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公开(公告)号：CN119750565A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411958336.9
申请日：2024-12-27
IPC: C01B32/205
Abstract: 本发明提供一种微米级厚石墨膜及其生长方法。将含碳量高的物质分散于有机溶剂中涂覆于金属箔上，干燥后得到碳膜/金属箔；或将含碳量高的物质制成薄片后放置在金属箔上，得到碳膜/金属箔；在保护性气氛中，对样品施加电流，利用电流焦耳热效应对所述碳膜/金属箔进行加热，停止通电，在金属箔表面得到微米级厚石墨膜。本发明利用金属衬底在高温‑低温的变温过程中对碳的溶解‑析出制备石墨膜，由于金属衬底对石墨晶格存在外延关系，因此能直接析出AB堆垛的石墨薄膜，从而在更低的温度下实现碳的石墨化；利用电流的焦耳热特性对反应体系进行辐射加热，有效提高了加热效率，实现了在数秒内从室温提升至生长温度，减少副反应带来的影响，提高原料利用率。
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公开(公告)号：CN116791199A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210247183.1
申请日：2022-03-14
Abstract: 本发明提供一种无孪晶单晶金属晶圆的制备方法。通过磁控溅射的方法在蓝宝石单晶晶圆衬底上溅射一定厚度的金属薄膜。将溅射好的金属/蓝宝石晶圆放置于平面加热板上，在金属晶圆和加热板之间放置一个一定尺寸的石墨垫片。石墨垫片位于金属晶圆中心位置的正下方，使得在平面加热板的升温过程中，金属晶圆位于一个由中心到边缘梯度分布的温度场中进行退火单晶化。通过调节石墨垫片的尺寸和加热板的温度，可以显著降低单晶金属晶圆的面内孪晶密度。本发明解决了现有金属晶圆单晶化过程中存在的面内孪晶问题，可以实现无孪晶单晶金属晶圆的可控制备。
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公开(公告)号：CN116675220A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202210160381.4
申请日：2022-02-22
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种批量制备石墨烯薄膜的方法，包括如下步骤：R1，将衬底与隔层相互交叠放置，形成叠层结构；R2，使用化学气相沉积法(CVD)生长石墨烯薄膜。通过对隔层材料种类及结构进行合理设计，既可避免高温下相邻衬底间的粘连，也可促进前驱体在衬底表面的扩散与传质。生长得到的各层石墨烯畴区直径可达几百微米，且具有较高的结晶质量。为进一步提升石墨烯的生长速度，可在R1步骤前在叠层结构表面实现催化剂的负载。通过催化剂的助催化，进一步加快衬底表面石墨烯的生长。这一方法的使用，可同时兼顾石墨烯的生长速度与单批产能，进而为石墨烯薄膜的批量制备提供了一条新的途径。
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公开(公告)号：CN112299399A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910680165.0
申请日：2019-07-26
IPC: C01B32/186
Abstract: 提供一种多层石墨烯的生长方法，包括如下步骤：S1，通过气相沉积在基底上形成石墨烯核；及S2，改变生长条件，继续生长，形成多层石墨烯。本发明的生长方法由于引入对生长条件的扰动，使第二层(或随后的更多层)石墨烯层的成核位点偏离第一层(或其前一层)石墨烯的成核位点，有效地减少了前一层石墨烯对接下来形成的一层石墨烯生长的诱导效应，能够获得非平凡扭转角的多层石墨烯，为进一步探索其能带结构以及这种新材料在电子、光电子以及催化方面的应用提供了便利。
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公开(公告)号：CN117328140A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311295004.2
申请日：2023-10-08
IPC: C30B29/02 , C30B25/18 , C01B32/186 , C01B32/188
Abstract: 本发明公开一种单晶石墨烯的制备方法及该方法制备的单晶石墨烯。所述制备方法包括：S1，在单晶铜箔材料表面镀镍形成铜‑镍复合箔材，将所述铜‑镍复合箔材在惰性气体氛围下进行退火处理得到铜镍合金单晶箔材；及S2，将所述铜镍合金单晶箔材作为基底气相沉积生长单晶石墨烯，其中所述气相沉积在惰性气体氛围下升温至700‑800℃，并进行退火处理，随后引入甲醇进行化学气相沉积生长。本发明所提供的制备方法利用更低的生长温度制备石墨烯薄膜，减少了应变能的积累，实现了石墨烯薄膜的无褶皱特性；利用易裂解碳源甲醇与高催化活性的铜镍衬底配合，有效地降低了低温下石墨烯薄膜的缺陷浓度，这也为石墨烯薄膜的有效应用提供便利。
