公开(公告)号：CN101359503A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810040934.2

申请日：2008-07-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  薛晓勇 ,  张佶 ,  吴雨欣 ,  胡倍源 ,  廖启宏 ,  徐乐

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  H01L27/115 ,  G11C16/10

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种电阻转换存储器及对这种存储器进行存储操作的方法。采用相变材料(如Ge2Sb2Te5)或者二元以上(包括二元)的多元金属氧化物(如CuxO1＜x≤2、WOx2≤x≤3、钛的氧化物、镍的氧化物、锆的氧化物、铝的氧化物、铌的氧化物、钽的氧化物等)作为存储电阻，每个存储单元中都包括两个存储电阻，每个存储电阻的第一电极都与同一个选通器件连接，第二电极与不同的位线耦连，形成同一存储单元中若干个存储电阻共享同一个选通器件的结构。这种存储器不仅大大提高存储集成密度，而且提供更强的写操作信号。

公开(公告)号：CN101315969A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810039607.5

申请日：2008-06-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  尹明 ,  周鹏

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体涉及一种具有掺杂控制层的电阻存储器。该电阻存储器包括：上电极、下电极、用于实现电阻值的存储转换的电阻存储介质层、用来实现对所述电阻存储介质层的金属元素掺杂及其掺杂含量控制的掺杂控制层。掺杂控制层与电阻存储介质层直接，上电极或者下电极中的金属元素透过掺杂控制层向存储介质层表面扩散，以实现对电阻存储介质层的可控低掺杂，从而达到稳定电阻存储器的电学性能的目的。

公开(公告)号：CN101232076A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810032764.3

申请日：2008-01-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  吕杭炳

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种消除CuxO电阻存储器形成电压的方法。生长完CuxO存储介质后，在N2、Ar、forming gas或真空等缺氧气氛中进行退火，表层CuO会由于缺氧而被还原成Cu2O，从而消除存储器第一次编程时的形成电压，降低写操作电流、电压，保护表层CuO下面的具有电阻转换特性的CuxO存储介质免受大电流破坏。本发明方法工艺简便，成本低，可显著改善CuxO电阻存储器的疲劳特性。

公开(公告)号：CN101118922A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710045407.6

申请日：2007-08-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  唐立

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体提供了一种以自对准形成的上电极作为保护层的CuxO电阻存储器及制造方法。所述的存储器包括：下电极为铜互连工艺中形成于沟槽中的铜引线，在铜引线上方形成的第一介质层和在第一介质层中形成的孔洞，位于孔洞底部的铜氧化形成的CuxO存储介质，以自对准方式形成于所述的CuxO存储介质之上和所述的介质层孔洞之中的金属上电极。在制作所述的电阻存储器时，以自对准形成的金属上电极层作为CuxO存储介质的保护层，无需为制作上电极图形增加掩膜和光刻步骤，可避免制作过程中的工艺步骤导致存储器件电阻波动和不均匀，提高可靠性。

公开(公告)号：CN101110393A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710043460.2

申请日：2007-07-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  唐立 ,  吕杭炳 ,  尹明 ,  傅秀峰

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器制备与铜互连工艺集成的方法。其步骤为：以CuxO存储介质上方形成的铜化合物介质层作为掩膜，或者以CuxO存储介质本身作为掩膜，刻蚀去除不需要形成存储介质的铜上的盖帽层。CuxO存储介质上方形成的铜化合物介质层是一种能够与盖帽层进行选择性刻蚀介质层，它可以为CuO、CuxN或CuON。这里，1＜x≤2。形成CuxO存储介质的方法可是等离子氧化方法，也可以热氧化方法。本发明方法工艺简便，成本低，效果好。

公开(公告)号：CN1971930A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610119296.4

申请日：2006-12-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吕杭炳 ,  林殷茵 ,  汤庭鳌

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体为一种多值存储相变存储器件的制备方法。它通过构建并联单元，实现相变存储器的多值存储。采用本发明方法制备的器件可以极大的提高存储密度，降低生产成本。

公开(公告)号：CN1808904A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200510110460.0

申请日：2006-03-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 赖练章 ,  汤庭鳌 ,  林殷茵

IPC: H03K19/0944

Abstract: 本发明属于大规模数字集成电路技术领域，具体为一种新型的高速抗噪声多米诺数字逻辑电路。该电路利用一个窄脉冲发生器有效地控制动态点，使输出动态点在信号输入情况下被正常下拉，而在噪声干扰情况下保持原有电平，实现极强的抗噪声能力。同时，采用了多支下拉网络并联的结构，消除了电流竞争现象，电路可以在很高的频率下工作。本电路结构具有很强的抗噪声能力和极高的操作速度，适应于深亚微米时代的高速VLSI设计。

公开(公告)号：CN1245761C

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN03141498.2

申请日：2003-07-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  谢宇涵 ,  汤庭鳌

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/22 ,  G11C14/00

Abstract: 本发明为一种非破坏性铁电不挥发多态数据存储方式及其储存单元。它根据MFIS单管单元的铁电特性，利用铁电薄膜剩余极化强度处于饱和、非饱和的多种状态，在一个单元中存储多位数据，从而增加存储信息，并为发展大容量的铁电不挥发存储器提供了基础。

公开(公告)号：CN114824063A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202110129813.0

申请日：2021-01-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 钟鑫 ,  林殷茵

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明属于自旋轨道扭矩磁性随机存取存储器技术领域，涉及一种具有多层同心圆柱体状单元结构的新型自旋轨道扭矩磁性随机存储装置(SOT‑MRAM)，本发明包括以永磁体材料制成的圆柱状磁芯，由内到外依次环形包覆非铁磁隔离层、非铁磁重金属层、第一铁磁金属层(自由层)、隧穿势垒层、第二铁磁金属层(参考层)、顶电极层。通过沿伸所述存储单元的永磁体柱芯和非铁磁重金属层，可以将多个存储单元连接成一条存储单元链，再通过合适的导线连接和传感器布局，将这些存储单元链组成高密度的三维阵列结构。

公开(公告)号：CN105808455B

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201410856607.X

申请日：2014-12-31

Applicant: 华为技术有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 杨任花 ,  赵俊峰 ,  杨伟 ,  王元钢 ,  林殷茵

IPC: G06F12/10 ,  G06F13/16

Abstract: 本发明实施例提供了一种访问内存的方法、存储级内存及计算机系统。所述计算机系统包括内存控制器和混合内存，所述混合内存包括动态随机存取存储器DRAM和存储级内存SCM。所述内存控制器用于向所述DRAM和所述SCM发送第一访问指令。所述SCM在确定接收的所述第一访问指令中的第一地址指向的所述DRAM的第一存储单元集合中包括保持时间比所述DRAM的刷新周期短的存储单元时，可以获得与所述第一地址具有映射关系的第二地址。进一步的，所述SCM根据所述第二地址将所述第一访问指令转换为访问SCM的第二访问指令，以实现对SCM的访问。本发明实施例提供的计算机系统能够在降低DRAM刷新功耗的基础上保证数据的正确性。