一种功率模块与散热器结构
    91.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117650108A

    公开(公告)日:2024-03-05

    申请号:CN202311720938.6

    申请日:2023-12-13

    Abstract: 本申请实施例提供了一种功率模块与散热器结构,包括:功率模块和散热器;功率模块设置有沿第一方向相对设置的两个限位凹槽;散热器设置有沿第一方向相对设置的两个限位凸起,一个限位凸起嵌设于一个限位凹槽,以对功率模块进行横向限位;其中,限位凹槽或限位凸起其中之一设置有弹性卡接件,限位凹槽与限位凸起其中另一设置有卡槽,卡槽与弹性卡接件配合卡接,以对功率模块进行纵向限位。本申请实施例的功率模块与散热器结构通过对功率模块的横向和纵向的双重限位可以使功率模块可靠固定在散热器上,且安装过程简单便捷,不会对功率模块造成损坏,有利于提高功率模块的使用安全性。

    一种智能功率模块及其制备方法

    公开(公告)号:CN114975128A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202110212995.8

    申请日:2021-02-25

    Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域,公开了一种智能功率模块及其制备方法,智能功率模块包括基板,基板上设有芯片、多个导电引脚,导电引脚的一端与芯片连接,另一端的端部形成焊接脚;外部引脚框架,外部引脚框架包括多个与多个焊接脚一一对应的引线,引线的一端的端部形成有连接结构;每组相互对应的连接结构和焊接脚中,连接结构包括:连接部、以及位于分别连接部两侧并朝向基板延伸的支撑部,支撑部的排列方向与焊接脚的排列方向相同,两个支撑部之间形成容纳空间,焊接脚位于两个支撑部之间。该智能功率模块中,支撑部隔绝相邻的两个焊接脚,回流焊时,降低相邻焊接脚上的结合材相连而导致短路风险;支撑部起到限位作用,降低焊接点错位风险。

    基于功率半导体器件的散热结构及安装方法

    公开(公告)号:CN111081661B

    公开(公告)日:2021-05-25

    申请号:CN201911339951.0

    申请日:2019-12-23

    Abstract: 本申请涉及一种基于功率半导体器件的散热结构及安装方法,所述散热结构包括:功率半导体器件、电路板、绝缘层、散热器以及固定组件;在电路板上设置有至少两个开孔,在至少两个开孔中设置有对应的至少两个固定组件;固定组件的一端外延至电路板的一侧,至少两个固定组件的外延部夹持固定功率半导体器件;固定组件的外延部还嵌入设置于散热器的一表面,以使通过电路板与散热器将功率半导体器件进行固定;绝缘层接触设置于功率半导体器件与散热器之间。如此通过将功率半导体器件夹持固定于电路板的一侧,增加了散热面积,有利于功率半导体器件散热,并且避免了因漏电将功率半导体器件或电路板烧毁的情况。

    一种绝缘栅结构及其制造方法以及功率器件

    公开(公告)号:CN112490283A

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN201910860978.8

    申请日:2019-09-11

    Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅结构,涉及功率半导体领域。包括绝缘部和第一介质,绝缘部具有一端开口的容纳槽,第一介质设置于容纳槽内;绝缘部包括相互连接的第一绝缘壁和第二绝缘壁,第一绝缘壁靠近开口,第一绝缘壁的厚度小于第二绝缘壁的厚度。由于增大了第二绝缘壁的厚度,使得绝缘部的整体平均厚度增加,从而降低了绝缘栅结构的栅极电容。在工作时,离子层组提供的电压只需在第一绝缘壁处形成反型层,即可使功率器件正常工作,而由于第一绝缘壁的厚度较薄,故而离子层组不需要提供过高的开启电压,从而较小了功率器件的能耗。由此可见,本发明提供的绝缘栅结构,在降低了绝缘栅结构的栅极电容的同时,避免了功率器件的能耗过高的问题。

