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公开(公告)号：CN114804079A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110073600.0
申请日：2021-01-20
IPC: C01B32/182 , C01B32/194
Abstract: 本发明公开一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面形成辅助转移层，得到辅助转移层/石墨烯薄膜/金属基底复合体；除去所述金属基底，得到辅助转移层/石墨烯薄膜复合体；将所述辅助转移层/石墨烯薄膜复合体的石墨烯薄膜侧面向目标衬底贴合；以及用有机溶剂除去所述辅助转移层；其中所述辅助转移层为聚碳酸丙烯酯层或聚ε‑己内酯层。该方法利用聚碳酸丙烯酯层或聚ε‑己内酯层转移石墨烯薄膜，由于PPC或PCL与石墨烯表面相互作用弱且易溶于多种有机溶剂，可容易地将其从薄膜表面去除而不留下残留，因而可提高薄膜表面的洁净度。同时通过转移可获得多褶皱石墨烯薄膜，褶皱密度可达每100μm2内50‑60条。
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公开(公告)号：CN114956062A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110213872.6
申请日：2021-02-25
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开一种单晶晶圆石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于生长基底上的单晶晶圆石墨烯薄膜表面依次形成萜类小分子层、辅助支撑层并贴合热释放胶带，得到复合层；采用鼓泡剥离法将生长基底分离；待复合层干燥后，将其贴合到目标衬底；以及除去复合层中的热释放胶带和各胶层。本发明的单晶晶圆石墨烯薄膜的转移方法，通过构筑“热释放胶带/辅助支撑层辅助支撑层/萜类小分子层/单晶晶圆石墨烯薄膜/生长基底”的分层结构，基于鼓泡剥离法可以在数分钟之内与生长基底剥离，可以避免鼓泡过程对晶圆石墨烯薄膜的损坏；并且鼓泡剥离法不会损伤生长基底，生长基底可重复使用，可大幅降低生产成本。本发明的转移方法兼容石墨烯的层层转移。
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公开(公告)号：CN114804079B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202110073600.0
申请日：2021-01-20
IPC: C01B32/182 , C01B32/194
Abstract: 本发明公开一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面形成辅助转移层，得到辅助转移层/石墨烯薄膜/金属基底复合体；除去所述金属基底，得到辅助转移层/石墨烯薄膜复合体；将所述辅助转移层/石墨烯薄膜复合体的石墨烯薄膜侧面向目标衬底贴合；以及用有机溶剂除去所述辅助转移层；其中所述辅助转移层为聚碳酸丙烯酯层或聚ε‑己内酯层。该方法利用聚碳酸丙烯酯层或聚ε‑己内酯层转移石墨烯薄膜，由于PPC或PCL与石墨烯表面相互作用弱且易溶于多种有机溶剂，可容易地将其从薄膜表面去除而不留下残留，因而可提高薄膜表面的洁净度。同时通过转移可获得多褶皱石墨烯薄膜，褶皱密度可达每100μm2内50‑60条。
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公开(公告)号：CN102849732A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210348152.1
申请日：2012-09-18
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种实现单层石墨烯非对称共价修饰的方法。该方法包括如下步骤：1)在衬底上制备石墨烯；2)在石墨烯表面进行共价化学修饰，得到单面修饰的石墨烯；3)将PMMA溶液旋涂至单面修饰的石墨烯表面，烘烤PMMA形成聚合物薄膜；然后在氢氟酸水溶液中刻蚀衬底，使石墨烯与衬底分离；4)以PMMA薄膜作为保护性基底，对单面修饰后石墨烯的另一侧进行与步骤2)方法不同的共价化学修饰，实现石墨烯的双面非对称修饰；5)将双面非对称修饰的石墨烯转移至另一衬底表面，除去PMMA薄膜，得到双面非对称修饰的石墨烯。本方法以PMMA薄膜作为操纵媒介，首次实现了单层石墨烯双面非对称共价修饰，适用于任何石墨烯共价修饰方法。
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公开(公告)号：CN117163951A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311133385.4
申请日：2023-09-04
