公开(公告)号：CN101289173B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810071176.0

申请日：2008-06-04

Applicant: 厦门大学

Inventor： 康俊勇 ,  李金钗 ,  李书平 ,  杨伟煌 ,  陈航洋 ,  刘达艺

IPC: C01B21/06 ,  C01G15/00

Abstract: 选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法，涉及一种III族氮化物半导体材料。提供一种用于制备电阻率小、空穴浓度高的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法。选择同质或者异质的基质材料；在基质材料上外延生长形成变换叠加的垒层和阱层，在垒层与阱层的界面和阱层与垒层的界面掺入施主杂质和受主杂质，得选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料，其中，每个生长周期的步骤为：生长带隙较宽的垒层，同时掺入受主杂质；生长施主杂质或受主杂质δ掺杂层；生长非掺的带隙较窄的阱层；生长受主杂质或施主杂质δ掺杂层；在N2气氛下对所得的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料退火，即得目标产物。

公开(公告)号：CN101621108A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200910112318.8

申请日：2009-07-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 康俊勇 ,  林伟 ,  李书平 ,  陈航洋 ,  刘达艺 ,  陈珊珊 ,  杨伟煌

IPC: H01L33/00

Abstract: 基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法，涉及一种发光二极管。提供一种基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法。所述基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构自底层至顶层依次为：同质基质材料层或异质基质材料层，n型GaN基半导体层，InN/GaN应变量子阱，p型GaN基半导体层，n型GaN基半导体层上设有负电极，p型GaN半导体层设有正电极。选择基质材料；在基质材料上外延生长n型GaN基半导体层；在n型GaN基半导体层上交替生长GaN垒层和InN阱层3～11个周期；在最上一层InN阱层上生长p型GaN基半导体层，退火，在p型和n型GaN层上制备正负电极。

公开(公告)号：CN101503826A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200910111002.7

申请日：2009-02-03

Applicant: 厦门大学

Inventor： 康俊勇 ,  李书平 ,  陈航洋 ,  刘达艺 ,  杨伟煌 ,  林伟 ,  李金钗

IPC: C30B29/40 ,  C30B29/38 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/08

Abstract: AlN生长面复合基底的制备方法以及氮化物半导体器件，涉及一种氮化物半导体材料。提供一种用于生长氮化物半导体材料的AlN生长面复合基底的制备方法及氮化物半导体器件。在衬底上生长AlN外延层，得AlN生长面复合基底。氮化物半导体器件设有AlN生长面复合基底、过渡层和氮化物半导体器件结构材料层。过渡层生长在AlN生长面复合基底上，过渡层由含Al的氮化物材料AlxInyGa(1－x－y)N(0＜x≤1，0≤y≤1)组成，氮化物半导体器件结构材料层生长在过渡层上，氮化物半导体器件结构材料层包含n型层、发光或吸收等功能结构层和p型层，其成分含有AlxInyGa(1－x－y)N(0≤x≤1，0≤y≤1)。

公开(公告)号：CN101289173A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810071176.0

申请日：2008-06-04

Applicant: 厦门大学

Inventor： 康俊勇 ,  李金钗 ,  李书平 ,  杨伟煌 ,  陈航洋 ,  刘达艺

IPC: C01B21/06 ,  C01G15/00

Abstract: 选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法，涉及一种III族氮化物半导体材料。提供一种用于制备电阻率小、空穴浓度高的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法。选择同质或者异质的基质材料；在基质材料上外延生长形成变换叠加的垒层和阱层，在垒层与阱层的界面和阱层与垒层的界面掺入施主杂质和受主杂质，得选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料，其中，每个生长周期的步骤为：生长带隙较宽的垒层，同时掺入受主杂质；生长施主杂质或受主杂质δ掺杂层；生长非掺的带隙较窄的阱层；生长受主杂质或施主杂质δ掺杂层；在N2气氛下对所得的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料退火，即得目标产物。