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公开(公告)号：CN115488074A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211203141.4
申请日：2022-09-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种管壳封装植球植柱前处理方法，包括对半导体器件的陶瓷管壳焊盘进行预处理，去除焊盘表面多余物；将经过预处理后的半导体器件放入激光清洗设备中，对陶瓷管壳焊盘进行激光清洗；将半导体器件置于等离子清洗设备中，对陶瓷管壳焊盘进行等离子活化。通过利用激光清洗的方式去除半导体器件的陶瓷管壳焊盘表面污染物，裸露出洁净的焊盘表面进行下一步的焊接工作，避免了污染物导致的有效焊接面积下降或者弱连接的问题，并且不会对陶瓷电路产生其余附加的损伤，能够显著的提高工作效率，可实现高强度的植球/植柱工艺，降低了陶瓷管壳的报废率，提高了产品的加工质量。
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公开(公告)号：CN116060729A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310158836.3
申请日：2023-02-23
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: B23K3/08
Abstract: 本发明公开一种CBGA电路植球沾锡防护工装及使用方法，包括底座、通用底座、第一凹腔、第二凹腔，所述底座和通用底座设置为板状结构，所述底座的中部设置第一凹腔，所述第一凹腔和通用底座的尺寸一致，所述通用底座的中部设置第二凹腔，所述第二凹腔的底部和地面水平，所述第二凹腔内设置待加工电路，所述第二凹腔的尺寸和待加工电路尺寸一致。包括以下步骤：将通用底座放置于第一凹腔中；将待加工电路焊盘面朝上放置于第二凹腔内；通过钢网对待加工电路进行加工；钢网加工完成后，进行回流焊接，直至完成电路加工。有效提高产品的加工质量，该工装操作简单，加工要求较低，可靠性高，且不影响生产加工效率，提高了CBGA电路植球的成品率和质量。
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公开(公告)号：CN112192944A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011057817.4
申请日：2020-09-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供一种CCGA器件锡膏印刷脱模装置及方法，包括固定基台和升降台；所述固定基台的顶部台面设有凹槽，凹槽内放置印刷工装真空吸附平台；印刷工装真空吸附平台上放置印刷底座，所述印刷底座上设有钢网；凹槽和印刷工装真空吸附平台上对应设有若干个升降顶针预留孔；所述升降台包括顶针固定平台、驱动单元和若干个顶针；顶针固定平台在固定基台的台底下方设置，顶针固定平台的底面设有传动件；驱动单元与传动件传动连接设置；若干个所述顶针固定设置在顶针固定平台的顶面上，且顶针穿过升降顶针预留孔设置；若干个所述顶针的顶部分别沿钢网的边框支撑设置；结构简单，设计合理，操作简单，避免了手动脱模中的不平稳性，显著提升印刷锡膏的成形质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117766418A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311415284.6
申请日：2023-10-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种CBGA器件高铅焊球偏移的校正工装及方法，属于微电子封装工艺技术领域，本工装采用定位孔相配合的底座和焊球放置板，通过定位孔的定位配合能够避免焊球之间的相互作用力，降低了回流焊接过程焊球偏移或连锡导致的外观不合格概率；底座和焊球放置板均采用石墨，一方面，石墨具有热导率高的特点，增加回流过程的热传导作用，避免腔体内陶瓷器件受热不均匀，陶瓷管壳表面的温度差可控制在1℃以内；另一方面，石墨具有较小的热膨胀系数和较好的润滑作用，减小回流过程的变形，还可实现焊球零损伤脱模，保证了CBGA器件的成品率在98％以上；本发明的结构简单，操作方便，且不影响生产效率，通用性强，具有良好的推广应用价值。
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公开(公告)号：CN115488074B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202211203141.4
申请日：2022-09-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种管壳封装植球植柱前处理方法，包括对半导体器件的陶瓷管壳焊盘进行预处理，去除焊盘表面多余物；将经过预处理后的半导体器件放入激光清洗设备中，对陶瓷管壳焊盘进行激光清洗；将半导体器件置于等离子清洗设备中，对陶瓷管壳焊盘进行等离子活化。通过利用激光清洗的方式去除半导体器件的陶瓷管壳焊盘表面污染物，裸露出洁净的焊盘表面进行下一步的焊接工作，避免了污染物导致的有效焊接面积下降或者弱连接的问题，并且不会对陶瓷电路产生其余附加的损伤，能够显著的提高工作效率，可实现高强度的植球/植柱工艺，降低了陶瓷管壳的报废率，提高了产品的加工质量。
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公开(公告)号：CN116344495A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310342926.8
申请日：2023-03-31
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/485 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及电子封装技术领域，尤其涉及一种微模组封装引出结构及制备方法，引出结构包括凸点下金属触垫、柔性焊柱和凸点焊球，凸点下金属触垫与微模组的金属再布线层连接；柔性焊柱包括金属细柱簇和金属焊盘，凸点焊球焊接在金属焊盘上；金属细柱簇包括若干金属细柱，金属细柱的一端与金属焊盘连接，另一端与凸点下金属触垫连接；相邻金属细柱的间隙内填充有细柱保护层。本发明能有效缓解微模组和电路板直接装焊结构的热应力失配，使得微模组可以直接安装焊接在电路板上，不再需要通过塑封基板或陶封基板来做中间的电转接和应力缓冲，从而降低微模组器件的体积、重量和成本，更好的满足电子系统小型化需求。
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公开(公告)号：CN115425019A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211058003.1
申请日：2022-08-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L25/16 , H01L23/498 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/603 , H01L23/49 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种多芯片桥接集成结构及其组装方法，集成结构包括若干电路单元，电路单元中的第一芯片通过第一微凸点阵列键合在转接板上，第二芯片转接板连接部的外引脚通过第二微凸点阵列键合在转接板上，第二芯片封装基板连接部的外引脚通过焊柱阵列键合在封装基板上，转接板通过焊球构成的焊球阵列键合在封装基板上，所述第一芯片和第二芯片之间通过第一微凸点、转接板上的金属布线和第二微凸点构成的电互连通路实现，所述转接板上开设有若干导电通道。在芯片结构需要阵列式扩展时，电路单元能够沿横向和/或纵向扩展，转接板的面积不需要成倍的相应扩展，能够提高转接板在工作过程中的可靠性，保证转接板良率，并且降低成本。
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公开(公告)号：CN112164670A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011045075.3
申请日：2020-09-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供一种CCGA器件的视觉对位植柱装置及方法，包括底座、焊柱承载板和双光学对准系统；焊柱承载板上加工有固定焊柱的通孔阵列，在焊柱承载板的空白区域内设有若干个焊柱承载板对位参考点；若干个焊柱承载板对位参考点在焊柱承载板上沿通孔阵列的边缘设置；底座上加工设置有焊柱承载板容纳凹腔，在焊柱承载板容纳凹腔内设有待植柱器件定位凹腔，且在待植柱器件定位凹腔的边缘对应焊柱承载板对位参考点的位置处分别设有底座对位参考点；通孔阵列的位置与放置在待植柱器件定位凹腔内的待植柱器件对应设置；焊柱承载板的形状与焊柱承载板容纳凹腔对应设置；加工要求较低，操作方便，可实现高精度、低损伤的植柱工艺，提高了CCGA器件的成品率和质量。
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