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公开(公告)号：CN115488074B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202211203141.4
申请日：2022-09-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种管壳封装植球植柱前处理方法，包括对半导体器件的陶瓷管壳焊盘进行预处理，去除焊盘表面多余物；将经过预处理后的半导体器件放入激光清洗设备中，对陶瓷管壳焊盘进行激光清洗；将半导体器件置于等离子清洗设备中，对陶瓷管壳焊盘进行等离子活化。通过利用激光清洗的方式去除半导体器件的陶瓷管壳焊盘表面污染物，裸露出洁净的焊盘表面进行下一步的焊接工作，避免了污染物导致的有效焊接面积下降或者弱连接的问题，并且不会对陶瓷电路产生其余附加的损伤，能够显著的提高工作效率，可实现高强度的植球/植柱工艺，降低了陶瓷管壳的报废率，提高了产品的加工质量。
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公开(公告)号：CN115488074A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211203141.4
申请日：2022-09-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种管壳封装植球植柱前处理方法，包括对半导体器件的陶瓷管壳焊盘进行预处理，去除焊盘表面多余物；将经过预处理后的半导体器件放入激光清洗设备中，对陶瓷管壳焊盘进行激光清洗；将半导体器件置于等离子清洗设备中，对陶瓷管壳焊盘进行等离子活化。通过利用激光清洗的方式去除半导体器件的陶瓷管壳焊盘表面污染物，裸露出洁净的焊盘表面进行下一步的焊接工作，避免了污染物导致的有效焊接面积下降或者弱连接的问题，并且不会对陶瓷电路产生其余附加的损伤，能够显著的提高工作效率，可实现高强度的植球/植柱工艺，降低了陶瓷管壳的报废率，提高了产品的加工质量。
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公开(公告)号：CN116060729A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310158836.3
申请日：2023-02-23
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: B23K3/08
Abstract: 本发明公开一种CBGA电路植球沾锡防护工装及使用方法，包括底座、通用底座、第一凹腔、第二凹腔，所述底座和通用底座设置为板状结构，所述底座的中部设置第一凹腔，所述第一凹腔和通用底座的尺寸一致，所述通用底座的中部设置第二凹腔，所述第二凹腔的底部和地面水平，所述第二凹腔内设置待加工电路，所述第二凹腔的尺寸和待加工电路尺寸一致。包括以下步骤：将通用底座放置于第一凹腔中；将待加工电路焊盘面朝上放置于第二凹腔内；通过钢网对待加工电路进行加工；钢网加工完成后，进行回流焊接，直至完成电路加工。有效提高产品的加工质量，该工装操作简单，加工要求较低，可靠性高，且不影响生产加工效率，提高了CBGA电路植球的成品率和质量。
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