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公开(公告)号:CN118571767A
公开(公告)日:2024-08-30
申请号:CN202410755326.9
申请日:2024-06-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/56 , H01L21/768 , H10B80/00 , H01L25/00 , H01L23/31 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种立体集成芯片、立体集成芯片的EMC塑封方法,该方法包括:S1:对立体集成芯片切边;S2:对立体集成芯片塑封前去杂质处理;S3:对立体集成芯片进行5面或6面的EMC塑封,得到塑封后的立体集成芯片;S4:对每个塑封后的立体集成芯片制备通孔;S5:对通孔进行金属填充,完成立体集成芯片的EMC塑封。以解如何保证封装过程中芯片的底部不受损、无脏污的情况下,实现多层立体集成芯片的封装以及多层立体芯片的堆叠的技术问题。
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公开(公告)号:CN117766418A
公开(公告)日:2024-03-26
申请号:CN202311415284.6
申请日:2023-10-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种CBGA器件高铅焊球偏移的校正工装及方法,属于微电子封装工艺技术领域,本工装采用定位孔相配合的底座和焊球放置板,通过定位孔的定位配合能够避免焊球之间的相互作用力,降低了回流焊接过程焊球偏移或连锡导致的外观不合格概率;底座和焊球放置板均采用石墨,一方面,石墨具有热导率高的特点,增加回流过程的热传导作用,避免腔体内陶瓷器件受热不均匀,陶瓷管壳表面的温度差可控制在1℃以内;另一方面,石墨具有较小的热膨胀系数和较好的润滑作用,减小回流过程的变形,还可实现焊球零损伤脱模,保证了CBGA器件的成品率在98%以上;本发明的结构简单,操作方便,且不影响生产效率,通用性强,具有良好的推广应用价值。
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