公开(公告)号：CN105742158A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610085270.6

申请日：2016-02-15

Applicant: 厦门大学

Inventor： 王惠琼 ,  李东华 ,  周华 ,  康俊勇

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02403 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658

Abstract: 一种氧化镁衬底生长氧化锌薄膜的方法，涉及薄膜材料的制备。包括以下步骤：1)将衬底清洗后用氮气吹干，然后转入分子束外延生长系统，进行氧等离子退火；2)将步骤1)经氧等离子退火后的衬底进行氮等离子处理，随后进行镁原子沉积；3)在步骤2)完成后，通过低温生长氧化锌缓冲层和高温生长氧化锌薄膜，即完成氧化镁衬底生长氧化锌薄膜。采用分子束外延生长设备在MgO衬底上制备高质量氧化锌单晶样品，通过衬底表面预处理工艺，获得高质量的氧化锌单晶薄膜，可以运用于紫外发光、激光二极管等方面，有很大的应用前景，工艺简单，可重复性好。

公开(公告)号：CN105742158B

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201610085270.6

申请日：2016-02-15

Applicant: 厦门大学

Inventor： 王惠琼 ,  李东华 ,  周华 ,  康俊勇

IPC: H01L21/02

Abstract: 一种氧化镁衬底生长氧化锌薄膜的方法，涉及薄膜材料的制备。包括以下步骤：1)将衬底清洗后用氮气吹干，然后转入分子束外延生长系统，进行氧等离子退火；2)将步骤1)经氧等离子退火后的衬底进行氮等离子处理，随后进行镁原子沉积；3)在步骤2)完成后，通过低温生长氧化锌缓冲层和高温生长氧化锌薄膜，即完成氧化镁衬底生长氧化锌薄膜。采用分子束外延生长设备在MgO衬底上制备高质量氧化锌单晶样品，通过衬底表面预处理工艺，获得高质量的氧化锌单晶薄膜，可以运用于紫外发光、激光二极管等方面，有很大的应用前景，工艺简单，可重复性好。