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公开(公告)号：CN101503174B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910080079.2
申请日：2009-03-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种二氧化钛光催化切割石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：1)在衬底上制备石墨烯片层；2)在石英衬底上构建凸起的二氧化钛纳米结构层，得到二氧化钛掩膜；3)将二氧化钛掩模的二氧化钛纳米结构层与石墨烯片层接触，用紫外光进行光照，二氧化钛掩膜在紫外光照射下发生光催化反应的同时对石墨烯进行切割，得到图案化的石墨烯。本方法避免了溶液相的使用，具有效率高，反应条件温和，不受基底限制，因而与现行半导体工艺相兼容的优点，为石墨烯表面柔性电子学器件的开发奠定了基础。
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公开(公告)号：CN102849732B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210348152.1
申请日：2012-09-18
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种实现单层石墨烯非对称共价修饰的方法。该方法包括如下步骤：1)在衬底上制备石墨烯；2)在石墨烯表面进行共价化学修饰，得到单面修饰的石墨烯；3)将PMMA溶液旋涂至单面修饰的石墨烯表面，烘烤PMMA形成聚合物薄膜；然后在氢氟酸水溶液中刻蚀衬底，使石墨烯与衬底分离；4)以PMMA薄膜作为保护性基底，对单面修饰后石墨烯的另一侧进行与步骤2)方法不同的共价化学修饰，实现石墨烯的双面非对称修饰；5)将双面非对称修饰的石墨烯转移至另一衬底表面，除去PMMA薄膜，得到双面非对称修饰的石墨烯。本方法以PMMA薄膜作为操纵媒介，首次实现了单层石墨烯双面非对称共价修饰，适用于任何石墨烯共价修饰方法。
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公开(公告)号：CN101503174A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910080079.2
申请日：2009-03-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种二氧化钛光催化切割石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：1)在衬底上制备石墨烯片层；2)在石英衬底上构建凸起的二氧化钛纳米结构层，得到二氧化钛掩膜；3)将二氧化钛掩模的二氧化钛纳米结构层与石墨烯片层接触，用紫外光进行光照，二氧化钛掩膜在紫外光照射下发生光催化反应的同时对石墨烯进行切割，得到图案化的石墨烯。本方法避免了溶液相的使用，具有效率高，反应条件温和，不受基底限制，因而与现行半导体工艺相兼容的优点，为石墨烯表面柔性电子学器件的开发奠定了基础。
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公开(公告)号：CN102849732A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210348152.1
申请日：2012-09-18
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种实现单层石墨烯非对称共价修饰的方法。该方法包括如下步骤：1)在衬底上制备石墨烯；2)在石墨烯表面进行共价化学修饰，得到单面修饰的石墨烯；3)将PMMA溶液旋涂至单面修饰的石墨烯表面，烘烤PMMA形成聚合物薄膜；然后在氢氟酸水溶液中刻蚀衬底，使石墨烯与衬底分离；4)以PMMA薄膜作为保护性基底，对单面修饰后石墨烯的另一侧进行与步骤2)方法不同的共价化学修饰，实现石墨烯的双面非对称修饰；5)将双面非对称修饰的石墨烯转移至另一衬底表面，除去PMMA薄膜，得到双面非对称修饰的石墨烯。本方法以PMMA薄膜作为操纵媒介，首次实现了单层石墨烯双面非对称共价修饰，适用于任何石墨烯共价修饰方法。
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