一种凸点制备方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114927423A

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202210535772.X

    申请日:2022-05-17

    Abstract: 本发明公开了一种凸点制备方法,包括:在载板的表面制作粘附层;按照待制备凸点的图形化阵列,向所述粘附层上放置焊料;在芯片的表面制作粘附层,将所述芯片上的粘附层朝向所述焊料,使得所述芯片上的粘附层与所述焊料接触;向所述芯片施加朝向所述载板的压力,并对所述焊料进行加热,所述焊料发生融化变形成为腰鼓形凸点,并且与所述芯片连接;将所述载板与所述焊料分离后,完成凸点制备。本发明的凸点制备成本低,凸点共面性好。

    一种多芯片桥接集成结构及其组装方法

    公开(公告)号:CN115425019A

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN202211058003.1

    申请日:2022-08-30

    Abstract: 本发明公开了一种多芯片桥接集成结构及其组装方法,集成结构包括若干电路单元,电路单元中的第一芯片通过第一微凸点阵列键合在转接板上,第二芯片转接板连接部的外引脚通过第二微凸点阵列键合在转接板上,第二芯片封装基板连接部的外引脚通过焊柱阵列键合在封装基板上,转接板通过焊球构成的焊球阵列键合在封装基板上,所述第一芯片和第二芯片之间通过第一微凸点、转接板上的金属布线和第二微凸点构成的电互连通路实现,所述转接板上开设有若干导电通道。在芯片结构需要阵列式扩展时,电路单元能够沿横向和/或纵向扩展,转接板的面积不需要成倍的相应扩展,能够提高转接板在工作过程中的可靠性,保证转接板良率,并且降低成本。

    一种形成三维立体堆叠芯片结构的底部填充方法

    公开(公告)号:CN114582842A

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202210190254.9

    申请日:2022-02-28

    Abstract: 本发明公开了一种形成三维立体堆叠芯片结构的底部填充方法,针对已划片的、尺寸差异不大的单颗芯片,通过临时键合工艺将待填充产品固定在上下两个载片之间,制作出施胶区域,待胶水固化后再解键合去除临时键合载片,载片起到承载胶水的作用且形成一个毛细通道,临时键合材料可对产品与载片之间起到很好地连接和保护作用,不会导致胶水流入产品与载片之间而污染产品表面,且胶水固化后通过解键合工艺可方便的去除临时键合材料及载片。该方法的公开有益于缩小三维集成尺寸、提高集成度,该方法无需多种填充胶水的使用,工艺简单。

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