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公开(公告)号：CN116943458A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210400148.9
申请日：2022-04-15
IPC: B01D71/64 , B01D71/50 , B01D71/36 , B01D71/26 , B01D71/06 , B01D71/02 , B01D69/12 , B01D67/00 , B01D59/10
Abstract: 本发明公开了一种利用金属膜辅助转移石墨烯薄膜的方法及其应用。本发明的方法通过金属膜辅助无需任何有机高分子胶层辅助，可消除残胶影响，转移后石墨烯薄膜完整度高、洁净区域广，并可实现批量制备。本发明方法工艺简单、耗时短，制备的复合膜中石墨烯完整度高，可达90％‑99％。并且制备的石墨烯复合膜无需去除金属膜，可直接应用于氢同位素分离。
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公开(公告)号：CN111847432B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202010725305.4
申请日：2020-07-24
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种大面积多层石墨烯及其制备方法，该制备方法包括：提供一基底，基底置于反应腔室；对基底加热并进行退火处理；及通入碳源，于退火处理后的基底上进行化学气相沉积反应生长石墨烯；其中，还包括在化学气相沉积反应时引入水蒸气于反应腔室，生长石墨烯时的压强为20Torr～400Torr。本发明通过在化学气相沉积生长石墨烯时，精准调控体系压强，并于特定阶段在体系内引入适量水蒸气，实现了大面积多层石墨烯的制备。该方法工艺简单、成本低，所得多层石墨烯具有层数均一、面积大等优势，对于实现多层石墨烯的进一步拓展应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN113622024A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202010380747.X
申请日：2020-05-08
Abstract: 本发明提供了一种单晶石墨烯的制备方法，包括通过化学气相沉积工艺制备所述单晶石墨烯；其中，所述化学气相沉积工艺包括如下步骤：S1：于不包含还原性气体的反应体系内，在基底上形成石墨烯核；以及S2：于还原性气体的作用下，在所述石墨烯核的基础上形成所述单晶石墨烯。本发明一实施方式的单晶石墨烯的制备方法，在石墨烯成核阶段未使用还原性气体，使得石墨烯核的取向完全受单晶基底的调控，实现取向一致。
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公开(公告)号：CN110883017B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201811051425.X
申请日：2018-09-10
IPC: B08B7/00
Abstract: 本发明提供一种静态清洁石墨烯表面的方法，包括：将活性炭复合物覆盖在石墨烯的表面；沿着垂直于所述表面的方向，对所述活性炭复合物施加压力，以使所述活性炭复合物粘附所述表面的污染物。本发明还提供实现上述方法的装置。本发明的方法和装置能够使活性炭复合物与石墨烯的表面进行充分的静态接触，通过活性炭复合物的吸附性去除石墨烯表面的污染物，从而实现对石墨烯的洁净处理，提升石墨烯的洁净度，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN111575757A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010450576.3
申请日：2020-05-25
IPC: C25D7/06 , C25D5/34 , C25D5/50 , C25D3/12 , C23C14/16 , C23C14/02 , C23C14/58 , C30B25/18 , C30B29/02 , B01J23/755
Abstract: 本发明提供一种铜镍合金及其制备方法和应用，以及二维材料生长衬底，该铜镍合金的制备方法包括：对铜箔进行预退火处理；预退火处理后的铜箔经镀镍处理得到铜镍复合箔；及铜镍复合箔经退火合金化处理，得到铜镍合金。本发明通过对铜箔进行预退火处理，可有效解决铜镍原子在退火合金化过程当中因应力释放导致的箔材卷曲、表面粗糙化的问题，得到表面平整度Ra＜150nm的铜镍合金。该铜镍合金可作为衬底生长二维材料，例如石墨烯，有效提高石墨烯质量，降低石墨烯转移破损率。本发明的制备方法工艺简单、成本低，对进一步实现和拓展石墨烯的高端应用具有重要的意义。
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