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公开(公告)号：CN105386124A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510931329.4
申请日：2015-12-15
Applicant: 北京大学
CPC classification number: C30B29/02 , C25F3/22 , C30B25/186 , C30B29/64
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯单晶及其快速生长方法。该方法包括：将退火后的铜箔进行一次钝化，再在恒定温度的条件下，依次进行一次生长、二次钝化、二次生长，再降温至室温停止生长，得到沉积在铜箔上的所述石墨烯单晶；其中，所述一次生长和二次生长步骤中，生长气氛均由还原性气体和碳源气体组成；且所述二次生长步骤中，碳源气体在所述生长气氛中的分压高于所述一次生长步骤中碳源气体的分压。该方法工艺简单，可大规模生产，单晶畴区尺寸达到亚厘米级，单晶质量高，能适用于电子学上的应用。
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公开(公告)号：CN103413594A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310349245.0
申请日：2013-08-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种拓扑绝缘体柔性透明导电材料及其制备方法与应用。其制备方法，包括如下步骤：1）将基底进行图案化或功能化修饰；2）将拓扑绝缘体置于气体流向的中部，步骤1）所得基底置于气体流向的下方，向所述反应器中通入载气进行沉积，沉积完毕后停止所述载气的通入，降温至室温，在所述基底表面得到拓扑绝缘体材料。利用该方法所得拓扑绝缘体柔性透明导电薄膜或纳米材料，具有宽波长范围内的高透光性，尤其是近红外区。此外，利用拓扑绝缘体特殊的金属表面态，可提供稳定的导电通道，使之具有高导电性，出色的抗扰动能力和机械性能。这类新型的柔性透明光电原件可用于光电子和纳电子学等领域。
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公开(公告)号：CN102849732A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210348152.1
申请日：2012-09-18
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种实现单层石墨烯非对称共价修饰的方法。该方法包括如下步骤：1)在衬底上制备石墨烯；2)在石墨烯表面进行共价化学修饰，得到单面修饰的石墨烯；3)将PMMA溶液旋涂至单面修饰的石墨烯表面，烘烤PMMA形成聚合物薄膜；然后在氢氟酸水溶液中刻蚀衬底，使石墨烯与衬底分离；4)以PMMA薄膜作为保护性基底，对单面修饰后石墨烯的另一侧进行与步骤2)方法不同的共价化学修饰，实现石墨烯的双面非对称修饰；5)将双面非对称修饰的石墨烯转移至另一衬底表面，除去PMMA薄膜，得到双面非对称修饰的石墨烯。本方法以PMMA薄膜作为操纵媒介，首次实现了单层石墨烯双面非对称共价修饰，适用于任何石墨烯共价修饰方法。
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公开(公告)号：CN113782593B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202010516637.1
申请日：2020-06-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种硒氧化铋原位热氧化物顶栅场效应晶体管及其制备方法。该方法将二维Bi2O2Se晶体进行原位氧化，使其表层氧化转化为一定厚度的栅氧化物Bi2SeO5。随后利用氢氟酸选择性刻蚀Bi2SeO5，暴露出源漏接触区域的Bi2O2Se。随后在栅氧化物区域沉积金属栅电极，再沉积金属源漏电极而得。本发明工艺流程简单，操作容易，成本低，器件性能优异，该硒氧化铋原位氧化物顶栅场效应晶体管在300K下的场效应迁移率可达300cm2V‑1s‑1，亚阈值摆幅可低至70mV/dec。本发明有望应用于大规模集成电路等领域；为Bi2O2Se半导体在逻辑电路、传感器和集成电路的应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN118773715A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410835876.1
申请日：2024-06-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种成分可调的超平整合金单晶晶圆的制备方法，属于单晶晶圆材料领域。本发明的铜镍合金单晶晶圆的制备方法，包括如下步骤：(1)采用磁控溅射的方法在蓝宝石上溅射一层镍膜，然后在镍膜上再溅射一层铜膜，得到铜/镍/蓝宝石；(2)将所述铜/镍/蓝宝石进行高温退火处理，得到所述铜镍合金单晶晶圆。本发明的方法可以制备4英寸的成分可调节的铜镍合金单晶晶圆，其表面平整度高、单晶面积大，在催化和电子器件、二维材料制备等领域具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111485224B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201910085922.X
