-
公开(公告)号：CN118675983A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410836468.8
申请日：2024-06-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种超薄氧化铪/氮化硼复合栅介质的制备方法，属于二维材料集成电子学领域。本发明的氧化铪/氮化硼复合栅介质的制备方法是先制备超平整单晶氮化硼/CuNi(111)晶圆，然后通过原子层沉积的方法直接在单晶六方氮化硼/CuNi(111)晶圆上生长氧化铪薄膜，得到所述氧化铪/氮化硼复合栅介质。本发明的方法能够制备不同厚度的氧化铪/氮化硼晶圆，制备得到的复合栅介质平整，致密均匀，能够集成在二维材料电子器件上。
-
公开(公告)号：CN114836828B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110138724.2
申请日：2021-02-01
Abstract: 本申请提供一种大畴区石墨烯单晶的制备方法，其包括如下步骤：1)在微量氧化气氛对蓝宝石/金属基底进行退火；2)按照生长气体比例梯度增加的方式提供生长气体，在所述蓝宝石/金属基底上生长得到所述大畴区石墨烯单晶。本发明采用在单晶金属/蓝宝石晶圆基底上利用“外延+取向一致拼接”的方法制备单晶石墨烯薄膜，并且通过“微氧钝化退火+梯度供气”的方式，克服了在拼接过程中会出现的一定程度的转角或者缺陷，使得制得的单晶石墨烯薄膜更加完美，大大提高了所得石墨烯膜的品质，并且所得的石墨烯呈单晶形式，且所得石墨烯单晶畴区尺寸大，畴区尺寸数倍于常规方法得到的石墨烯单晶。
-
公开(公告)号：CN118773715A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410835876.1
申请日：2024-06-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种成分可调的超平整合金单晶晶圆的制备方法，属于单晶晶圆材料领域。本发明的铜镍合金单晶晶圆的制备方法，包括如下步骤：(1)采用磁控溅射的方法在蓝宝石上溅射一层镍膜，然后在镍膜上再溅射一层铜膜，得到铜/镍/蓝宝石；(2)将所述铜/镍/蓝宝石进行高温退火处理，得到所述铜镍合金单晶晶圆。本发明的方法可以制备4英寸的成分可调节的铜镍合金单晶晶圆，其表面平整度高、单晶面积大，在催化和电子器件、二维材料制备等领域具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN114836828A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110138724.2
申请日：2021-02-01
Abstract: 本申请提供一种大畴区石墨烯单晶的制备方法，其包括如下步骤：1)在微量氧化气氛对蓝宝石/金属基底进行退火；2)按照生长气体比例梯度增加的方式提供生长气体，在所述蓝宝石/金属基底上生长得到所述大畴区石墨烯单晶。本发明采用在单晶金属/蓝宝石晶圆基底上利用“外延+取向一致拼接”的方法制备单晶石墨烯薄膜，并且通过“微氧钝化退火+梯度供气”的方式，克服了在拼接过程中会出现的一定程度的转角或者缺陷，使得制得的单晶石墨烯薄膜更加完美，大大提高了所得石墨烯膜的品质，并且所得的石墨烯呈单晶形式，且所得石墨烯单晶畴区尺寸大，畴区尺寸数倍于常规方法得到的石墨烯单晶。
-
公开(公告)号：CN110205603B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910618248.7
申请日：2019-07-10
IPC: C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/02
Abstract: 本发明提供多层石墨烯及其制备方法，包括步骤如下：提供一铜箔；将铜箔贴合于基底上；退火处理贴合基底后的铜箔；于退火处理后的铜箔表面进行化学气相沉积生长石墨烯，得多层石墨烯；其中，铜箔与基底之间具有间隔，且间隔小于10μm。该方法通过预先对铜箔进行处理，使铜箔在进行化学气相沉积时，能够在其上下表面构造出不同的气流层，实现对碳源的持续性催化，最终获得高质量的多层石墨烯。此外，本发明的方法还不受尺寸限制，可实现多层石墨烯的放大生产，具有良好的工业化前景。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110205603A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910618248.7
申请日：2019-07-10
IPC: C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/02
