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公开(公告)号：CN113802107B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202010546760.8
申请日：2020-06-16
IPC: C23C16/26 , C23C16/509 , C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种利用PECVD制备石墨烯的装置及方法，装置包括沉积炉、等离子体源、第一极板和第二极板，第一极板设置于沉积炉内，第一极板连接于等离子体源的发射端；第二极板设置于沉积炉内，第二极板与第一极板相对设置，且在沉积炉的第一区域具有重叠部分，第二极板连接于等离子体源的接地端。相比现有技术中的电感耦合的方式，由于第一极板和第二极板之间以电容耦合方式激发等离子体，使等离子的分布更均匀，生长在基底上的石墨烯更加均匀，提高了石墨烯薄膜的质量。通过相对设置的极板产生等离子体的方式，使两个极板间产生的辉光区域的面积相比现有技术线圈产生的辉光区域的面积更大，进而本实施例的装置能够生长出大尺寸的石墨烯。
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公开(公告)号：CN113802107A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202010546760.8
申请日：2020-06-16
IPC: C23C16/26 , C23C16/509 , C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种利用PECVD制备石墨烯的装置及方法，装置包括沉积炉、等离子体源、第一极板和第二极板，第一极板设置于沉积炉内，第一极板连接于等离子体源的发射端；第二极板设置于沉积炉内，第二极板与第一极板相对设置，且在沉积炉的第一区域具有重叠部分，第二极板连接于等离子体源的接地端。相比现有技术中的电感耦合的方式，由于第一极板和第二极板之间以电容耦合方式激发等离子体，使等离子的分布更均匀，生长在基底上的石墨烯更加均匀，提高了石墨烯薄膜的质量。通过相对设置的极板产生等离子体的方式，使两个极板间产生的辉光区域的面积相比现有技术线圈产生的辉光区域的面积更大，进而本实施例的装置能够生长出大尺寸的石墨烯。
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公开(公告)号：CN210973246U
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201922030564.0
申请日：2019-11-22
IPC: B65H23/038 , B65H23/02
Abstract: 本公开涉及卷绕装置技术领域，提出了一种卷绕纠偏机构及具有其的卷对卷CVD设备，卷绕纠偏机构位于卷对卷CVD设备的加热区之后，用于将位置发生偏移的金属箔材调整至原始位置，卷绕纠偏机构包括纠偏轴和固定轴，纠偏轴用于设置在卷对卷CVD设备的真空腔内；固定轴用于设置在真空腔内，金属箔材经过加热区之后依次绕过纠偏轴、固定轴以及卷对卷CVD设备的收料轴；其中，金属箔材搭设在纠偏轴上，纠偏轴可摆动地设置，以驱动金属箔材移动。通过纠偏轴带动位置发生偏移的金属箔材移动，即金属箔材受到的作用力方向会发生变化，在收料轴的拉动作用下，位置发生偏移的金属箔材会逐渐恢复到原始位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN213925012U
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202022782869.X
申请日：2020-11-26
Abstract: 本公开提供一种PECVD系统，包括具有线圈区和加热生长区的管式炉，加热生长区设置于线圈区的后端，其中PECVD系统还包括等离子体限域装置，所述等离子体限域装置包括管堵，管堵设置于管式炉内并位于线圈区的前端。该等离体子限域装置可以对PECVD系统中的等离子体进行有效限域，从而大幅度提高等离子体的利用率，提升产品质量，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN212425452U
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202021106694.4
申请日：2020-06-16
IPC: C01B32/186
Abstract: 本实用新型提供一种载具，应用于利用PECVD制备石墨烯的装置中，该装置包括两个相对设置的极板以及生长基底，载具包括套筒、多个第一支撑部和多个第二支撑部，套筒呈中空结构；多个第一支撑部设于套筒内，且沿垂直于极板的方向间隔设置；多个第二支撑部设于套筒内，且沿垂直于极板的方向间隔设置；每个极板的相对两侧能分别搭接于多个第一支撑部的其中一个上和多个第二支撑部的其中一个上，两个极板平行设置；生长基底的相对两侧能分别搭接于多个第一支撑部的另一个上和多个第二支撑部的另一个上，且生长基底位于两个极板之间。
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公开(公告)号：CN211112208U
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201922054359.8
申请日：2019-11-25
IPC: C23C16/458 , C23C16/26 , C23C16/505
Abstract: 本实用新型提供一种用于等离子体增强化学气相沉积工艺中的载具，包括空心支架和刚性狭缝，所述刚性狭缝由平行设置的两块矩形板限定、且所述刚性狭缝水平放置在所述空心支架上方。本实用新型的载具，由空心支架支撑刚性狭缝组成，放置在CVD炉的冷端的等离子体区域，石墨烯生长衬底平行穿过所述刚性狭缝，利用刚性狭缝的上矩形板可以有效地对冷端产生的非碳沉积物进行遮挡，提高石墨烯薄膜质量。石墨烯生长衬底水平通过刚性狭缝，可以防止生长衬底发生偏移或倾斜，得到表面生长均匀的高质量石墨烯薄膜产品。该载具结构简单，操作方便，适用于不同尺寸大小的CVD装备，解决现有石墨烯制备过程中由于衬底污染导致的石墨烯薄膜质量差的问题。
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公开(公告)号：CN118367051A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410454828.8
申请日：2024-04-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/18 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开了一种高光响应度的石墨烯硅光探测器及其制备方法和应用，属于集成光子器件技术领域。本发明的石墨烯硅光探测器包括硅波导衬底、扭转双层石墨烯、源极和漏极；所述扭转双层石墨烯作为有源区光吸收材料设置在硅波导衬底上；所述石墨烯两端设置源极和漏极。本发明的器件利用扭转双层石墨烯独特的范霍夫奇点能带结构实现增强光吸收，具有高光响应度及小器件尺寸等优势。
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公开(公告)号：CN119270533A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411581699.5
申请日：2024-11-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种高带宽的石墨烯/硅光强度调制器，属于硅基光电子集成芯片领域。该调制器包括硅光波导衬底、石墨烯‑高k栅介质‑石墨烯电容器结构、偏压端和接地端；所述硅光波导衬底上设置石墨烯‑高k栅介质‑石墨烯电容器结构；所述石墨烯‑高k栅介质‑石墨烯电容器结构由上、下两层石墨烯和上、下两层石墨烯中间的高k栅介质组成；所述上、下两层石墨烯两端分别设置偏压端和接地端。本发明的调制器利用无机分子晶体氧化锑/氧化铝作为复合高k栅介质，可以有效保持石墨烯的硅基室温载流子迁移率、剩余载流子浓度等材料电学品质，从而减小器件的电阻‑电容参数，为提升石墨烯/硅光强度调制器的高频模拟带宽提供了新的解决方案。
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