申请日：2019-01-29
IPC: C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/26
Abstract: 本发明提供了一种化学气相沉积装置及化学气相沉积方法。化学气相沉积装置用于制备薄膜材料，包括第一腔室、第二腔室、过渡腔室、底盘以及传送机构。第一腔室和第二腔室用于薄膜材料的生长或后处理。过渡腔室通过隔离件分别连通于第一腔室和第二腔室。底盘用于装载生长衬底。传送机构被配置为在第一腔室和过渡腔室之间传送底盘，以及在第二腔室和过渡腔室之间传送底盘。本发明提供的化学气相沉积方法利用上述的装置进行薄膜材料的生长或后处理。
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公开(公告)号：CN118033179A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311799755.8
申请日：2023-12-25
IPC: G01Q30/20
Abstract: 本发明属于生物电镜技术领域，涉及封装生物样品的方法以及在冷冻电镜成像中的应用。特别地，本发明涉及利用两面石墨烯膜封装生物样品的方法以及利用两面石墨烯膜封装的生物样品，用以进行冷冻电镜或常温电镜观测。本文所述一种封装生物样品的方法包括如下步骤：(1)滴加合适浓度的生物样品溶液至石墨烯膜电镜载网，石墨烯膜电镜载网滴加生物样品前经过亲水化处理；(2)在滴加了样品的石墨烯膜电镜载网上方(或所滴加的样品上方)再额外施加自支撑石墨烯膜，以得到石墨烯膜封装样品。
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公开(公告)号：CN113802107B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202010546760.8
申请日：2020-06-16
IPC: C23C16/26 , C23C16/509 , C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种利用PECVD制备石墨烯的装置及方法，装置包括沉积炉、等离子体源、第一极板和第二极板，第一极板设置于沉积炉内，第一极板连接于等离子体源的发射端；第二极板设置于沉积炉内，第二极板与第一极板相对设置，且在沉积炉的第一区域具有重叠部分，第二极板连接于等离子体源的接地端。相比现有技术中的电感耦合的方式，由于第一极板和第二极板之间以电容耦合方式激发等离子体，使等离子的分布更均匀，生长在基底上的石墨烯更加均匀，提高了石墨烯薄膜的质量。通过相对设置的极板产生等离子体的方式，使两个极板间产生的辉光区域的面积相比现有技术线圈产生的辉光区域的面积更大，进而本实施例的装置能够生长出大尺寸的石墨烯。
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公开(公告)号：CN114408905B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210107288.7
申请日：2022-01-28
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/184 , C01B32/194 , C01B21/064
Abstract: 本发明公开了基于自组装单分子层实现自支撑二维材料可控制备及转移方法。该方法利用表面活性剂吸附在二维材料表面形成单分子层组装结构，以降低表面能，防止二维材料在气液界面发生卷曲和破损，从而实现英寸级、层数可控的自支撑二维材料的制备。该方法制备的自支撑石墨烯可转移至任意基底上，转移至多孔基底上的悬空石墨烯表面洁净、完整度高达99.5％，并可实现悬空石墨烯的批量制备；转移至硅片上的石墨烯表面无污染，相比于传统高分子辅助转移法，洁净度显著提升。本专利的自支撑石墨烯制备及转移方法工艺简单、具有普适性，适用于自支撑氮化硼的制备和转移，在高分辨电镜成像、热电子发光电子器件、同位素分离膜等领域具有重要应用前景。
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公开(公告)号：CN112746262B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201911035935.2
申请日：2019-10-29
IPC: C23C16/26 , C23C16/505 , C23C16/54 , C01B32/186
Abstract: 本公开提供一种石墨烯复合金属箔及其双面生长方法和装置，该装置包括化学气相沉积炉、放卷轴和收卷轴，其中化学气相沉积炉包括依次连接的等离子体辉光区和加热生长区；放卷轴和收卷轴分别位于化学气相沉积炉的两侧，通过放卷轴和收卷轴的转动，以带动金属箔进出化学气相沉积炉并在其上沉积生长石墨烯；其中等离子体辉光区内设有包括平板的支架，平板的上下区域均包括中空区域，金属箔平直通过平板表面并悬空于加热生长区，使金属箔双面生长石墨烯。该装置通过特殊的支架设计，可以在金属箔材基底上一次制备得到双面生长的垂直结构石墨烯，生长温度低，垂直结构石墨烯结构和总厚度可控性高，金属种类和材质适应性广，适用于工业化大规模生产。
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