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公开(公告)号：CN118461125A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310141951.X
申请日：2023-02-08
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯单晶晶圆的层数控制方法。通过在石墨烯生长晶圆衬底表面增加遮盖物晶圆，构筑限域反应体系，实现石墨烯表面气相反应以及伴生双层结构的有效抑制，可以实现高单层率石墨烯单晶晶圆的可控制备。本发明将为石墨烯晶圆材料的品质提升提供技术支持，有助于推动石墨烯晶圆材料未来在电子与光电子器件的应用进展。
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公开(公告)号：CN118458756A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310133866.9
申请日：2023-02-08
IPC: C01B32/186 , C01B32/194 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种双层石墨烯晶圆及其制备方法，通过在石墨烯晶圆的生长过程中引入微量的二氧化碳气体，实现了AB堆垛的双层石墨烯晶圆的可控生长。本方法对于探究石墨烯晶圆层数的调控机理，实现双层石墨烯晶圆的可控制备来说具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN113916622A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202010655942.9
申请日：2020-07-09
Abstract: 本发明提供了一种评估石墨烯薄膜洁净度的方法，包括通过水与石墨烯薄膜的接触角的大小来判断所述石墨烯薄膜表面的洁净度，所述洁净度是指所述石墨烯薄膜表面的洁净面积占所述石墨烯薄膜表面面积的比例。本发明一实施方式的方法，可快速、无损、大面积评估石墨烯薄膜的洁净度。
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公开(公告)号：CN108821273A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201811109110.6
申请日：2018-09-21
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种真空石墨烯转移装置及真空石墨烯转移方法，真空石墨烯转移装置包括壳体、升降机构、支撑凸台以及加热装置。壳体内部具有真空腔体，升降机构设于壳体并包括可升降地设于真空腔体内的压板，石墨烯薄膜固定于压板底部。支撑凸台设于真空腔体内且位于压板下方，目标基底固定于支撑凸台上。加热装置，设于真空腔体内且连接于支撑凸台，加热装置用于通过支撑凸台加热目标基底。其中，真空石墨烯转移装置通过升降机构将石墨烯薄膜下压至目标基底上，并通过加热装置加热，将石墨烯薄膜转移至目标基底。从而实现提高石墨烯转移的完整度，同时降低了石墨烯水氧掺杂，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN119797352A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510038432.X
申请日：2025-01-09
IPC: C01B32/196
Abstract: 本发明公开一种清洁石墨烯表面的方法，采用电子束辐照清洁石墨烯表面。本发明的方法，可以实现石墨烯薄膜表面污染物的原位清洗，且可以不破坏石墨烯晶格结构。本发明的方法操作简单、清洗速率快、对污染物可实现定点清除，且对于不同种类的污染物均具有较好的清洁效果，方法普适度高，对于进一步实现和拓展CVD法制备石墨烯的高端应用具有重要的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115420653B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202110525854.1
申请日：2021-05-14
IPC: G01N13/02 , G01N23/22 , G01N23/2202 , G01N23/2206
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯薄膜亲水性的评估方法，包括如下步骤：(1)将石墨烯薄膜设置于多孔载网上，得到石墨烯薄膜/多孔载网；(2)在所述石墨烯薄膜/多孔载网的石墨烯薄膜表面设置水滴；(3)通过环境扫描电镜获取所述石墨烯薄膜表面水滴的形貌图；以及(4)通过所述形貌图计算得出或直接测量得到所述水滴的接触角θ。本发明一实施方式的方法，以不受衬底干扰的石墨烯薄膜作为评估对象，可以排除衬底对石墨烯亲水性测量的影响；同时通过环境扫描电镜的使用，可得到石墨烯薄膜表面水滴的更为清晰的形貌图。
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公开(公告)号：CN115420653A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202110525854.1
申请日：2021-05-14
IPC: G01N13/02 , G01N23/22 , G01N23/2202 , G01N23/2206
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯薄膜亲水性的评估方法，包括如下步骤：(1)将石墨烯薄膜设置于多孔载网上，得到石墨烯薄膜/多孔载网；(2)在所述石墨烯薄膜/多孔载网的石墨烯薄膜表面设置水滴；(3)通过环境扫描电镜获取所述石墨烯薄膜表面水滴的形貌图；以及(4)通过所述形貌图计算得出或直接测量得到所述水滴的接触角θ。本发明一实施方式的方法，以不受衬底干扰的石墨烯薄膜作为评估对象，可以排除衬底对石墨烯亲水性测量的影响；同时通过环境扫描电镜的使用，可得到石墨烯薄膜表面水滴的更为清晰的形貌图。
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公开(公告)号：CN110883017B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201811051425.X
申请日：2018-09-10
IPC: B08B7/00
Abstract: 本发明提供一种静态清洁石墨烯表面的方法，包括：将活性炭复合物覆盖在石墨烯的表面；沿着垂直于所述表面的方向，对所述活性炭复合物施加压力，以使所述活性炭复合物粘附所述表面的污染物。本发明还提供实现上述方法的装置。本发明的方法和装置能够使活性炭复合物与石墨烯的表面进行充分的静态接触，通过活性炭复合物的吸附性去除石墨烯表面的污染物，从而实现对石墨烯的洁净处理，提升石墨烯的洁净度，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN110195251A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910598448.0
申请日：2019-07-04
Abstract: 本发明提供单晶铜箔及其制备方法，该方法包括将铜箔置于氧化性气体氛围中进行预氧化处理，使铜箔表面完全氧化；将表面完全氧化的铜箔置于还原性气体氛围中进行还原处理，得单晶铜箔。所得的单晶铜箔可以直接作为石墨烯生长基底，实现石墨烯的生长，避免了多次操作铜箔引起的褶皱问题，以提高石墨烯性能；也可以专门用于铜箔基底的预处理以大批量制备单晶铜基底，以应用于其他场合。本发明的方法还可实现快速批量、低成本、大面积的铜箔表面预处理，具有良好的工业化前景。
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公开(公告)号：CN116789127A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310890378.2
申请日：2023-07-19
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面旋涂高分子薄膜；在高分子薄膜上贴合热释放胶带TRT，形成TRT/高分子薄膜/石墨烯薄膜/金属基底复合结构；将TRT/高分子薄膜/石墨烯薄膜与金属基底分离；将TRT/高分子薄膜/石墨烯薄膜贴合至目标衬底；加热释放热释放胶带TRT，得到高分子薄膜/石墨烯薄膜/目标衬底复合结构，将去除TRT后的高分子薄膜/石墨烯薄膜/目标衬底复合结构继续保持在热台上；用水洗涤去除高分子薄膜，得到石墨烯薄膜/目标衬底复合结构。对石墨烯薄膜的损坏程度更小，可以得到完整度更高的石墨烯薄膜，且操作简便、原料环保，有利于工业化。
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