IPC: C01B32/194 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种石墨烯转移封装方法及该方法得到的石墨烯封装结构。本发明的方法包括：在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面形成有机胶层；在所述有机胶层表面贴合粘性支撑衬底；将粘性支撑衬底/有机胶层/石墨烯薄膜从金属基底剥离后转至目标衬底贴合；去除粘性支撑衬底，得到有机胶层/石墨烯薄膜/目标衬底。本发明的方法避免了聚合物转移媒介除去过程中的有机溶剂的使用和有机废液处理的问题，最大程度上保留了石墨烯的质量，提高了转移后石墨烯的完整度，易于获得高质量、均一的石墨烯薄膜。此外，保留聚合物转移媒介会对石墨烯薄膜提供持续的保护，免受环境中的水、氧气和其他杂质的影响，能对石墨烯薄膜进行有效封装，且可以适应大面积工业化规模转移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116692844A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310862702.X
申请日：2023-07-13
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯薄膜的无损转移方法。在石墨烯薄膜/金属基底上依次旋涂高分子复合薄膜并贴合热释放胶带TRT，通过机械剥离的方法将石墨烯薄膜与金属基底分离，将其贴合至目标衬底；低温冷却后直接将热释放胶带TRT和高分子复合薄膜撕除，实现了石墨烯薄膜的转移。步骤简单，溶剂只采用水，不涉及有机溶剂，安全环保，得到的石墨烯结构完整，有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN119144301A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411461564.5
申请日：2024-10-18
Applicant: 北京石墨烯研究院 , 北京大学 , 北京石墨烯研究院有限公司
IPC: C09K5/14
Abstract: 本发明公开一种导热粉体压片方法及该方法得到的片材。本发明的压片方法包括：将适量粘结剂和润滑剂分散于分散剂中形成均混合溶剂混合溶液；将导热粉体和所述混合溶剂混合溶液混合后压片。本发明的导热粉体压片方法，通过添加混合试剂(粘结剂和润滑剂)，相比于仅添加粘结剂，显著改善了粉体颗粒间的摩擦性能，便于压片后的样片更易取出，同时显著提升了粉体的压片成型过程中，样片的一致性和均匀性。解决了导热粉体在压片时颗粒间流动性差、容易散开、分层开裂以及粘冲崩解的关键问题，也避免了单独加粘结剂时可能出现的分布不均匀和脱模困难的现象。
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公开(公告)号：CN118201451A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211599931.9
申请日：2022-12-12
Abstract: 本发明公开了一种单晶石墨烯晶圆薄膜的转移方法。本发明的转移方法能够实现石墨烯晶圆的无损转移，完整度大于>90％。本发明的转移方法兼容石墨烯的层层转移，可实现1‑100层的均匀石墨烯晶圆的转移。此外，此转移方法操作简便快速，可在15分钟内轻松完成。
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公开(公告)号：CN116789127A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310890378.2
申请日：2023-07-19
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面旋涂高分子薄膜；在高分子薄膜上贴合热释放胶带TRT，形成TRT/高分子薄膜/石墨烯薄膜/金属基底复合结构；将TRT/高分子薄膜/石墨烯薄膜与金属基底分离；将TRT/高分子薄膜/石墨烯薄膜贴合至目标衬底；加热释放热释放胶带TRT，得到高分子薄膜/石墨烯薄膜/目标衬底复合结构，将去除TRT后的高分子薄膜/石墨烯薄膜/目标衬底复合结构继续保持在热台上；用水洗涤去除高分子薄膜，得到石墨烯薄膜/目标衬底复合结构。对石墨烯薄膜的损坏程度更小，可以得到完整度更高的石墨烯薄膜，且操作简便、原料环保，有利于工业化。
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公开(公告)号：CN102849732B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210348152.1
申请日：2012-09-18
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种实现单层石墨烯非对称共价修饰的方法。该方法包括如下步骤：1)在衬底上制备石墨烯；2)在石墨烯表面进行共价化学修饰，得到单面修饰的石墨烯；3)将PMMA溶液旋涂至单面修饰的石墨烯表面，烘烤PMMA形成聚合物薄膜；然后在氢氟酸水溶液中刻蚀衬底，使石墨烯与衬底分离；4)以PMMA薄膜作为保护性基底，对单面修饰后石墨烯的另一侧进行与步骤2)方法不同的共价化学修饰，实现石墨烯的双面非对称修饰；5)将双面非对称修饰的石墨烯转移至另一衬底表面，除去PMMA薄膜，得到双面非对称修饰的石墨烯。本方法以PMMA薄膜作为操纵媒介，首次实现了单层石墨烯双面非对称共价修饰，适用于任何石墨烯共价修饰方法。
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