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公开(公告)号：CN104282760A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410330666.3
申请日：2014-07-11
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/04
Abstract: 公开了一种半导体器件，其中氧化物半导体膜的质量得到稳定，同时氧化物半导体具有高迁移率的属性得到利用。该半导体器件包括氧化物半导体层和电极。电极耦接到氧化物半导体层的一个表面。氧化物半导体层的从所述一个表面跨越到深度t处的部分成为有序层。有序层是包括多个有序区域的区域，在每个有序区域中原子的排列符合特定规则。在与所述一个表面垂直的方向上的截面中所述有序区域的最大宽度为2nm或更小。
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公开(公告)号：CN103681691A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310400070.1
申请日：2013-09-05
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/423 , H01L21/77
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/76897 , H01L21/8221 , H01L23/485 , H01L23/522 , H01L23/53295 , H01L27/0688 , H01L27/088 , H01L27/1225 , H01L29/66477 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/78648 , H01L29/78696 , H01L29/792 , H01L2924/00011 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L2224/80001
Abstract: 提供了一种用于顶栅结构中栅极电极和沟道之间的电隔离的配线层内有源元件（部件）。一种半导体装置，包括第一配线层、第二配线层和半导体元件。所述第一配线层具有第一层间绝缘层和嵌入所述第一层间绝缘层的第一配线。所述第二配线层具有第二层间绝缘层和嵌入所述第二层间绝缘层的第二配线。所述半导体元件至少设置在所述第二配线层中。所述半导体元件包括：设置在所述第二配线层中的半导体层、设置成与所述半导体层接触的栅极绝缘膜、通过所述栅极绝缘膜设置在与所述半导体层相对的侧上的栅极电极、以及设置在所述半导体层的侧面上的第一侧壁膜。
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公开(公告)号：CN102800707A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210166810.5
申请日：2012-05-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L27/12 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02565 , H01L21/76829 , H01L21/76877 , H01L23/522 , H01L23/5226 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明使得能够降低半导体元件的导通电阻而不会妨碍半导体器件中的防扩散膜的功能，该半导体器件具有使用布线层中的布线作为栅电极并且具有与防扩散膜在同一层中的栅极绝缘膜的半导体元件。第一布线和栅电极嵌入在包括第一布线层的绝缘层的表面层中。防扩散膜形成在第一布线层和第二布线层之间。通过在防扩散膜的上面上与栅电极重叠的区域中以及该区域周围形成凹陷；并且减薄该部分来形成栅极绝缘膜。
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公开(公告)号：CN103904109B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201310741171.5
申请日：2013-12-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/49 , H01L29/772 , H01L21/28 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。本发明可以增加在布线层中形成的有源元件中的栅极绝缘膜的选择性。根据本发明的半导体器件具有使用形成于布线层中的Al布线之上的抗反射膜作为栅极布线的底栅型晶体管。
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公开(公告)号：CN103247683B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201310041425.2
申请日：2013-02-01
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76895 , H01L21/76849 , H01L21/823885 , H01L23/49822 , H01L27/0688 , H01L27/10858 , H01L27/1104 , H01L27/11551 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/401 , H01L29/66742 , H01L29/78 , H01L29/78642 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和用于制造半导体器件的方法。提高被设置在多层布线层中的半导体元件的性能。半导体器件包括：第一布线，该第一布线被设置在第一布线层中；第二布线，该第二布线被设置在被堆叠在第一布线层上的第二布线层中；栅电极，该栅电极在第一布线层和第二布线层的堆叠方向中被布置在第一布线和第二布线之间，并且没有与第一布线和第二布线耦合；栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜被设置在栅电极的侧表面上；以及半导体层，该半导体层经由栅极绝缘膜被设置在栅电极的侧表面上，并且与第一布线和第二布线耦合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102800707B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210166810.5
