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公开(公告)号：CN102903699A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210389472.1
申请日：2012-10-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于微电子工艺技术领域，具体是一种以Ru-Al-O作为扩散、粘附阻挡层的铜互连结构以及制备方法。本发明以现有铜互连结构为基础，采用Ru-Al-O代替传统的TaN/Ta双层结构，作为铜互连结构的新的铜扩散阻挡层。利用原子层淀积（ALD）方法，在经过热氧化的二氧化硅薄膜上层淀积一层3~5nm厚的Ru-Al-O作为粘附层，并在其上生长一层5~10nm厚的Ru作为扩散阻挡层，并可作为电镀铜的籽晶层。通过调节Ru-Al-O中的Ru、Al、O三者的比例，可以获得较佳的铜扩散阻挡能力和粘附特性。本发明可以提高扩散阻挡层与下层二氧化硅层的粘附强度，并保持与籽晶层连接的紧密性，为现有的铜互连技术在增强粘附能力方面提供一种改善的可行性方案。
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公开(公告)号：CN102842599A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210360078.5
申请日：2012-09-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种使用超薄高介电常数材料层的SiC肖特基二极管及其制作方法。本发明在金属和SiC界面之间插入一超薄的高介电常数材料层，可以提高肖特基接触势垒高度，减小SiC表面态缺陷对肖特基势垒的影响，使得SiC肖特基二极管的反向漏电流更小、整流特性更好、在倍频电路中能产生更高的倍频效率。本发明所提出的SiC肖特基二极管保留了传统二极管结构简单、易于制作的优点，与传统制作工艺兼容，在改善SiC肖特基二极管性能的同时并未提高其制作成本。
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公开(公告)号：CN102841325A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210326025.1
申请日：2012-09-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于磁场探测技术领域，具体涉及一种使用45度斜角的三维隧穿磁场传感器及其制造方法。本发明将用于测量不同纬度的三个隧道巨磁阻模块置于一个使用45度斜角的凹槽或者凸台结构之上形成三维隧穿磁场传感器，使得三维磁场传感器的体积减小、用于测量不同维度磁场的磁阻传感模块更为集中，从而使得三维磁场传感器可以更加灵活地运用到导航系统、磁场测量系统以及测量各种基于磁场的其他物理量的设备中。
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公开(公告)号：CN102830373A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210326021.3
申请日：2012-09-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于磁场探测技术领域，具体涉及一种使用45度角的三维各向异性磁场传感器及其制造方法。本发明将用于测量不同纬度磁场的四个各向异性磁阻传感器置于一个使用45度角的凹槽或者凸台结构的侧壁之上形成三维各向异性磁场传感器，使得三维磁场传感器的体积减小、用于测量不同维度磁场的各向异性磁阻传感器更为集中，从而使得三维磁场传感器可以更加灵活地运用到导航系统、磁场测量系统以及测量各种基于磁场的其他物理量的设备中。
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公开(公告)号：CN102830372A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210325761.5
申请日：2012-09-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于磁场探测技术领域，具体涉及一种使用45度斜角的三维各向异性磁场传感器及其制造方法。本发明将用于测量不同纬度磁场的三个各向异性磁阻传感器置于一个使用45度斜角的凹槽或者凸台结构之上形成三维各向异性磁场传感器，使得三维磁场传感器的体积减小、用于测量不同维度磁场的各向异性磁阻传感器更为集中，从而使得三维磁场传感器可以更加灵活地运用到导航系统、磁场测量系统以及测量各种基于磁场的其他物理量的设备中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102692593A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210184203.1
申请日：2012-06-06
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于晶体管可靠性测试技术领域，具体为一种提高快速Id-Vg测试精度的测试系统，其特征在于：在原Id-Vg测试系统中，将原有的高频探针上添加一个50Ω的片状电阻，组成一个高频信号加载探针；在原有的电源探针上添加一个10μF的片状电容器，组成一个新的电源探针。本发明系统可用于高性能低功耗MOSFETs晶体管中精确快速的Id-Vg测试，本发明操作简单、几乎零成本，但是效果显著，测试精确，适用于高电流性能MOSFETs晶体管上高介电常数栅介质可靠性方面的研究。
