公开(公告)号：CN111485224B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN201910085922.X

申请日：2019-01-29

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  高翾 ,  张金灿 ,  刘晓婷 ,  马瑞 ,  李广亮 ,  孙禄钊 ,  贾开诚

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供了一种化学气相沉积装置及化学气相沉积方法。化学气相沉积装置用于制备薄膜材料，包括第一腔室、第二腔室、过渡腔室、底盘以及传送机构。第一腔室和第二腔室用于薄膜材料的生长或后处理。过渡腔室通过隔离件分别连通于第一腔室和第二腔室。底盘用于装载生长衬底。传送机构被配置为在第一腔室和过渡腔室之间传送底盘，以及在第二腔室和过渡腔室之间传送底盘。本发明提供的化学气相沉积方法利用上述的装置进行薄膜材料的生长或后处理。

公开(公告)号：CN113445030B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202010216388.4

申请日：2020-03-25

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  李广亮 ,  张金灿 ,  刘晓婷 ,  薛睿文 ,  陈恒

IPC: C23C16/56 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供了一种提高石墨烯薄膜洁净度的方法及石墨烯薄膜，该方法包括将石墨烯薄膜在真空环境中进行高温处理；其中，所述高温处理的温度为800～1050℃，所述石墨烯薄膜通过化学气相沉积方法制得。本发明一实施方式的方法，可在较大程度上提高石墨烯薄膜的洁净度，且洁净度的均匀性好。

公开(公告)号：CN113667960A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202010400896.8

申请日：2020-05-13

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  张金灿 ,  高欣 ,  张孟奇 ,  刘晓婷 ,  张月新 ,  李广亮

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供一种洁净双层及少层石墨烯薄膜及其制备方法，该制备方法包括：将基底置于含第一氧化气体的气氛中进行退火；将退火后的所述基底置于含还原气体、碳源以及第二氧化气体的反应混合气中，升温至生长温度进行石墨烯生长，得到洁净双层及少层石墨烯薄膜，其中所述还原气体、所述碳源以及所述第二氧化气体的流量比为1～2000:0.1～20:0.1～500。本发明的制备方法快速、简便、适于制备大面积双层及少层洁净石墨烯薄膜，提高了石墨烯薄膜的质量，同时成本低廉，具有良好的工业化前景。

公开(公告)号：CN111485224A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201910085922.X

申请日：2019-01-29

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  高翾 ,  张金灿 ,  刘晓婷 ,  马瑞 ,  李广亮 ,  孙禄钊 ,  贾开诚

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供了一种化学气相沉积装置及化学气相沉积方法。化学气相沉积装置用于制备薄膜材料，包括第一腔室、第二腔室、过渡腔室、底盘以及传送机构。第一腔室和第二腔室用于薄膜材料的生长或后处理。过渡腔室通过隔离件分别连通于第一腔室和第二腔室。底盘用于装载生长衬底。传送机构被配置为在第一腔室和过渡腔室之间传送底盘，以及在第二腔室和过渡腔室之间传送底盘。本发明提供的化学气相沉积方法利用上述的装置进行薄膜材料的生长或后处理。

公开(公告)号：CN113916622A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202010655942.9

申请日：2020-07-09

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  张月新 ,  张金灿 ,  陈恒 ,  李广亮 ,  张孟奇

IPC: G01N1/28 ,  G01N13/02

Abstract: 本发明提供了一种评估石墨烯薄膜洁净度的方法，包括通过水与石墨烯薄膜的接触角的大小来判断所述石墨烯薄膜表面的洁净度，所述洁净度是指所述石墨烯薄膜表面的洁净面积占所述石墨烯薄膜表面面积的比例。本发明一实施方式的方法，可快速、无损、大面积评估石墨烯薄膜的洁净度。

公开(公告)号：CN113445030A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202010216388.4

申请日：2020-03-25

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  李广亮 ,  张金灿 ,  刘晓婷 ,  薛睿文 ,  陈恒

IPC: C23C16/56 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供了一种提高石墨烯薄膜洁净度的方法及石墨烯薄膜，该方法包括将石墨烯薄膜在真空环境中进行高温处理；其中，所述高温处理的温度为800～1050℃，所述石墨烯薄膜通过化学气相沉积方法制得。本发明一实施方式的方法，可在较大程度上提高石墨烯薄膜的洁净度，且洁净度的均匀性好。

公开(公告)号：CN112301411A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910710763.8

申请日：2019-08-02

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  张金灿 ,  刘晓婷 ,  张月新 ,  李广亮

IPC: C30B1/02 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明一实施方式提供了一种制备单晶铜箔的方法，包括将多晶铜箔倾斜放置进行退火处理，制得所述单晶铜箔。本发明一实施方式的方法，快速、重复性高、成本低，可用于制备大尺寸的单晶铜箔。

公开(公告)号：CN110195251A

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201910598448.0

申请日：2019-07-04

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  李广亮 ,  张金灿 ,  刘晓婷 ,  张月新

IPC: C30B1/10 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明提供单晶铜箔及其制备方法，该方法包括将铜箔置于氧化性气体氛围中进行预氧化处理，使铜箔表面完全氧化；将表面完全氧化的铜箔置于还原性气体氛围中进行还原处理，得单晶铜箔。所得的单晶铜箔可以直接作为石墨烯生长基底，实现石墨烯的生长，避免了多次操作铜箔引起的褶皱问题，以提高石墨烯性能；也可以专门用于铜箔基底的预处理以大批量制备单晶铜基底，以应用于其他场合。本发明的方法还可实现快速批量、低成本、大面积的铜箔表面预处理，具有良好的工业化前景。

公开(公告)号：CN211311578U

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201921241279.7

申请日：2019-08-02

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  张月新 ,  张金灿 ,  刘晓婷 ,  李广亮

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/26

Abstract: 本实用新型提供一种用于批量化生长石墨烯薄膜的载具，包括用于承载生长衬底的多个支撑板和用于支撑多个支撑板的板架，板架呈空心方柱结构且其水平设置，板架包括两个相对设置的侧部，两个侧部的相互面对的一面开有多个相互独立的条形槽，两个侧部上的条形槽一一对应，支撑板能够沿着两个对应的条形槽插入板架内。

公开(公告)号：CN211014834U

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201922398529.4

申请日：2019-12-27

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  张金灿 ,  张月新 ,  刘晓婷 ,  李广亮 ,  张孟奇

IPC: G02B21/34

Abstract: 本实用新型提供了一种载物台，应用于一显微镜，载物台包括样品托、盖板和导向结构，样品托包括一用于放置样品的工作面，工作面具有多个下凹部，多个下凹部用于容纳多个样品；盖板可拆卸地覆盖于样品托的工作面，盖板包括多个观测孔，多个观测孔与多个下凹部一一对应，每个观测孔的面积小于与其对应的下凹部的面积；导向结构设于样品托和盖板。操作人员在进行样品观测时，一方面避免了样品的脱落，另一方面，由于样品放置于下凹部中而没有额外引入导电胶或其他粘性剂，实现了无损洁净观测。