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公开(公告)号：CN102332395B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201110285019.1
申请日：2011-09-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/02178 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02307 , H01L21/28194 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66583
Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种选择性淀积栅氧和栅电极的方法。本发明利用十八烷基三乙氧基硅烷（ODTS）易于吸附在Si-OH界面而不易吸附在Si-H界面的特性，有选择性的淀积栅氧和栅电极材料，避免了不必要的材料浪费，节约了成本。本发明同时将对栅氧和栅电极的刻蚀转化为对SiO2的刻蚀，降低了刻蚀工艺的难度，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN102082119B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201010545411.0
申请日：2010-11-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/312
Abstract: 本发明属于集成电路制造技术领域，具体涉及一种选择性淀积钨接触孔或通孔的方法。本发明提出的淀积钨接触孔或通孔的方法，是采用原子层淀积方法，进行选择性淀积。该方法可以得到高保形性、高台阶覆盖率的钨薄膜，而且，原子层淀积生长的钨薄膜与扩散阻挡层有良好的接触，可以有效克服接触孔和通孔出现的空洞问题，提供较低且稳定的电阻。同时，选择性地淀积钨薄膜，可以避免不必要的钨的淀积，节省钨材料，并大大减少钨化学机械抛光的研磨量，简化生产工艺，提高生产效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102332395A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110285019.1
申请日：2011-09-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/02178 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02307 , H01L21/28194 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66583
Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种选择性淀积栅氧和栅电极的方法。本发明利用十八烷基三乙氧基硅烷（ODTS）易于吸附在Si-OH界面而不易吸附在Si-H界面的特性，有选择性的淀积栅氧和栅电极材料，避免了不必要的材料浪费，节约了成本。本发明同时将对栅氧和栅电极的刻蚀转化为对SiO2的刻蚀，降低了刻蚀工艺的难度，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN102142369A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110000957.2
申请日：2011-01-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/334 , H01L21/283 , H01L21/265
Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种改善SiC器件性能的方法。在生长栅介质层之前，先在PEALD反应腔中用氧等离子处理或者用UV灯照射的方法对SiC表面进行钝化处理，可以有效抑制C簇的形成，降低SiC界面态密度，提高SiC器件的性能。采用原子层淀积技术生长高k栅介质，可以精确地控制栅介质层的厚度，得到高保形性高质量的栅介质层，减小栅介质层上所承受的电场强度，提高栅介质层的工作寿命，保证器件工作的稳定性。
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公开(公告)号：CN101937014B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201010246361.6
申请日：2010-08-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种适用于宽转换比升压变换器的自适应电流检测电路。该电路包括：单周期双采样电路，用于产生两个采样信号：电感电流信号与输出电压信号，并提供给增益自适应电路；基准电平产生电路，用于产生一个基准电平，提供给增益自适应电路；增益自适应电路，利用单周期双采样电路和基准电平产生电路提供的信号，产生所需的与输出电压自适应的电感电流采样信号。本发明避免选择片外补偿网络来实现不同转换比的方法，从而使补偿网络变得简单并可在芯片内部集成，减少了片外原件数量，符合便携化的要求，同时降低了成本，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102082119A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010545411.0
申请日：2010-11-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/312
Abstract: 本发明属于集成电路制造技术领域，具体涉及一种选择性淀积钨接触孔或通孔的方法。本发明提出的淀积钨接触孔或通孔的方法，是采用原子层淀积方法，进行选择性淀积。该方法可以得到高保形性、高台阶覆盖率的钨薄膜，而且，原子层淀积生长的钨薄膜与扩散阻挡层有良好的接触，可以有效克服接触孔和通孔出现的空洞问题，提供较低且稳定的电阻。同时，选择性地淀积钨薄膜，可以避免不必要的钨的淀积，节省钨材料，并大大减少钨化学机械抛光的研磨量，简化生产工艺，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN101937014A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010246361.6
申请日：2010-08-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种适用于宽转换比升压变换器的自适应电流检测电路。该电路包括：单周期双采样电路，用于产生两个采样信号：电感电流信号与输出电压信号，并提供给增益自适应电路；基准电平产生电路，用于产生一个基准电平，提供给增益自适应电路；增益自适应电路，利用单周期双采样电路和基准电平产生电路提供的信号，产生所需的与输出电压自适应的电感电流采样信号。本发明避免选择片外补偿网络来实现不同转换比的方法，从而使补偿网络变得简单并可在芯片内部集成，减少了片外原件数量，符合便携化的要求，同时降低了成本，具有良好的应用前景。
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