    一种TO封装结构及封装方法

    公开(公告)号:CN112289755A

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:CN201910668280.6

    申请日:2019-07-23

    Abstract: 本发明提供了一种TO封装结构及封装方法,涉及芯片封装技术领域。其中,TO封装结构包括:壳体、基板及引脚,所述基板设置于所述壳体内,所述基板沿所述壳体的长度方向延伸;所述基板具有用于设置芯片的正面及反面,所述基板的正面与所述壳体的第一侧壁具有第一预设距离,所述基板的反面与所述壳体的第二侧壁具有第二预设距离,所述第一侧壁与所述第二侧壁相对设置;所述芯片连接有所述引脚。本方案中基板的两面均可以进行封装,能够使得每个壳体的使用面积得到提升,也就是每个壳体内的基板较现有技术可多封装芯片,有效降低了封装的成本,提高了壳体的利用效率。

    沟槽型功率器件及其形成方法
    96.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111261702A

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201811467502.X

    申请日:2018-12-03

    Abstract: 本发明公开了一种沟槽型功率器件及其形成方法,该器件包括有若干个元胞,每个所述元胞包括:元胞沟槽、形成于所述元胞沟槽侧壁上的多晶硅层、以及填充在所述元胞沟槽内的填充金属层;其中,所述填充金属层、所述多晶硅层、以及所述元胞沟槽的内壁之间分别绝缘设置。通过在元胞沟槽的侧壁上形成多晶硅(栅),形成多晶硅-填充金属层-多晶硅的复合结构,有利于改善器件使用过程中的Cgc反向电容,改善芯片开关特性,同时能降低开关损耗。

    功率器件封装方法及功率器件封装结构

    公开(公告)号:CN110504220A

    公开(公告)日:2019-11-26

    申请号:CN201910791503.8

    申请日:2019-08-26

    Abstract: 本发明涉及一种功率器件封装方法及功率器件封装结构,涉及半导体技术领域,用于提高现有的封装器件的过流能力题。本发明的功率器件封装方法,通过将第一芯片远离第一框架的侧面与第二芯片远离第二框架的侧面相连,并将所述第一框架与所述第二框架相连,使第一芯片、第二芯片、第一框架和第二框架能够被一同塑封在一个壳体内形成封装结构,使单个封装结构的过流能力增加大,从而降低应用端的成本;此外,由于将第一芯片和第二芯片都塑封在壳体内,因此相比塑封单个芯片的封装结构,相当于减少了封装结构的数量,从而大大缩减应用端实际体积。

    切筋装置及功率器件
    98.
    实用新型

    公开(公告)号:CN218798817U

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202223472360.0

    申请日:2022-12-23

    Abstract: 本申请涉及一种切筋装置及功率器件,该切筋装置包括机架、切筋组件以及震动件,机架上设置有输送轨道,输送轨道上设置有沿输送轨道延伸方向活动的输送件,输送件沿所述输送轨道的延伸方向间隔设置有多个产品;切筋组件设置于机架上,包括驱动组件以及位于输送轨道上方的切筋刀具,驱动组件驱动切筋刀具在靠近或远离产品的方向运动;震动件设置于切筋刀具上。通过震动件的震动带动切筋刀具的震动,切筋刀具在对产品切筋时在震动力的作用下可以减少切筋刀具的切筋压力,同时由于切筋刀具的震动还可以有效避免切筋刀具表面粘连碎屑,提高切筋质量,降低切筋刀具的磨损,降低不良风险。

    半导体器件封装模块
    99.
    实用新型

    公开(公告)号:CN217768361U

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202221521042.6

    申请日:2022-06-16

    Abstract: 本实用新型公开一种半导体器件封装模块,包括导线框架、半导体器件、封装体及平板热管;半导体器件具有至少一个底部引脚,底部引脚与导线框架的内接端子连接,并将半导体器件设置于导线框架顶部;导线框架、半导体器件封装于封装体内,并露出所述导线框架的外接端子;平板热管设置于所述半导体器件的顶部,平板热管全部或部分封装于所述封装体内。本实用新型通过将平板管引入半导体器件封装模块,利用平板热管将半导体器件的热量快速高效的转移,导热散热效率大大提升。此外,通过进一步设置上散热片和下散热片,并且分别暴露于封装体的顶部和底部,使得整个封装模块实现产品上下双面散热的效果。再者,上散热片和下散热片的横向开孔横向贯通封装体,更利于通过空气流通带走热量。

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