公开(公告)号：CN101930927B

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201010260824.4

申请日：2010-08-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  臧松干 ,  张卫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/318

Abstract: 本发明属于半导体芯片技术领域，具体为一种自对准的U型沟槽制造方法。包括：以氧化硅为掩膜刻蚀半导体衬底；形成氮化硅侧墙；在暴露的半导体衬底上生长氧化硅；剥除氮化硅侧墙；以氧化硅为掩膜刻蚀暴露出的半导体衬底形成器件的U型沟槽。本发明采用自对准的技术来制造U形沟槽，可以降低图形的对准失配，提高产品的制造良率，特别适用于隧穿晶体管的制造。

公开(公告)号：CN101894840A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010221408.3

申请日：2010-07-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 臧松干 ,  刘昕彦 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体公开了一种半导体集成电路。该半导体集成电路包括一个栅控PNPN晶体管和一个MOS晶体管。所述集成电路中的栅控PNPN晶体管和MOS晶体管均采用凹陷型沟道结构，可在提高驱动电流的同时抑制漏电流的增加，即在降低芯片功耗的同时提高了芯片的性能。本发明还公开了所述半导体集成电路的制造方法。本发明所提出的半导体集成电路，特别适用于低功耗集成电路芯片的制造。

公开(公告)号：CN101866858B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010186373.4

申请日：2010-05-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 臧松干 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/22

Abstract: 本发明公开了一种凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法。凹陷型的沟道结构使得晶体管在减小漏电流的同时增大了驱动电流，也就是在降低芯片功耗的同时提高了芯片的性能。采用本发明的凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法，工艺过程简单，效率高，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN101814503B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201010141734.3

申请日：2010-04-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  臧松干 ,  张卫

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/12 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种互补栅控PNPN场效应晶体管及其制备方法。该晶体管由源极为窄禁带宽度的凹陷沟道的N型栅控PNPN场效应晶体管和P型栅控PNPN场效应晶体管组成。所述晶体管的凹陷沟道使其漏电流得到了抑制，同时，该晶体管采用了窄禁带宽度材料，其驱动电流也得到了提升。本发明还公开了上述晶体管的制造方法。本发明所提出的晶体管具有低漏电流、高驱动电流、低功耗、集成度高等优点。

公开(公告)号：CN101969061A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN201010293306.2

申请日：2010-09-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 臧松干 ,  刘昕彦 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/10 ,  H01L21/786

Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种鳍型隧穿晶体管集成电路及其制备方法。在基于绝缘体上的硅衬底的基础上，在隧穿晶体管中采用鳍型栅结构，并且采用高k介质作为栅介质，采用低k介质作为边墙材料。本发明所提出的鳍型隧穿晶体管集成电路，在提高集成电路驱动电流的同时，可以加快集成电路的开关速度，降低芯片功耗。进一步地，本发明还公开了所述鳍型隧穿晶体管集成电路的制造方法。

公开(公告)号：CN101916783A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010252925.7

申请日：2010-08-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 臧松干 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种凹陷沟道的横向和纵向扩散型场效应晶体管。本发明采用凹陷沟道和纵向扩散工艺，大大减小了器件尺寸，抑制了短沟道效应，并且在抑制漏致源端势垒降低的同时，也减小了器件结构中栅漏的寄生电容，提高了器件的响应频率，即在提高芯片集成度的同时增强了器件的响应频率。本发明还公开了该凹陷沟道的横向和纵向扩散型场效应晶体管的制造方法。

公开(公告)号：CN101807596A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN201010023062.6

申请日：2010-01-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  臧松干 ,  孙清清 ,  丁士进 ,  张卫

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/822 ,  H01L21/28 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属于非挥发性存储器件技术领域，具体公开了一种自对准半导体存储器结构。该半导体存储器结构采用隧穿晶体管来进行对相变存储器或阻变存储器比如擦写操作和读操作的控制，隧穿晶体管中垂直的栅控二极管结构不仅可以满足对阻变存储器和相变存储器进行写入的大电流要求，而且可以提高存储器件阵列的密度。同时，本发明还公开了一种制造所述半导体存储器结构的方法，该方法使存储器器件的制造工序简化，并且使制程更加稳定，非常适用于存储器芯片的制造。

公开(公告)号：CN101894866B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201010220542.1

申请日：2010-07-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 臧松干 ,  刘昕彦 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，具体为一种凹陷沟道的碰撞电离型场效应晶体管及其制造方法。包括一个半导体衬底，位于衬底底部的具有第一种掺杂类型的漏区，位于衬底内的凹槽结构，覆盖在凹槽内的栅极，位于栅极与半导体衬底之间的栅介质层；位于凹槽两侧、衬底顶部的具有第二种掺杂类型的源区，位于凹槽与源区之间的绝缘介质层。凹陷型沟道结构和碰撞电离工作原理的使用，使晶体管在抑制亚阈值摆幅的同时可提高驱动电流，进而提高器件的开关速度和响应频率，同时也减小器件的关态功耗。本发明的场效应晶体管非常适用于集成电路芯片的制造，特别是高速大功率芯片的制造。

公开(公告)号：CN101916783B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010252925.7

申请日：2010-08-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 臧松干 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种凹陷沟道的横向和纵向扩散型场效应晶体管。本发明采用凹陷沟道和纵向扩散工艺，大大减小了器件尺寸，抑制了短沟道效应，并且在抑制漏致源端势垒降低的同时，也减小了器件结构中栅漏的寄生电容，提高了器件的响应频率，即在提高芯片集成度的同时增强了器件的响应频率。本发明还公开了该凹陷沟道的横向和纵向扩散型场效应晶体管的制造方法。

公开(公告)号：CN101894866A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010220542.1

申请日：2010-07-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 臧松干 ,  刘昕彦 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，具体为一种凹陷沟道的碰撞电离型场效应晶体管及其制造方法。包括一个半导体衬底，位于衬底底部的具有第一种掺杂类型的漏区，位于衬底内的凹槽结构，覆盖在凹槽内的栅极，位于栅极与半导体衬底之间的栅介质层；位于凹槽两侧、衬底顶部的具有第二种掺杂类型的源区，位于凹槽与源区之间的绝缘介质层。凹陷型沟道结构和碰撞电离工作原理的使用，使晶体管在抑制亚阈值摆幅的同时可提高驱动电流，进而提高器件的开关速度和响应频率，同时也减小器件的关态功耗。本发明的场效应晶体管非常适用于集成电路芯片的制造，特别是高速大功率芯片的制造。