公开(公告)号：CN113109370B

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202110333466.3

申请日：2021-03-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  高啸寅 ,  郑黎明 ,  姚雅婷 ,  李天然

IPC: G01N23/04 ,  G01N23/20 ,  G01N23/20008

Abstract: 本发明公开了一种具有圆孔阵列结构的透射电镜支撑膜及超平整石墨烯载网及其制备方法。该方法包括在圆孔阵列模板上使用真空镀膜依次镀上水溶性牺牲层和多孔电镜支撑膜，利用牺牲层的水溶性，使得多孔支撑膜飘在液面上。随后用商用载网将多孔支撑膜捞起，干燥后得到多孔膜‑载网的复合结构。基于此，通过洁净转移将超平整石墨烯转移至多孔膜上，即得超平整石墨烯载网。该方法解决了国内圆孔阵列电镜支撑膜的被卡脖子的技术问题，多孔电镜支撑膜良品率高，圆孔孔径和厚度可控，并可实现大面积制备。同时本发明制备的超平整石墨烯载网，石墨烯表面基本无褶皱，机械强度高，完整度在98％以上。此外，石墨烯表面洁净，无污染物，有利于提高成像质量。

公开(公告)号：CN113782593A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202010516637.1

申请日：2020-06-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  李天然 ,  涂腾

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  H01L21/443 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种硒氧化铋原位热氧化物顶栅场效应晶体管及其制备方法。该方法将二维Bi2O2Se晶体进行原位氧化，使其表层氧化转化为一定厚度的栅氧化物Bi2SeO5。随后利用氢氟酸选择性刻蚀Bi2SeO5，暴露出源漏接触区域的Bi2O2Se。随后在栅氧化物区域沉积金属栅电极，再沉积金属源漏电极而得。本发明工艺流程简单，操作容易，成本低，器件性能优异，该硒氧化铋原位氧化物顶栅场效应晶体管在300K下的场效应迁移率可达300cm2V‑1s‑1，亚阈值摆幅可低至70mV/dec。本发明有望应用于大规模集成电路等领域；为Bi2O2Se半导体在逻辑电路、传感器和集成电路的应用奠定了基础。

公开(公告)号：CN113109370A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110333466.3

申请日：2021-03-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  高啸寅 ,  郑黎明 ,  姚雅婷 ,  李天然

IPC: G01N23/04 ,  G01N23/20 ,  G01N23/20008

Abstract: 本发明公开了一种具有圆孔阵列结构的透射电镜支撑膜及超平整石墨烯载网及其制备方法。该方法包括在圆孔阵列模板上使用真空镀膜依次镀上水溶性牺牲层和多孔电镜支撑膜，利用牺牲层的水溶性，使得多孔支撑膜飘在液面上。随后用商用载网将多孔支撑膜捞起，干燥后得到多孔膜‑载网的复合结构。基于此，通过洁净转移将超平整石墨烯转移至多孔膜上，即得超平整石墨烯载网。该方法解决了国内圆孔阵列电镜支撑膜的被卡脖子的技术问题，多孔电镜支撑膜良品率高，圆孔孔径和厚度可控，并可实现大面积制备。同时本发明制备的超平整石墨烯载网，石墨烯表面基本无褶皱，机械强度高，完整度在98％以上。此外，石墨烯表面洁净，无污染物，有利于提高成像质量。

公开(公告)号：CN102558291A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201010592627.2

申请日：2010-12-17

Applicant: 北京大学人民医院

Inventor： 霍天龙 ,  杜湘珂 ,  李天然 ,  权光南 ,  魏正茂

IPC: C07K1/113 ,  G01N33/68

Abstract: 本发明公开了一种双模分子影像探针。本发明的螯合物，为螯合剂与特异识别待测物质的多肽通过共价键连接形成结合物，结合物再与放射性金属离子通过配位键连接形成的螯合物。本发明的双模探针是用153Gd3+放射性同位素作为单一成像核心，将特异性分子连接到螯合剂上，中心离子(153Gd3+放射性同位素)与螯合剂形成螯合物，同时行使MR成像功能和核医学成像功能。本发明的双模探针具有高度的稳定性和足够的信号强度。

公开(公告)号：CN113782593B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202010516637.1

申请日：2020-06-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  李天然 ,  涂腾

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  H01L21/443 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种硒氧化铋原位热氧化物顶栅场效应晶体管及其制备方法。该方法将二维Bi2O2Se晶体进行原位氧化，使其表层氧化转化为一定厚度的栅氧化物Bi2SeO5。随后利用氢氟酸选择性刻蚀Bi2SeO5，暴露出源漏接触区域的Bi2O2Se。随后在栅氧化物区域沉积金属栅电极，再沉积金属源漏电极而得。本发明工艺流程简单，操作容易，成本低，器件性能优异，该硒氧化铋原位氧化物顶栅场效应晶体管在300K下的场效应迁移率可达300cm2V‑1s‑1，亚阈值摆幅可低至70mV/dec。本发明有望应用于大规模集成电路等领域；为Bi2O2Se半导体在逻辑电路、传感器和集成电路的应用奠定了基础。

公开(公告)号：CN102558291B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201010592627.2

申请日：2010-12-17

Applicant: 北京大学人民医院

Inventor： 霍天龙 ,  杜湘珂 ,  李天然 ,  权光南 ,  魏正茂

IPC: C07K1/113 ,  G01N33/68

Abstract: 本发明公开了一种双模分子影像探针。本发明的螯合物，为螯合剂与特异识别待测物质的多肽通过共价键连接形成结合物，结合物再与放射性金属离子通过配位键连接形成的螯合物。本发明的双模探针是用153Gd3+放射性同位素作为单一成像核心，将特异性分子连接到螯合剂上，中心离子(153Gd3+放射性同位素)与螯合剂形成螯合物，同时行使MR成像功能和核医学成像功能。本发明的双模探针具有高度的稳定性和足够的信号强度。