通过MnyFe1‑yPX3二维材料的Mn、Fe组分加以调控，且所述旋光的极化率可通过第一和第二导电电极之间的电压大小加以调控。
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