公开(公告)号：CN113782593A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202010516637.1

申请日：2020-06-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  李天然 ,  涂腾

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  H01L21/443 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种硒氧化铋原位热氧化物顶栅场效应晶体管及其制备方法。该方法将二维Bi2O2Se晶体进行原位氧化，使其表层氧化转化为一定厚度的栅氧化物Bi2SeO5。随后利用氢氟酸选择性刻蚀Bi2SeO5，暴露出源漏接触区域的Bi2O2Se。随后在栅氧化物区域沉积金属栅电极，再沉积金属源漏电极而得。本发明工艺流程简单，操作容易，成本低，器件性能优异，该硒氧化铋原位氧化物顶栅场效应晶体管在300K下的场效应迁移率可达300cm2V‑1s‑1，亚阈值摆幅可低至70mV/dec。本发明有望应用于大规模集成电路等领域；为Bi2O2Se半导体在逻辑电路、传感器和集成电路的应用奠定了基础。

公开(公告)号：CN113782593B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202010516637.1

申请日：2020-06-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  李天然 ,  涂腾

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  H01L21/443 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种硒氧化铋原位热氧化物顶栅场效应晶体管及其制备方法。该方法将二维Bi2O2Se晶体进行原位氧化，使其表层氧化转化为一定厚度的栅氧化物Bi2SeO5。随后利用氢氟酸选择性刻蚀Bi2SeO5，暴露出源漏接触区域的Bi2O2Se。随后在栅氧化物区域沉积金属栅电极，再沉积金属源漏电极而得。本发明工艺流程简单，操作容易，成本低，器件性能优异，该硒氧化铋原位氧化物顶栅场效应晶体管在300K下的场效应迁移率可达300cm2V‑1s‑1，亚阈值摆幅可低至70mV/dec。本发明有望应用于大规模集成电路等领域；为Bi2O2Se半导体在逻辑电路、传感器和集成电路的应用奠定了基础。

公开(公告)号：CN115573036B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202110763379.1

申请日：2021-07-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  涂腾 ,  张聪聪 ,  朱永朝 ,  王璟岳

IPC: C30B29/46 ,  C30B25/00 ,  C30B33/02 ,  H01L29/51 ,  C30B33/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B29/64 ,  C30B28/02

Abstract: 本发明公开了一种高κ层状Bi2SeO5介电材料及其制备方法。该层状Bi2SeO5介电材料的制备方法，包括如下步骤：以Bi2O3粉末和SeO2粉末为原料，在抽真空的石英管中进行高温固相反应，反应完毕后即得到所述层状Bi2SeO5高纯粉体。将反应得到的Bi2SeO5粉体取出，研磨，二次封入石英管进行化学气相输运，反应完毕后即得到所述层状Bi2SeO5单晶块材。该方法简单易行、所得Bi2SeO5介电材料单晶块材尺寸大且易于解理成大面积纳米片，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN115573036A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202110763379.1

申请日：2021-07-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 ,  涂腾 ,  张聪聪 ,  朱永朝 ,  王璟岳

IPC: C30B29/46 ,  C30B25/00 ,  C30B33/02 ,  H01L29/51 ,  C30B33/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B29/64 ,  C30B28/02

Abstract: 本发明公开了一种高κ层状Bi2SeO5介电材料及其制备方法。该层状Bi2SeO5介电材料的制备方法，包括如下步骤：以Bi2O3粉末和SeO2粉末为原料，在抽真空的石英管中进行高温固相反应，反应完毕后即得到所述层状Bi2SeO5高纯粉体。将反应得到的Bi2SeO5粉体取出，研磨，二次封入石英管进行化学气相输运，反应完毕后即得到所述层状Bi2SeO5单晶块材。该方法简单易行、所得Bi2SeO5介电材料单晶块材尺寸大且易于解理成大面积纳米片，具有广阔的应用前景。