Abstract: 本发明提供多层石墨烯及其制备方法，包括步骤如下：提供一铜箔；将铜箔贴合于基底上；退火处理贴合基底后的铜箔；于退火处理后的铜箔表面进行化学气相沉积生长石墨烯，得多层石墨烯；其中，铜箔与基底之间具有间隔，且间隔小于10μm。该方法通过预先对铜箔进行处理，使铜箔在进行化学气相沉积时，能够在其上下表面构造出不同的气流层，实现对碳源的持续性催化，最终获得高质量的多层石墨烯。此外，本发明的方法还不受尺寸限制，可实现多层石墨烯的放大生产，具有良好的工业化前景。
-
公开(公告)号：CN118745594A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410836113.9
申请日：2024-06-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备四英寸超平整单晶六方氮化硼晶圆的方法，属于材料领域。本发明的单晶六方氮化硼晶圆的制备方法，包括如下步骤：(1)采用磁控溅射的方法在蓝宝石上溅射一层镍膜，然后在镍膜上再溅射一层铜膜，得到铜/镍/蓝宝石；(2)将所述铜/镍/蓝宝石进行高温退火处理，得到单晶铜镍合金晶圆；(3)采用低压化学气相沉积在所述单晶铜镍合金晶圆上生长六方氮化硼，得到所述单晶六方氮化硼晶圆。本发明制备得到的六方氮化硼表面非常平整、单晶性高、无褶皱、封装性好，在通讯、电子、二维材料器件以及金属保护层等领域具有非常广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN109824046A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910237780.4
申请日：2019-03-27
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/194 , C01B32/186 , G01N23/2202 , G01N23/2251 , G01N23/2204
Abstract: 本发明公开了一种制备Janus结构的悬空石墨烯支撑膜的方法。该方法包括：通过化学气相沉积法在金属基底表面生长石墨烯薄膜，再制备悬空石墨烯薄膜，最后将所得悬空石墨烯置于等离子体清洗机中，对石墨烯表面进行功能化处理，得到亲疏水性可控、完整度高(>80％)的Janus石墨烯支撑膜。该制作方法工艺简单，一步等离子体处理便能够调控石墨烯的亲疏水性；并能通过增加掩模板制备图案化的Janus悬空石墨烯支撑膜。所得石墨烯支撑膜接触角范围广(50-90°)，涵盖了商用无定形碳电镜支撑膜的接触角范围(60-80°)，有利于生物蛋白、纳米颗粒等水溶性样品的有效负载和高分辨成像。
-
公开(公告)号：CN114657531A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011529709.2
申请日：2020-12-22
IPC: C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供一种石墨烯晶圆的生长方法和载具。所述方法为在蓝宝石/金属基底上气相沉积生长石墨烯晶圆，所述金属基底上方与设置一片材，所述片材与所述金属基底所处平面平行，所述金属基底与所述片材之间的间距d满足如下关系：0.5mm≤d≤2mm，所述片材在垂直方向的投影完全覆盖所述金属基底。本发明的石墨烯晶圆的生长方法，通过在金属基底上方设置片材以形成狭缝，由于狭缝的宽度在一定范围内，因此在生长过程中氧气相对于氢气分子量大难以进入狭缝，生长过程中金属基底被还原气氛保护，基底表面不会形成氧化斑点，从而避免基底表面产生缺陷，可以提升了生长的石墨烯晶圆的品质。
-
公开(公告)号：CN109824046B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201910237780.4
申请日：2019-03-27
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/194 , C01B32/186 , G01N23/2202 , G01N23/2251 , G01N23/2204
Abstract: 本发明公开了一种制备Janus结构的悬空石墨烯支撑膜的方法。该方法包括：通过化学气相沉积法在金属基底表面生长石墨烯薄膜，再制备悬空石墨烯薄膜，最后将所得悬空石墨烯置于等离子体清洗机中，对石墨烯表面进行功能化处理，得到亲疏水性可控、完整度高(>80％)的Janus石墨烯支撑膜。该制作方法工艺简单，一步等离子体处理便能够调控石墨烯的亲疏水性；并能通过增加掩模板制备图案化的Janus悬空石墨烯支撑膜。所得石墨烯支撑膜接触角范围广(50‑90°)，涵盖了商用无定形碳电镜支撑膜的接触角范围(60‑80°)，有利于生物蛋白、纳米颗粒等水溶性样品的有效负载和高分辨成像。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.018 seconds)
