公开(公告)号：CN114824063A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202110129813.0

申请日：2021-01-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 钟鑫 ,  林殷茵

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明属于自旋轨道扭矩磁性随机存取存储器技术领域，涉及一种具有多层同心圆柱体状单元结构的新型自旋轨道扭矩磁性随机存储装置(SOT‑MRAM)，本发明包括以永磁体材料制成的圆柱状磁芯，由内到外依次环形包覆非铁磁隔离层、非铁磁重金属层、第一铁磁金属层(自由层)、隧穿势垒层、第二铁磁金属层(参考层)、顶电极层。通过沿伸所述存储单元的永磁体柱芯和非铁磁重金属层，可以将多个存储单元连接成一条存储单元链，再通过合适的导线连接和传感器布局，将这些存储单元链组成高密度的三维阵列结构。

公开(公告)号：CN115964018A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202111169960.7

申请日：2021-10-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 钟鑫 ,  林殷茵

IPC: G06F7/58

Abstract: 本发明属真随机数器生成器技术领域，具体涉及一种基于计算机内存系统的真随机数生成方法。本发明所述方法包括步骤：1)根据伪随机数生成取样地址；2)重复测取选中单元的retention time；3)将可变的retention time进行合适的算法处理后输出真随机数。本发明所述的方法仅利用计算机现有内存系统即可实现真随机数的生成，操作简易且成本低廉。