申请日：2012-05-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L27/12 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02565 , H01L21/76829 , H01L21/76877 , H01L23/522 , H01L23/5226 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明使得能够降低半导体元件的导通电阻而不会妨碍半导体器件中的防扩散膜的功能，该半导体器件具有使用布线层中的布线作为栅电极并且具有与防扩散膜在同一层中的栅极绝缘膜的半导体元件。第一布线和栅电极嵌入在包括第一布线层的绝缘层的表面层中。防扩散膜形成在第一布线层和第二布线层之间。通过在防扩散膜的上面上与栅电极重叠的区域中以及该区域周围形成凹陷；并且减薄该部分来形成栅极绝缘膜。
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公开(公告)号：CN103247683A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310041425.2
申请日：2013-02-01
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76895 , H01L21/76849 , H01L21/823885 , H01L23/49822 , H01L27/0688 , H01L27/10858 , H01L27/1104 , H01L27/11551 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/401 , H01L29/66742 , H01L29/78 , H01L29/78642 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和用于制造半导体器件的方法。提高被设置在多层布线层中的半导体元件的性能。半导体器件包括：第一布线，该第一布线被设置在第一布线层中；第二布线，该第二布线被设置在被堆叠在第一布线层上的第二布线层中；栅电极，该栅电极在第一布线层和第二布线层的堆叠方向中被布置在第一布线和第二布线之间，并且没有与第一布线和第二布线耦合；栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜被设置在栅电极的侧表面上；以及半导体层，该半导体层经由栅极绝缘膜被设置在栅电极的侧表面上，并且与第一布线和第二布线耦合。
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公开(公告)号：CN107256846A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710243114.2
申请日：2013-09-05
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L27/06 , H01L27/12
Abstract: 提供了一种用于顶栅结构中栅极电极和沟道之间的电隔离的配线层内有源元件(部件)。一种半导体装置，包括第一配线层、第二配线层和半导体元件。所述第一配线层具有第一层间绝缘层和嵌入所述第一层间绝缘层的第一配线。所述第二配线层具有第二层间绝缘层和嵌入所述第二层间绝缘层的第二配线。所述半导体元件至少设置在所述第二配线层中。所述半导体元件包括：设置在所述第二配线层中的半导体层、设置成与所述半导体层接触的栅极绝缘膜、通过所述栅极绝缘膜设置在与所述半导体层相对的侧上的栅极电极、以及设置在所述半导体层的侧面上的第一侧壁膜。
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公开(公告)号：CN103632921B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201310379457.3
申请日：2013-08-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/8238 , H01L29/00
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L21/8238 , H01L21/823857 , H01L21/823871 , H01L21/8254 , H01L27/0688 , H01L27/092 , H01L27/1203 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种包括在相同布线层中共存的N型半导体层和P型半导体层而对半导体层的性质无影响的半导体器件。该半导体器件包括具有第一布线的第一布线层、具有第二布线的第二布线层以及在第一布线层和第二布线层中提供的第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极电极、第一栅极绝缘膜、第一氧化物半导体层、第一硬掩模层和覆盖第一氧化物半导体层的侧部的第一绝缘侧壁。第二晶体管包括第二栅极电极、第二栅极绝缘膜、第二氧化物半导体层和第二硬掩模层。
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公开(公告)号：CN103681691B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201310400070.1
申请日：2013-09-05
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L27/06 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/76897 , H01L21/8221 , H01L23/485 , H01L23/522 , H01L23/53295 , H01L27/0688 , H01L27/088 , H01L27/1225 , H01L29/66477 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/78648 , H01L29/78696 , H01L29/792 , H01L2924/00011 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L2224/80001
Abstract: 提供了一种用于顶栅结构中栅极电极和沟道之间的电隔离的配线层内有源元件（部件）。一种半导体装置，包括第一配线层、第二配线层和半导体元件。所述第一配线层具有第一层间绝缘层和嵌入所述第一层间绝缘层的第一配线。所述第二配线层具有第二层间绝缘层和嵌入所述第二层间绝缘层的第二配线。所述半导体元件至少设置在所述第二配线层中。所述半导体元件包括：设置在所述第二配线层中的半导体层、设置成与所述半导体层接触的栅极绝缘膜、通过所述栅极绝缘膜设置在与所述半导体层相对的侧上的栅极电极、以及设置在所述半导体层的侧面上的第一侧壁膜。
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