公开(公告)号：CN103219376A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310098145.5

申请日：2013-03-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  刘晓勇 ,  孙清清 ,  周鹏 ,  张卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明属于高电子迁移率器件技术领域，具体涉及一种氮化镓射频功率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备氮化镓射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移。同时，由于栅极被钝化层保护，使得源极与漏极能够在栅极形成之后通过合金化工艺来形成，降低了源、漏接触电阻，增强了氮化镓射频功率器件的电学性能。

公开(公告)号：CN102842568A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210359199.8

申请日：2012-09-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  房润辰 ,  张卫 ,  王鹏飞 ,  周鹏

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种基于碳纳米管的互连结构及其制造方法。本发明使用碳纳米管替代铜作为互连介质，工艺过程简单，而且经过一定的工艺处理可以在互连通孔中得到均匀且平行的碳纳米管，不需要制备扩散阻挡层就可以有效防止漏电流的产生、减少电路的可靠性问题。同时，由于碳纳米管具有良好的电学、热学和机械特性，可以提高电路的电流密度、降低芯片功耗，也可以有效的解决铜互连在尺寸减小后遇到的电迁移和串扰噪声等问题。

公开(公告)号：CN102709169A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210195515.2

申请日：2012-06-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周鹏 ,  沈于兰 ,  孙清清 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/283

Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用锌种子层在石墨烯上形成高k介质的原子层沉积方法。本发明采用电子束蒸发的方法在石墨烯表面先淀积一层薄的锌种子层并使之暴露于氧气氛围中被氧化,之后再通过原子层沉积的方法生长高k介质。利用锌种子层在石墨烯上生长高k介质是一种新颖的的方法，它可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中，该方法也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。

公开(公告)号：CN102565660A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210000912.X

申请日：2012-01-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王晨 ,  卢红亮 ,  孙清清 ,  周鹏 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明属于金属氧化物半导体晶体管测试技术领域，具体涉及一种用于高性能MOSFET晶体管器件的Id-Vg测试方法。该方法是在测试回路中用一个接近晶体管开态电阻阻值的片状电阻代替待测晶体管，测得两路脉冲信号：栅极电压脉冲信号和漏极电流经过Op电流电压放大器放大后的电压信号，从而进行信号同步的修正；并且在同一实验平台上设置电源电压为零时，测得晶体管的位移电流信号，从而进行位移电流造成的误差修正。本发明方法操作简单、几乎零成本，但是效果显著，测试精确，适用于以III-V族半导体、锗、石墨烯、各种纳米管、线等结构为载流子沟道的高电流性能MOSFETs晶体管上高介电常数栅介质可靠性方面的研究。

公开(公告)号：CN101941696B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010281971.X

申请日：2010-09-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周鹏 ,  孙清清 ,  卢洪亮 ,  吴东平 ,  王鹏飞 ,  丁士进 ,  张卫

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  C01B31/04

Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种适用于石墨烯基场效应管制造的纳米光刻方法。该方法包括采用接触探针热还原法对任意衬底上的石墨烯氧化物进行可控还原，通过控制探针温度来控制还原石墨烯氧化物的成分从而控制沟道电阻率。利用单原子尺寸热接触探针在石墨烯氧化物上直写石墨烯基场效应管，可以实现石墨烯基纳米场效应管的光刻制造工艺，简化石墨烯场效应管制备的复杂性，从而降低了工艺实施的困难程度。单原子级热探针直写石墨烯场效应管技术还可以提供石墨烯基传感器、射频器件等制备的图形化技术，也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。

公开(公告)号：CN102208532A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110139900.0

申请日：2011-05-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张卫 ,  陈琳 ,  周鹏 ,  孙清清 ,  王鹏飞

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明属于不挥发存储器技术领域，具体为一种采用电场增强层的阻变存储器及其制造方法。本发明阻变存储器包括顶电极、底电极以及位于所述顶电极与所述底电极之间的一层阻变功能介质层和一层电场增强层；所述的电场增强层和电阻转变存储层相邻，并且，电场增强层的介电常数低于阻变功能介质层的介电常数。本发明选用不同介电常数的阻变功能材料组成叠层结构来调节阻变存储结构单元中的电场分布，进而通过控制该电场分布来实现阻变存储器在阻变过程中所形成的导电通道结构和数量上的控制。本发明提出的阻变存储器性能稳定可控。

公开(公告)号：CN102082119A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010545411.0

申请日：2010-11-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 李叶 ,  孙清清 ,  周鹏 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明属于集成电路制造技术领域，具体涉及一种选择性淀积钨接触孔或通孔的方法。本发明提出的淀积钨接触孔或通孔的方法，是采用原子层淀积方法，进行选择性淀积。该方法可以得到高保形性、高台阶覆盖率的钨薄膜，而且，原子层淀积生长的钨薄膜与扩散阻挡层有良好的接触，可以有效克服接触孔和通孔出现的空洞问题，提供较低且稳定的电阻。同时，选择性地淀积钨薄膜，可以避免不必要的钨的淀积，节省钨材料，并大大减少钨化学机械抛光的研磨量，简化生产工艺，提高生产效率。

公开(公告)号：CN101931048A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010264413.2

申请日：2010-08-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周鹏 ,  孙清清 ,  吴东平 ,  张卫

IPC: H01L45/00 ,  G11C17/18

Abstract: 本发明属于可编程存储器技术领域，具体为一种一次可编程存储（OTP）单元、存储器及其操作方法。该OTP单元包括上电极和下电极，以及置于所述上电极和下电极之间的、作为存储介质层的氧化石墨烯层。该OTP单元的编程操作方法，是在所述上电极和下电极之间偏置编程电信号，使氧化石墨烯层实现在一定加热条件下转变导电的低阻态。该OTP存储器包括一次可编程存储单元阵列，所述一次可编程存储单元阵列包括按行和列排列的多个以上所述的可编程存储单元。本发明的一次可编程存储单元可以用作一次可编程存储器的存储介质层，实现基于氧化石墨烯层的一次可编程存储器。

公开(公告)号：CN101826595A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200910046977.6

申请日：2009-03-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  周鹏 ,  吕杭炳

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，涉及金属氧化物不挥发存储器技术，具体涉及一种WOx基电阻型存储器及其制备方法，该WOx基电阻型存储器包括上电极、钨下电极、以及设置在上电极和钨下电极之间的WOx基存储介质，所述WOx基存储介质是通过对覆盖在钨下电极上的WSi化合物层氧化处理形成，其中，1＜x≤3。该发明提供的电阻型存储器能提高工艺可控性和器件可靠性，同时具有相对低功耗、数据保持特性好的特点。

公开(公告)号：CN101393768A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810201661.5

申请日：2008-10-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  万海军 ,  尹明 ,  周鹏 ,  宋雅丽

IPC: G11C11/21 ,  G11C5/14

Abstract: 本发明涉及一种电阻存储器的激活操作方法，属于电阻存储器领域，用于具有激活电压的电阻存储器从初始高阻态向低阻态转换，包括步骤：(1)在电阻存储器上，施加使存储介质上的偏置电压低于所述激活电压的电信号；(2)保持所述电信号偏置；(3)该电阻存储器从初始高阻态向低阻态转换后，取消所述电信号偏置。本发明提供的激活操作方法具有低电压操作的特点，可以使电阻存储器的驱动电路中不需要电荷泵电路来产生额外的高压，并能避免因激活操作的电压过高而引起存储介质击穿、失去存储性能等问题。