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公开(公告)号：CN101894866B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201010220542.1
申请日：2010-07-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，具体为一种凹陷沟道的碰撞电离型场效应晶体管及其制造方法。包括一个半导体衬底，位于衬底底部的具有第一种掺杂类型的漏区，位于衬底内的凹槽结构，覆盖在凹槽内的栅极，位于栅极与半导体衬底之间的栅介质层；位于凹槽两侧、衬底顶部的具有第二种掺杂类型的源区，位于凹槽与源区之间的绝缘介质层。凹陷型沟道结构和碰撞电离工作原理的使用，使晶体管在抑制亚阈值摆幅的同时可提高驱动电流，进而提高器件的开关速度和响应频率，同时也减小器件的关态功耗。本发明的场效应晶体管非常适用于集成电路芯片的制造，特别是高速大功率芯片的制造。
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公开(公告)号：CN102623459A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210102964.8
申请日：2012-04-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/115 , H01L29/423 , H01L21/8247 , H01L21/31
CPC classification number: H01L29/792 , H01L29/66742 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7881
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管存储器及其制备方法，该存储器以栅电极为衬底，从下至上依次有：电荷阻挡层、电荷俘获层、电荷隧穿层、器件的有源区，及源、漏电极；该电荷阻挡层为通过原子层淀积的方法生长的Al2O3薄膜；该电荷俘获层为双层金属纳米晶结构，其包含通过原子层淀积，自下而上依次生长的第一金属纳米晶层、绝缘介质层及第二金属纳米晶层；该电荷隧穿层为对称叠层结构，其包含通过原子层淀积，自下而上依次生长的SiO2/HfO2/SiO2或Al2O3/HfO2/Al2O3叠层结构薄膜；该器件的有源区为采用磁控溅射的方法生长的IGZO薄膜，采用标准的光刻工艺和湿法刻蚀的方法形成IGZO有源区。本发明提供的薄膜晶体管存储器，擦写窗口大、数据保持性能好，擦写速度快、阈值电压稳定，制备工艺简单。
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公开(公告)号：CN102543891A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210001549.3
申请日：2012-01-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/8254
CPC classification number: H01L29/7781 , H01L29/66825 , H01L29/788
Abstract: 本发明属于半导体存储器器件制造技术领域，具体公开了一种栅控二极管半导体存储器器件的制备方法。本发明中，当浮栅电压较高时，浮栅下面的沟道是n型，器件就是简单的栅控pn结结构；通过背栅控制ZnO薄膜的有效n型浓度，通过浮栅实现将n型ZnO反型为p型，又用NiO作为p型半导体，形成n-p-n-p的掺杂结构。浮栅内的电荷多少又决定了这个器件的阈值电压，从而实现了存储器的功能。本发明工艺过程简单、制造成本低，所制造的存储器器件具有大驱动电流、小亚阈值摆幅的优点，特别适用于基于柔性衬底的存储器器件以及平板显示、浮栅存储器等器件的制造中。
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公开(公告)号：CN102543723A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210001479.1
申请日：2012-01-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/329
CPC classification number: H01L29/7391 , H01L29/267 , H01L29/66356
Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体公开了一种栅控二极管半导体器件的制造方法。本发明中，当栅极电压较高时，栅极下面的沟道是n型，器件就是简单的栅控pn结结构；通过背栅控制ZnO薄膜的有效n型浓度，通过栅极实现将n型ZnO反型为p型，又用NiO作为p型半导体，形成n-p-n-p的掺杂结构。本发明方法工艺过程简单、制造成本低，所制造的栅控二极管器件具有大驱动电流、小亚阈值摆幅的优点，可以降低芯片功耗，而且本发明通过低温工艺生产，特别适用于基于柔性衬底的半导体器件以及平板显示、相变存储器的读写器件的制造中。
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